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그래핀, 티타늄 촉매 전구체 및 이온성 액체를 혼합하여 초음파 처리하는 단계;상기 혼합물에 마이크로웨이브를 조사하고 건조하여 분말 입자를 얻는 단계; 및상기 분말 입자를 산 용액으로 에칭하는 단계;를 포함하여 그래핀 상에 그래핀 나노컵 스페이서가 형성되는 것을 특징으로 하는 3차원 그래핀 나노 구조체 제조방법
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제1항에 있어서,상기 그래핀과 티타늄 촉매 전구체는 1:0
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제1항에 있어서,상기 그래핀과 이온성 액체는 1:0
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제1항에 있어서,상기 그래핀, 티타늄 촉매 전구체 및 상기 이온성 액체는 2:1:0
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제1항에 있어서,상기 이온성 액체는 1-에틸-3-메틸이미다졸륨(1-ethyl-3-methylimidazolium, EMIM)계 이온성 액체 및 1-부틸-3-메틸이미다졸륨(1-butyl-3-methylimidazolium, BMIM)계 이온성 액체 중에서 선택된 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 3차원 그래핀 나노 구조체 제조방법
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제5항에 있어서,상기 1-에틸-3-메틸이미다졸륨(EMIM)계 이온성 액체는 1-에틸-3-메틸이미다졸륨 테트라플루오로보레이트(1-ethyl-3-methylimidazolium tetrafluoroborate), 1-에틸-3-메틸이미다졸륨 헥사플루오로포스페이트(1-ethyl-3-methylimidazolium hexafluorophosphate), 1-에틸-3-메틸이미다졸륨 트리플루오로에탄 설포네이트(1-ethyl-3-methylimidazolium trifluoroethane sulfonate), 1-에틸-3-메틸이미다졸륨 비스[(트리플루오로메틸)설포닐]이미드(1-ethyl-3-methylimidazolium bis[(trifluoromethyl)sulfonyl]imide)을 포함하고,상기 1-부틸-3-메틸이미다졸륨(BMIM)계 이온성 액체는 1-부틸-3-메틸이미다졸륨 테트라플루오로보레이트(1-butyl-3-methylimidazolium tetrafluoroborate), 1-부틸-3-메틸아미다졸륨 헥사플루오로포스페이트(1-butyl-3-methylimidazolium hexafluorophosphate), 1-부틸-3-메틸이미다졸륨 트리플루오로에탄 설포네이트(1-butyl-3-methylimidazolium trifluoroethane sulfonate), 1-부틸-3-메틸이미다졸륨 비스[(트리플루오로메틸)설포닐]이미드(1-butyl-3-methylimidazolium bis[(trifluoromethyl)sulfonyl]imide)를 포함하는 3차원 그래핀 나노 구조체 제조방법
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제1항에 있어서,상기 3차원 그래핀 나노 구조체는 라만 스펙트럼에서 D밴드의 피크 적분치(ID)와 G밴드의 피크 적분치(IG)의 비(ID/IG)인 R 값이 1
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제1항에 있어서,상기 혼합물에 마이크로웨이브를 조사하는 단계는 상기 마이크로웨이브를 100 내지 1500W의 세기로 조사하는 것을 특징으로 하는 3차원 그래핀 나노 구조체 제조방법
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제1항에 있어서,상기 산 용액은 염산, 불산, 황산 및 질산 중에서 선택된 하나 이상과 증류수의 혼합액인 것을 특징으로 하는 3차원 그래핀 나노 구조체 제조방법
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제9항에 있어서,상기 혼합액의 에칭에 의하여 티타늄 촉매가 식각되는 것을 특징으로 하는 3차원 그래핀 나노 구조체 제조방법
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제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 따른 방법으로 제조된 그래핀 상에 그래핀 나노컵 스페이서가 형성된 것을 특징으로 하는 3차원 그래핀 나노 구조체
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제11항에 있어서,상기 3차원 그래핀 나노 구조체는 라만 스펙트럼에서 D밴드의 피크 적분치(ID)와 G밴드의 피크 적분치(IG)의 비(ID/IG)인 R 값이 1
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제11항에 있어서,상기 그래핀 나노컵 스페이서는 크기가 10 내지 100 nm인 것을 특징으로 하는 3차원 그래핀 나노 구조체
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제13항에 있어서,상기 그래핀 나노컵 스페이서의 내부는 그래핀 상에 수직으로 형성되고 내부는 비어 있는 중공 형태를 나타내는 것을 특징으로 하는 3차원 그래핀 나노 구조체
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