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수소를 이용한 산화아연계 p 형 반도체 박막 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015228514
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 수소를 이용한 산화아연계 p 형 반도체 박막 및 그 제조방법에 관한 것으로, 기판 위에 전이금속(M)이 도핑된 Zn1-XMXO(0.07≤x≤0.2) 산화아연계 박막을 증착시키는 박막 증착단계와; 상기 박막 증착단계를 거친 산화아연계 박막 상면에 금속 박막을 증착시키는 금속층 형성단계와; 상기 금속층 형성단계 후에, 상기 산화아연계 박막 및 금속 박막이 형성된 기판 측으로 수소가 함유된 혼합가스를 흘려서 상기 산화아연계 박막에 수소를 주입시키는 수소 주입단계;를 포함하여 구성되는 수소를 이용한 산화아연계 p 형 반도체 박막의 제조방법을 기술적 요지로 한다. 그리고, 본 발명은, 기판과; 상기 기판 상면에 형성되고 전이금속(M)이 도핑된 Zn1-XMXO(0.07≤x≤0.2) 산화아연계 박막과; 상기 산화아연계 박막 상면에 형성된 금속 박막; 그리고, 수소가 함유된 혼합가스를 이용하여 상기 산화아연계 박막 내부로 주입된 수소;를 포함하여 구성되는 수소를 이용한 산화아연계 p 형 반도체 박막을 또한 기술적 요지로 한다. 이에 따라, 전이금속이 도핑된 산화아연(ZnO)을 주성분으로 하는 산화아연계 물질에 수소를 과 주입함으로써 반도체 특성을 p타입 특성으로 변화시킴에 의해 350℃ 이하의 비교적 낮은 온도에서의 수소 분위기 열처리만을 통해서 p형 반도체를 제작할 수 있는 이점이 있다.
Int. CL H01L 21/316 (2006.01)
CPC H01L 21/02579(2013.01) H01L 21/02579(2013.01) H01L 21/02579(2013.01) H01L 21/02579(2013.01) H01L 21/02579(2013.01) H01L 21/02579(2013.01) H01L 21/02579(2013.01)
출원번호/일자 1020120070253 (2012.06.28)
출원인 부산대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1373300-0000 (2014.03.05)
공개번호/일자 10-2014-0002247 (2014.01.08) 문서열기
공고번호/일자 (20140311) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.06.28)
심사청구항수 14

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 부산대학교 산학협력단 대한민국 부산광역시 금정구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정세영 대한민국 부산 금정구
2 신종문 대한민국 부산 동래구
3 조용찬 대한민국 부산 북구
4 박상언 대한민국 부산 금정구
5 조채용 대한민국 부산 동래구
6 이승훈 대한민국 울산 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인부경 대한민국 부산광역시 연제구 법원남로**번길 **, *층 (거제동, 대한타워)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 부산대학교 산학협력단 부산광역시 금정구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.06.28 수리 (Accepted) 1-1-2012-0519096-07
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2013.01.14 수리 (Accepted) 1-1-2013-0033538-55
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.03.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.04.09 수리 (Accepted) 9-1-2013-0026311-98
5 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2013.06.27 수리 (Accepted) 1-1-2013-0575732-74
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.06.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0575742-20
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.07.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0460308-12
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.07.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0490086-18
9 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2013.09.16 수리 (Accepted) 1-1-2013-0844581-19
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.10.16 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0934361-15
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.10.16 수리 (Accepted) 1-1-2013-0934411-00
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.01.02 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000027-56
13 등록결정서
Decision to grant		 2014.02.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0094970-11
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.01.13 수리 (Accepted) 4-1-2016-5004891-78
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.01.09 수리 (Accepted) 4-1-2017-5004005-98
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2017-5004797-18
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번호 청구항
1 1
기판 위에 전이금속(M)이 도핑된 Zn1-XMXO(0
2 2
제1항에 있어서, 상기 기판은 실리콘, 사파이어, 유리 기판 중 하나임을 특징으로 하는 수소를 이용한 산화아연계 p 형 반도체 박막의 제조방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 전이금속은 Al, Cu, Cr, Mn, Fe, Co, Ni 중 하나 이상임을 특징으로 하는 수소를 이용한 산화아연계 p 형 반도체 박막의 제조방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 산화아연계 박막은 두께가 1000Å 내지 3000Å이고, 상기 금속 박막은 두께가 1㎚ 내지 20㎚가 됨을 특징으로 하는 수소를 이용한 산화아연계 p 형 반도체 박막의 제조방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 혼합가스는 수소 가스와 아르곤 가스가 혼합됨을 특징으로 하는 수소를 이용한 산화아연계 p 형 반도체 박막의 제조방법
6 6
제5항에 있어서, 상기 수소가스와 아르곤 가스의 함량비는 Ar;H가 90wt%;10wt%가 됨을 특징으로 하는 수소를 이용한 산화아연계 p 형 반도체 박막의 제조방법
7 7
제1항에 있어서, 상기 금속층 형성단계에서의 금속은 백금, 팔라듐, 은, 구리 중 하나가 됨을 특징으로 하는 수소를 이용한 산화아연계 p 형 반도체 박막의 제조방법
8 8
제1항 내지 제7항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 수소주입단계는 전기로를 이용하여 350℃이하의 온도에서 진행됨을 특징으로 하는 수소를 이용한 산화아연계 p 형 반도체 박막의 제조방법
9 9
기판과;상기 기판 상면에 형성되고 전이금속(M)이 도핑된 Zn1-XMXO(0
10 10
제9항에 있어서, 상기 전이금속은 Al, Cu, Cr, Mn, Fe, Co, Ni 중 하나 이상임을 특징으로 하는 수소를 이용한 산화아연계 p 형 반도체 박막
11 11
제9항에 있어서, 상기 산화아연계 박막은 두께가 1000Å 내지 3000Å이고, 상기 금속 박막은 두께가 1㎚ 내지 20㎚가 됨을 특징으로 하는 수소를 이용한 산화아연계 p 형 반도체 박막
12 12
제9항에 있어서, 상기 금속 박막은 백금, 팔라듐, 은, 구리 중 하나의 촉매금속으로 형성됨을 특징으로 하는 수소를 이용한 산화아연계 p 형 반도체 박막
13 13
제9항에 있어서, 상기 혼합가스는 수소 가스와 아르곤 가스가 혼합됨을 특징으로 하는 수소를 이용한 산화아연계 p 형 반도체 박막
14 14
제13항에 있어서, 상기 수소가스와 아르곤 가스의 함량비는 Ar;H가 90wt%;10wt%가 됨을 특징으로 하는 수소를 이용한 산화아연계 p 형 반도체 박막
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1 WO2014003445 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 부산대학교 산학협력단 세계수준의연구중심대학육성사업(WCU) 나노 광메카트로닉스 기반 인지공학
2 교육과학기술부 부산대학교 산학협력단 신기술융합형성장동력사업 우주 환경 모사 활용 나노 융합 신소재 개발