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액정 표시 장치의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015228606
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 액정 표시 장치의 제조 방법에 관한 것으로, 제1 기판 위에 입력 단자 및 출력 단자를 가지는 박막 트랜지스터를 형성하는 단계, 상기 출력 단자와 연결되는 화소 전극을 형성하는 단계, 상기 화소 전극 위에 유기막을 적층하는 단계, 그리고 상기 유기막 위에 마스크를 배치시키고 이온 빔을 복수의 방향에서 조사하여 상기 유기막을 제1 배향막으로 변환하는 단계를 포함하며, 상기 이온 빔의 조사 시 상기 유기막과 상기 마스크 사이의 거리는 200㎛이하이다. 이렇게 하면 배향 불량 영역을 줄여 표시 불량을 방지할 수 있다.액정 표시 장치, 배향막, 유기막, 이온 빔 배향 방법
Int. CL G02F 1/136 (2006.01) G02F 1/1337 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020080049637 (2008.05.28)
출원인 삼성디스플레이 주식회사, 부산대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1469035-0000 (2014.11.28)
공개번호/일자 10-2009-0123515 (2009.12.02) 문서열기
공고번호/일자 (20141211) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.05.07)
심사청구항수 26

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 삼성디스플레이 주식회사 대한민국 경기 용인시 기흥구
2 부산대학교 산학협력단 대한민국 부산광역시 금정구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 노순준 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 김장섭 대한민국 경기도 수원시 영통구
3 전백균 대한민국 경기도 용인시 수지구
4 이희근 대한민국 경기도 수원시 영통구
5 김재창 대한민국 부산광역시 동래구
6 윤태훈 대한민국 부산광역시 해운대구
7 손필국 대한민국 부산 수영구
8 조봉균 대한민국 부산광역시 부산진구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 팬코리아특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, 역삼***빌딩 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 삼성디스플레이 주식회사 경기 용인시 기흥구
2 부산대학교 산학협력단 부산광역시 금정구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.05.28 수리 (Accepted) 1-1-2008-0381607-63
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5132663-40
3 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status		 2012.09.13 수리 (Accepted) 1-1-2012-0742763-17
4 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2013.05.07 수리 (Accepted) 1-1-2013-0402797-18
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.12.26 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.01.02 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000027-56
7 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2014.02.10 수리 (Accepted) 9-1-2014-0008237-29
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.03.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0166517-63
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.04.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0411797-64
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.04.29 수리 (Accepted) 1-1-2014-0411796-18
11 등록결정서
Decision to grant		 2014.09.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0664517-11
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2015-5104722-59
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.01.13 수리 (Accepted) 4-1-2016-5004891-78
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.01.09 수리 (Accepted) 4-1-2017-5004005-98
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2017-5004797-18
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.01.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5016605-77
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제1 기판, 상기 제1 기판 위에 형성되어 있는 게이트선, 상기 게이트선과 교차하는 데이터선 및 복수의 박막트랜지스터, 상기 복수의 박막트랜지스터 위에 각각 형성된 복수의 화소 전극,상기 화소 전극 위에 형성되어 있고, 배향 방향이 서로 다른 적어도 2개 이상의 제1 배향 영역을 가지는 제1 유기 배향막,상기 제1 기판에 대응하는 제2 기판, 상기 제2 기판 위에 형성된 공통 전극, 및상기 공통 전극 위에 형성되어 있고, 배향 방향이 상호간에도 다르고 상기 제1 유기 배향막의 배향 방향과도 다른 적어도 2개 이상의 제2 배향 영역을 가지는 제2 유기 배향막을 포함하고,상기 제1 유기 배향막은 상기 데이터선과 실질적으로 평행한 방향으로 기울어진 조사 각도로 조사된 이온 빔에 의해 형성된 것이고, 상기 제2 유기 배향막은 상기 게이트선과 실질적으로 평행한 방향으로 기울어진 조사 각도로 조사된 이온 빔에 의해 형성되며,상기 제1 유기 배향막의 상기 제1 배향 영역 간의 배향 방향은 인접한 제1 배향 영역 간의 경계에 평행한 방향으로 형성되고,상기 제2 유기 배향막의 상기 제2 배향 영역 간의 배향 방향은 인접한 제2 배향 영역 간의 경계에 평행한 방향으로 형성된 액정 표시 장치
2 2
제1항에서,상기 유기 배향막은 폴리이미드(PI)를 포함하는 액정 표시 장치
3 3
제2항에서, 상기 제1 유기 배향막의 배향 방향은 각 화소 내에서 제1 서브 픽셀에서는 위로 향하고, 제2 서브 픽셀에서는 아래로 향하는 선경사각(Pretilt)을 갖는 액정 표시 장치
4 4
제3항에서,상기 제1 유기 배향막과 대응하는 제2 유기 배향막의 배향 방향은 각 화소 내에서 위쪽 서브 픽셀에서는 좌측을 향하고, 아래 쪽 서브 픽셀에서는 우측을 향하는 선경사각(Pretilt)을 갖는 액정 표시 장치
5 5
제3항에서,상기 제1 유기 배향막과 대응하는 제2 유기 배향막의 배향 방향은 한 화소 내에서 위쪽 서브 픽셀에서는 우측을 향하고, 아래 쪽 서브 픽셀에서는 좌측을 향하는 선경사각(Pretilt)를 갖는 액정 표시 장치
6 6
제3항에서,상기 제1 서브 픽셀은 각 화소 내에서 제2 서브 픽셀의 좌측에 위치하는 액정 표시 장치
7 7
제1항에서,상기 이온 빔의 에너지는 4eV 내지 60eV이고, 상기 이온 빔의 조사 밀도는 1×1013 Ar+/s
8 8
제7항에서, 상기 이온 빔의 조사 각도는 수평면에 대하여 60도 내지 85도인 액정 표시 장치
9 9
제8항에서, 상기 이온 빔은 조사 방향에 따라 기판의 좌측, 우측, 상측 및 하측으로 기울어지고, 상기 수평면에 대하여 이루는 각도는 동일한 조사 각도로 조사된 액정 표시 장치
10 10
제1항에서,상기 제1 및 제2 유기 배향막의 두께는 50nm인 액정 표시 장치
11 11
제1 기판 위에 입력 단자 및 출력 단자를 가지는 박막 트랜지스터를 형성하는 단계,상기 출력 단자와 연결되는 화소 전극을 형성하는 단계,상기 화소 전극 위에 유기막을 적층하는 단계,상기 유기막 위에 마스크를 배치하고 상기 유기막에 이온 빔을 조사하여 2개 이상의 서로 다른 배향 방향을 가지는 제1 배향 영역을 포함하는 제1 배향막을 형성하는 단계,상기 제1 기판과 대응하는 제2 기판 위에 공통 전극을 형성하는 단계,상기 공통 전극 위에 2개 이상의 서로 다른 배향 방향을 가지는 제2 배향 영역을 포함하는 제2 배향막을 형성하는 단계, 그리고상기 제1 배향막 및 상기 제2 배향막 사이에 액정층을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 제1 유기 배향막의 상기 제1 배향 영역 간의 배향 방향은 인접한 제1 배향 영역 간의 경계에 평행한 방향으로 형성하고,상기 제2 유기 배향막의 상기 제2 배향 영역 간의 배향 방향은 인접한 제2 배향 영역 간의 경계에 평행한 방향으로 형성하는 액정 표시 장치의 제조 방법
12 12
제11항에서,상기 제1 배향막을 형성하는 단계는 하나의 화소에 포함되는 제1 스트라이프 영역에 제1 조사 각도로 이온 빔을 조사하는 단계와 상기 화소에 포함되는 제2 스트라이프 영역에 상기 제1 조사 각도와 반대로 기울어진 제2 조사 각도로 이온 빔을 조사하는 단계를 포함하는 액정 표시 장치의 제조 방법
13 13
제12항에서,상기 제2 배향막을 형성하는 단계는 화소의 상측에 위치하는 상측 서브 픽셀에 좌측 방향으로 기울어진 제3 조사 각도로 이온 빔을 조사하는 단계와 상기 화소의 하측에 위치하는 하측 서브 픽셀에 우측 방향으로 기울어진 제4 조사 각도로 이온 빔을 조사하는 단계를 포함하는 액정 표시 장치의 제조 방법
14 14
제12항에서,상기 제2 배향막을 형성하는 단계는 화소의 상측에 위치하는 상측 서브 픽셀에 우측 방향으로 기울어진 제4 조사 각도로 이온 빔을 조사하는 단계와 상기 화소의 하측에 위치하는 하측 서브 픽셀에 좌측 방향으로 기울어진 제3 조사 각도로 이온 빔을 조사하는 단계를 포함하는 액정 표시 장치의 제조 방법
15 15
제12항에서,상기 제1 조사 각도로 이온 빔을 조사함으로써 상기 제1 스트라이프 영역이 위쪽을 향하는 선경사각(Pretilt)을 가지는 액정 표시 장치의 제조 방법
16 16
제11항에서, 상기 제1 배향막을 형성하는 단계에서 상기 이온 빔의 조사시 상기 유기막과 상기 마스크 사이의 거리는 200㎛ 이하인 액정 표시 장치의 제조 방법
17 17
제11항에서,상기 제1 배향막을 형성하는 단계에서 상기 유기막의 이온 빔의 조사 각도는 상기 제1 기판의 표면에 대하여 60°내지 85°를 이루는 액정 표시 장치의 제조 방법
18 18
제11항에서,상기 이온 빔의 에너지는 4eV 내지 60eV이고, 상기 이온 빔의 조사 밀도는 1×1013 Ar+/s
19 19
제11항에서,상기 유기막의 적층 단계에서, 상기 유기막은 스핀 코팅 방법, 프린트(Print)법, 잉크젯 프린트(Inkjet Print) 방법 중의 하나로 증착되며, 증착 온도는 상온 또는 섭씨 30~40도인 액정 표시 장치의 제조 방법
20 20
제11항에서,상기 유기막의 두께는 50nm인 액정 표시 장치의 제조 방법
21 21
제11항에서,상기 유기막은 폴리이미드(PI)를 포함하는 액정 표시 장치의 제조 방법
22 22
제11항에서,상기 이온 빔 소스는 CHC형의 이온 빔 소스인 액정 표시 장치의 제조 방법
23 23
제11항에서,상기 이온 빔은 아르곤 이온을 포함하는 액정 표시 장치의 제조 방법
24 24
제11항에서,상기 이온 빔의 조사시 상기 유기막과 상기 마스크 사이의 거리가 20㎛ 내지 50㎛인 액정 표시 장치의 제조 방법
25 25
제11항에서,상기 마스크는 상기 이온 빔이 통과하는 개구부를 가지며, 상기 개구부의 폭은 100㎛ 내지 1000㎛인 액정 표시 장치의 제조 방법
26 26
제25항에서,상기 마스크는 스테인레스 또는 알루미늄으로 만들어지는 액정 표시 장치의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
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1 US08049852 US 미국 FAMILY
2 US20090296034 US 미국 FAMILY

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1 US2009296034 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US8049852 US 미국 DOCDBFAMILY
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