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기판;상기 기판에 형성된 소오스/드레인 영역;상기 기판에, 상기 소오스/드레인 영역 사이에 형성된 채널 영역;상기 기판 상에 형성된 게이트 절연층; 및상기 게이트 절연층 상에 형성된 게이트 전극을 포함하되, 상기 게이트 전극은 상기 채널 영역의 적어도 일부와 오버랩되고, 상기 게이트 전극과 상기 기판 사이에 갭 영역이 형성되고, 상기 갭 영역에서의 유전율 변화를 감지하여 바이오 물질을 센싱하는 바이오 센서
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제 1항에 있어서,상기 게이트 절연층의 폭은 상기 게이트 전극의 폭보다 좁게 형성되어, 상기 갭 영역을 형성하는 바이오 센서
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제 1항에 있어서,상기 게이트 전극의 폭은 상기 채널 영역의 폭과 동일한 바이오 센서
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제 1항에 있어서,상기 갭 영역에서의 항원-항체 반응에 의하여 상기 유전율이 변하는 바이오 센서
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제 4항에 있어서,상기 갭 영역 내에 항체 물질이 위치하고, 상기 바이오 물질은 상기 항체 물질과 결합하는 항원 물질인 바이오 센서
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제 5항에 있어서,상기 갭 영역 내에 위치한 상기 항체 물질은 단일 종류인 바이오 센서
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제 1항에 있어서,상기 유전율 변화에 따라 변하는 드레인 전류를 감지하여 상기 바이오 물질을 센싱하는 바이오 센서
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제 1항에 있어서,상기 유전율 변화에 따라 변하는 트랜지스터의 문턱 전압(threshold voltage)을 감지하여 상기 바이오 물질을 센싱하는 바이오 센서
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제 1항에 있어서,상기 바이오 물질은 비극성 물질인 바이오 센서
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제 1항에 있어서,상기 바이오 물질은 전하를 갖지 않는 물질인 바이오 센서
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제 1항에 있어서,상기 채널 영역은, 전이금속 칼코겐 화합물(Transition Metal Dichalcogenide)을 포함하는 바이오 센서
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기판; 및상기 기판 상에 형성된 복수 개의 바이오 센서를 포함하되, 상기 복수 개의 바이오 센서는 각각, 유전율 변화를 감지하여 바이오 물질을 센싱하는 센싱 시스템
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제 12항에 있어서,상기 바이오 센서는 박막 트랜지스터, 다이오드, 저항, 또는 광반응 소자를 포함하는 센싱 시스템
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제 12항에 있어서,상기 바이오 센서는 게이트 전극, 소오스/드레인 영역, 및 상기 소오스/드레인 영역 사이에 형성된 채널 영역을 포함하는 센싱 시스템
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제 14항에 있어서,상기 게이트 전극은 상기 채널 영역의 적어도 일부와 오버랩되고, 상기 게이트 전극과 상기 기판 사이에 갭 영역이 형성된 센싱 시스템
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제 15항에 있어서,상기 바이오 센서는 상기 갭 영역에서의 유전율 변화를 감지하여 상기 바이오 물질을 센싱하는 센싱 시스템
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제 16항에 있어서,상기 바이오 센서는 상기 갭 영역에서의 항원-항체 반응에 의하여 상기 유전율이 변하는 센싱 시스템
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제 14항에 있어서,상기 채널 영역은, 전이금속 칼코겐 화합물을 포함하는 센싱 시스템
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제 12항에 있어서,상기 바이오 물질은, 비극성 물질이거나 전하를 갖지 않는 물질인 센싱 시스템
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제 12항에 있어서,상기 복수 개의 바이오 센서는 서로 다른 바이오 물질을 센싱하는 센싱 시스템
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게이트 전극과 채널 영역 사이에 갭 영역이 형성된 바이오 센서를 준비하고,상기 갭 영역에서의 유전율 변화를 감지하여 바이오 물질을 센싱하는 것을 포함하는 바이오 센서의 동작 방법
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제 21항에 있어서,상기 바이오 물질을 센싱하는 것은, 상기 바이오 센서에 대하여 상기 유전율 변화에 따라 변하는 드레인 전류를 감지하여 상기 바이오 물질을 센싱하는 바이오 센서의 동작 방법
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제 21항에 있어서,상기 바이오 물질을 센싱하는 것은, 상기 바이오 센서에 대하여 상기 유전율 변화에 따라 변하는 트랜지스터의 문턱 전압을 감지하여 상기 바이오 물질을 센싱하는 바이오 센서의 동작 방법
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제 21항에 있어서,상기 바이오 물질을 센싱하는 것은, 상기 갭 영역에서의 항원-항체 반응에 의하여 상기 유전율이 변하여, 상기 바이오 물질을 센싱하는 바이오 센서의 동작 방법
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제 21항에 있어서,상기 바이오 물질은, 비극성 물질이거나 전하를 갖지 않는 물질인 바이오 센서의 동작 방법
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