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탄소-증착된 이산화티탄 입자, 이의 제조 방법, 및 이를 함유하는 광촉매(CARBON-DEPOSITED TITANIUM DIOXIDE PARTICLE, PREPARING METHOD OF THE SAME, AND PHOTOCATALYST INCLUDING THE SAME)

  • 기술번호 : KST2015228805
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 탄소-증착된 이산화티탄 입자, 상기 탄소-증착된 이산화티탄 입자의 제조 방법, 및 상기 탄소-증착된 이산화티탄 입자를 포함하는 광촉매에 관한 것이다.
Int. CL B01J 27/20 (2006.01) B01J 37/08 (2006.01) B01J 21/06 (2006.01) B01J 37/34 (2006.01)
CPC B01J 21/06(2013.01) B01J 21/06(2013.01) B01J 21/06(2013.01) B01J 21/06(2013.01) B01J 21/06(2013.01)
출원번호/일자 1020140066044 (2014.05.30)
출원인 서강대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2015-0137711 (2015.12.09) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.05.30)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서강대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 마포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 문준혁 대한민국 서울특별시 양천구
2 이선복 대한민국 대전광역시 중구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인엠에이피에스 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 **, *층 (역삼동, 한동빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2014.05.30 수리 (Accepted) 1-1-2014-0515471-02
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2014.11.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2014.12.11 수리 (Accepted) 9-1-2014-0095805-71
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2015.10.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0735070-82
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.12.24 수리 (Accepted) 1-1-2015-1270933-27
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.12.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-1270973-43
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2016.04.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0280001-37
8 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Extension of Legal Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)
2016.05.18 수리 (Accepted) 7-1-2016-0031284-16
9 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2016.06.20 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2016-0594596-54
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.06.20 수리 (Accepted) 1-1-2016-0594586-08
11 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2016.07.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0477740-13
12 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Extension of Legal Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)
2016.08.03 수리 (Accepted) 7-1-2016-0046562-44
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.01.11 수리 (Accepted) 4-1-2017-5005781-67
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.01.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5014626-89
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
전기방사법에 의해 이산화티탄 입자를 형성하고;상기 이산화티탄 입자에 탄소 전구체를 가교시켜 상기 가교된 탄소 전구체를 탄화시킴으로써, 상기 이산화티탄 입자에 탄소를 증착하는 것을 포함하는, 탄소-증착된 이산화티탄 입자의 제조 방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 전기방사법에 의해 이산화티탄 입자를 형성한 후, 상기 이산화티탄 입자를 가열 소결하여 안정화 및 정제시키는 것을 추가 포함하는, 탄소-증착된 이산화티탄 입자의 제조 방법
3 3
제 2 항에 있어서, 상기 이산화티탄 입자를 가열 소결하는 것은 450℃ 내지 850℃의 온도 범위에서 수행하는 것인, 탄소-증착된 이산화티탄 입자의 제조 방법
4 4
제 1 항에 있어서,상기 전기방사법에 의해 형성된 상기 이산화티탄 입자에 탄소를 증착하는 것은, 탄소 전구체-함유 용액에 상기 이산화티탄 입자를 분산시킨 후, 불활성 기체 분위기에서 가열하여 상기 탄소 전구체를 탄화시키는 것을 포함하는 것인, 탄소-증착된 이산화티탄 입자의 제조 방법
5 5
제 4 항에 있어서, 상기 탄소 전구체-함유 용액 중 상기 탄소 전구체의 질량 백분율에 따라 상기 이산화티탄 입자 표면의 탄소-증착 정도를 조절할 수 있는 것인, 탄소-증착된 이산화티탄 입자의 제조 방법
6 6
제 4 항에 있어서,상기 탄소 전구체는 페놀-포름알데히드, 하이드로퀴논-포름알데히드, 플로로글루시놀-포름알데히드, 페놀, 플로로글루시놀, 레조르시놀-포름알데히드, 탄소수 1 내지 20을 가지는 지방족 탄화수소계 또는 방향족 탄화수소계 알데히드류, 수크로스, 글루코오스, 자일로오스, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 단량체를 산 촉매 또는 염기성 촉매를 사용하여 축합 중합 반응시켜 제조되는 것을 포함하거나; 또는, 디비닐벤젠, 아크릴로니트릴, 염화비닐, 비닐아세테이트, 스티렌, 메타크릴레이트, 메틸메타크릴레이트, 에틸렌글리콜 디메타크릴레이트, 우레아, 멜라민, CH2=CRR' (여기에서, R 및 R'은 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 20을 가지는 알킬기 또는 아릴기를 나타냄), 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 단량체를 중합 개시제를 사용하여 부가 중합 반응시켜 제조되는 것을 포함하는 것인, 탄소-증착된 이산화티탄 입자의 제조 방법
7 7
제 4 항에 있어서, 상기 불활성 기체 분위기에서 가열하여 상기 탄소 전구체를 탄화시키는 것은 700℃ 이상의 온도 범위에서 수행하는 것인, 탄소-증착된 이산화티탄 입자의 제조 방법
8 8
제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 따라 제조된 탄소-증착된 이산화티탄 입자를 포함하는, 광촉매
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
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2 교육부 서강대학교 산학협력단 일반연구자지원사업 고용량 슈퍼캐패시터를 위한 고밀도의 탄소나노튜브 볼 제조
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