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전도성 투명 기재 상에 형성된 차단층; 및상기 차단층 상에 형성되고, 규칙적으로 배열된 메조 크기의 기공을 갖는 다공성 전이금속 산화물 구조체를 포함하고,상기 기공은 2 nm 내지 100 nm의 크기를 갖는 것이며,상기 다공성 전이금속 산화물 구조체는 역전오팔광결정구조를 갖는 것인, 염료감응 태양전지용 광전극으로서,상기 광전극은, 상기 전도성 투명 기재 상에 상기 차단층을 형성하는 단계;상기 차단층 상에 고분자 희생층을 형성하는 단계;상기 고분자 희생층에 전이금속 산화물을 원자층 증착법에 의하여 충진하는 단계; 및상기 고분자 희생층을 제거하는 단계를 포함하는 방법에 의하여 제조되는 것인,염료감응 태양전지용 광전극
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제 1 항에 있어서,상기 전이금속 산화물은 Ti, Cu, Zr, Fe, Zn, In, Ir, La, V, Mo, W, Sn, Nb, Y, Sc, Sm, Ga, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것의 산화물을 포함하는 것인, 염료감응 태양전지용 광전극
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전도성 투명 기재 상에 차단층을 형성하는 단계;상기 차단층 상에 고분자 희생층을 형성하는 단계;상기 고분자 희생층에 전이금속 산화물을 원자층 증착법에 의하여 충진하는 단계; 및상기 고분자 희생층을 제거하는 단계;를 포함하며,상기 고분자 희생층은 규칙적으로 배열된 입자 구조 및 오팔결정구조를 갖고, 상기 입자는 메조 크기를 갖는 것이고,상기 입자는 2 nm 내지 100 nm의 크기를 갖는 것이고,상기 고분자 희생층을 제거하는 것은 열분해에 의하여 수행되는 것이며,상기 고분자 희생층이 제거되어 규칙적으로 배열된 기공을 갖는 역전오팔광결정구조를 형성하는 것인,염료감응 태양전지용 광전극의 제조 방법
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제 5 항에 있어서,상기 고분자 희생층을 형성하기 위한 고분자 입자는 폴리스타이렌, 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리스타이렌/폴리디비닐벤젠, 폴리아미드, 폴리(부틸메타크릴레이트-디비닐벤젠), 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 것인, 염료감응 태양전지용 광전극의 제조 방법
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제 5 항에 있어서,상기 전이금속 산화물은 Ti, Cu, Zr, Fe, Zn, In, Ir, La, V, Mo, W, Sn, Nb, Y, Sc, Sm, Ga 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것의 산화물을 포함하는 것인, 염료감응 태양전지용 광전극의 제조 방법
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염료가 흡착된 제 1 항의 광전극, 상기 광전극에 대향되는 상대전극, 및상기 광전극 및 상기 상대 전극 사이에 위치하는 전해질을 포함하는,염료감응 태양전지
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