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마이크로미터 수준 입자의 함침율 조절방법 및 이에 의해 제조된 입자 코팅 기판(Controlling impregnation method of micrometer level''s particle and particle coated substrate manufactured by the same)

  • 기술번호 : KST2015228823
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 밀착성 고분자 기판에 경화제(1차 경화제)를 포함시켜 혼합한 밀착성 고분자 기판을 투액성 기판에 도포하는 단계; 상기 투액성 기판상에 위치한 밀착성 고분자 기판상에 입자를 위치시키는 단계; 상기 입자를 밀착성 고분자 기판의 표면에 입자를 코팅하는 단계; 코팅된 입자와 밀착성 고분자층의 결합력을 향상시키기 위해 입자가 코팅된 기판을 공기 분위기 하에서 UV를 조사시키는 단계; 경화제(2차 경화제)를 용기 상에 도포하는 단계; 상기 입자가 코팅된 밀착성 고분자 기판 뒷면의 투액성 기판을 상기 용기 상에 위치시켜 경화제(2차 경화제)를 흡수시키는 단계로 이루어진 마이크로미터 수준 입자의 함침율 향상방법이 개시된다.
Int. CL C08J 7/04 (2006.01)
CPC B05D 3/12(2013.01) B05D 3/12(2013.01) B05D 3/12(2013.01) B05D 3/12(2013.01)
출원번호/일자 1020140064505 (2014.05.28)
출원인 아주대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1599540-0000 (2016.02.25)
공개번호/일자 10-2015-0137198 (2015.12.09) 문서열기
공고번호/일자 (20160304) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.05.28)
심사청구항수 16

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 아주대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 영통구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김재호 대한민국 경기 성남시 분당구
2 김효섭 대한민국 경기도 수원시 영통구
3 박정균 대한민국 경기도 수원시 권선구
4 정성현 대한민국 경기도 수원시 팔달구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 태웅 대한민국 서울특별시 서초구 강남대로 ***, *동***호(양재동,양재역환승주차장)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 에이엔케이 경기도 수원시 영통구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2014.05.28 수리 (Accepted) 1-1-2014-0506336-35
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2014.06.02 수리 (Accepted) 1-1-2014-0520825-89
3 보정요구서
Request for Amendment		 2014.06.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2014-0097331-17
4 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2014.06.17 수리 (Accepted) 1-1-2014-0564944-23
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2014.11.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2014.12.12 수리 (Accepted) 9-1-2014-0099344-17
7 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2015.06.16 수리 (Accepted) 1-1-2015-0581819-13
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2015.08.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0532607-49
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2015.10.12 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0983143-75
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2015.10.12 수리 (Accepted) 1-1-2015-0983144-10
11 등록결정서
Decision to grant		 2016.02.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0135246-48
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
밀착성 고분자 기판에 경화제(1차 경화제)를 포함시켜 혼합한 밀착성 고분자 기판을 투액성 기판에 도포하는 단계; 상기 투액성 기판상에 위치한 밀착성 고분자 기판상에 입자를 위치시키는 단계; 상기 입자를 밀착성 기판의 표면에 입자를 코팅하는 단계; 코팅된 입자와 밀착성 고분자층의 결합력을 향상시키기 위해 입자가 코팅된 기판을 공기 분위기 하에서 UV를 조사시키는 단계; 경화제(2차 경화제)를 용기 상에 도포하는 단계; 상기 입자가 코팅된 밀착성 고분자 기판 뒷면의 투액성 기판을 상기 용기 상에 위치시켜 경화제를 흡수시키는 단계로 이루어지는 마이크로미터 입자의 함침율을 조절하는 방법
2 2
제 1항에 있어서, 입자를 코팅하기 위하여 라텍스, 스폰지, 손, 고무판, 플라스틱 판, 부드러운 표면을 가지는 재료를 이용하여 문지르는(rubbing) 방법을 사용함을 특징으로 하는 마이크로미터 입자의 함침율을 조절하는 방법
3 3
제 1항 또는 제 2항에 있어서, 1차 경화제의 사용량은 2wt% 내지 3wt%임을 특징으로 하는 마이크로미터 입자의 함침율을 조절하는 방법
4 4
제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 2차 경화제의 사용량에 따라 상기 밀착성 고분자 기판과 상층부의 입자의 함침율을 조절할 수 있는 것을 특징으로 하는 마이크로미터 입자의 함침율을 조절하는 방법
5 5
제 1항 또는 제 2항에 있어서, 밀착성 고분자 물질에 코팅되는 입자의 크기는 3㎛ 이상 1000㎛ 미만의 크기임을 특징으로 하는 마이크로미터 입자의 함침율을 조절하는 방법
6 6
제 5항에 있어서, 밀착성 고분자 물질에 코팅되는 입자의 크기는 3㎛-100㎛의 크기임을 특징으로 하는 마이크로미터 입자의 함침율을 조절하는 방법
7 7
제 1항 또는 제2항에 있어서, 밀착성 고분자 물질은 폴리디메틸실록산(polydimethylsiloxane, PDMS) 실리콘 기반 고분자 물질, 폴리에틸렌(polyethylene, PE), 폴리비닐클로라이드(polyvinylchloride, PVC)를 포함하는 랩, 밀착 또는 밀봉을 목적으로 하는 고분자 물질을 포함하는 보호 필름으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 어느 하나임을 특징으로 하는 마이크로미터 입자의 함침율을 조절하는 방법
8 8
제 7항에 있어서, 상기 밀착성 밀착성 고분자 물질은 폴리디메틸실록산(polydimethylsiloxane, PDMS)임을 특징으로 하는 마이크로미터 입자의 함침율을 조절하는 방법
9 9
제 1항 또는 제 2항에 있어서, 투액성 기판은 골판지, 한지, 티슈, A4용지로 이루어지는 어느 하나임을 특징으로 하는 마이크로미터 입자의 함침율을 조절하는 방법
10 10
제 1항 또는 제 2항에 있어서, 밀착성 고분자 기판에 코팅되는 입자는 고분자, 무기물, 금속, 자성체, 반도체, 생체 물질로 이루어지는 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 마이크로미터 입자의 함침율을 조절하는 방법
11 11
제 10항에 있어서, 고분자는 폴리스티렌 (PS), 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA), 폴리아크릴레이트, 폴리바이닐클로라이드 (PVC), 폴리알파스티렌, 폴리벤질메타크릴레이트, 폴리페닐메타클릴레이트, 폴리다이페닐메타크릴레이트, 폴리사이클로헥실메타클릴레이트, 스틸렌-아크릴로니트릴 공중합체, 스틸렌-메틸메타크릴레이트 공중합체로 이루어지는 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 마이크로미터 입자의 함침율을 조절하는 방법
12 12
제 10항에 있어서, 무기물은 실리콘 산화물, 인산은, 티타늄 산화물, 철 산화물, 아연 산화물, 세륨 산화물, 주석 산화물, 탈륨 산화물, 바륨 산화물, 알루미늄 산화물, 이트륨 산화물, 지르코늄 산화물, 구리산화물, 니켈 산화물로 이루어지는 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 마이크로미터 입자의 함침율을 조절하는 방법
13 13
제 10항에 있어서, 금속은 금, 은, 동, 철, 백금, 알루미늄, 백금, 아연, 세륨, 탈륨, 바륨, 이트륨, 지르코늄, 주석, 티타늄, 또는 이들의 합금으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 마이크로미터 입자의 함침율을 조절하는 방법
14 14
제 10항에 있어서, 반도체는 실리콘, 게르마늄, AlP, AlAs, AlSb, GaN, GaP, GaAs, GaSb, InP, InAs, InSb 이루어지는 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 마이크로미터 입자의 함침율을 조절하는 방법
15 15
제 10항에 있어서, 생체 물질은 단백질, 펩티드, 리보핵산(RNA), 데옥시리보핵산(DNA), 다당류, 올리고당, 지질, 세포 또는 이들의 복합체로 이루어지는 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 마이크로미터 입자의 함침율을 조절하는 방법
16 16
상기 제 1항 또는 상기 제 2항에 의하여 제조되는 입자의 크기가 3㎛ 이상 1000㎛ 미만이고 함침율이 30-60%인 기판
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.