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기판을 배치하는 단계; 고니어 미터를 이용하여 상기 배치된 기판의 면방향 정보를 측정하는 단계;상기 측정된 기판의 면방향 정보에 기반하여 상기 기판위에 형성될 GaN층의 m면이 자연 벽개면이 되도록 상기 기판의 배치를 조정하는 단계; 및마스크를 상기 기판에 대해 보상정렬되도록 얼라인한 후 상기 마스크를 상기 기판 상에 안착시키는 단계를 포함하는 고니어 미터가 구비된 마스크 기판 얼라이너의 마스크 기판 얼라인 방법
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제1항에 있어서,상기 GaN층은 상기 기판위에 GaN 기반 레이저 다이오드를 형성하기 위한 GaN층인 것을 특징으로 하는 고니어 미터가 구비된 마스크 기판 얼라이너의 마스크 기판 얼라인 방법
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제2항에 있어서,상기 기판위에 GaN 기반 레이저 다이오드를 형성하기 위한 GaN층을 형성하는 단계;상기 고니어 미터를 이용하여 상기 형성된 GaN층의 면방향 정보를 측정하는 단계;상기 측정된 GaN층의 면방향 정보에 기반하여 상기 기판위에 형성될 GaN층의 m면이 자연 벽개면이 되도록 상기 기판의 배치를 조정하는 단계; 및마스크를 상기 GaN층에 대해 보상정렬되도록 얼라인한 후 상기 마스크를 상기 GaN층 상에 안착시키는 단계를 더 포함하는 고니어 미터가 구비된 마스크 기판 얼라이너의 마스크 기판 얼라인 방법
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제1항에 있어서,상기 GaN의 벽개면은 스크라이빙 후 칩 브레이킹에 의해 생성되는 것을 특징으로 하는 고니어 미터가 구비된 마스크 기판 얼라이너의 마스크 기판 얼라인 방법
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기판이 안착될 수 있는 안착면을 갖는, 홀더;마스크를 상기 안착면 상에 안착된 상기 기판 상에 인접하여 배치할 수 있는 마스크 지지부;상기 기판의 기판키와 상기 마스크의 마스크마크를 확인할 수 있는 측정유닛;상기 마스크 지지부 또는 상기 홀더에 결합되어 상기 마스크 지지부의 위치 또는 상기 홀더의 위치를 조정할 수 있는 스테이지; 마크스 얼라인 공정 및 GaN 증착 공정에서 상기 기판과, 상기 기판위에서 증착되는 GaN층의 면방향을 측정하는 고니어 미터; 및상기 측정유닛에 의해 측정된 정보 및 상기 고니어 미터에 의해 측정된 상기 기판 및 상기 GaN층의 면방향 정보에 기반하여 상기 기판위에 형성될 GaN층의 m면이 자연 벽개면이 되도록 상기 기판의 배치를 조정하고, 상기 마스크를 상기 기판에 대해 보상정렬되도록 얼라인한 후 상기 마스크를 상기 기판 상에 안착시키도록 상기 스테이지를 통해 상기 마스크 지지부와 상기 홀더 사이의 위치를 제어하는 제어부를 포함하는 고니어 미터가 구비된 마스크 기판 얼라이너
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제5항에 있어서,상기 GaN층은 상기 기판위에 GaN 기반 레이저 다이오드를 형성하기 위한 GaN층인 것을 특징으로 하는 고니어 미터가 구비된 마스크 기판 얼라이너
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제6항에 있어서,상기 제어부는 상기 기판위에 GaN 기반 레이저 다이오드를 형성하기 위한 GaN층을 형성하고, 상기 고니어 미터를 이용하여 측정된 상기 GaN층의 면방향 정보에 기반하여 상기 기판위에 형성될 GaN층의 m면이 자연 벽개면이 되도록 상기 기판의 배치를 조정하고, 상기 마스크를 상기 GaN층에 대해 보상정렬되도록 얼라인한 후 상기 마스크를 상기 GaN층 상에 안착시키는 것을 특징으로 하는 고니어 미터가 구비된 마스크 기판 얼라이너
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제5항에 있어서,상기 GaN의 벽개면은 스크라이빙 후 칩 브레이킹에 의해 생성되는 것을 특징으로 하는 고니어 미터가 구비된 마스크 기판 얼라이너
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