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기판 상에 N-반도체 적층막을 형성하고,상기 N-반도체 적층막 상에 활성층을 형성하고,상기 활성층 상에 성장기법을 이용하여 리지 형태의 P-반도체 적층막을 형성하는 것을 특징으로 하는 리지를 갖는 레이저 다이오드의 제조방법
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기판 상에 N-반도체 적층막을 형성하고,상기 N-반도체 적층막 상에 활성층을 형성하고,상기 활성층에 전자방지층을 형성하고,상기 전자방지층 상에 성장기법을 이용하여 리지 형태의 P-반도체 적층막을 형성하는 것을 특징으로 하는 리지를 갖는 레이저 다이오드의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 활성층 상에 성장기법을 이용하여 리지 형태의 P-반도체 적층막을 형성하는 것은, 패턴이 형성된 탬플릿을 상기 활성층 상에 마련한 후, 상기 패턴 내에 상기 P-반도체 적층막을 성장기법을 통해 형성하는 것인 리지를 갖는 레이저 다이오드의 제조방법
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제 2 항에 있어서,상기 전자방지층 상에 성장기법을 이용하여 리지 형태의 P-반도체 적층막을 형성하는 것은, 패턴이 형성된 탬플릿을 상기 전자방지층 상에 마련한 후, 상기 패턴 내에 상기 P-반도체 적층막을 성장기법을 통해 형성하는 것인 리지를 갖는 레이저 다이오드의 제조방법
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 패턴의 높이 및 폭을 변경함으로써 상기 P-반도체 적층막의 높이 및 폭을 조절하는 리지를 갖는 레이저 다이오드의 제조방법
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 N-반도체 적층막을 형성하는 것은, 상기 기판에 N-컨택층 및 N-클래드층을 순차적으로 형성하는 것을 포함하는 리지를 갖는 레이저 다이오드의 제조방법
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7
제 6 항에 있어서,상기 N-반도체 적층막을 형성하는 것은, 상기 N-클래드층 상에 N-웨이브 가이드층을 형성하는 것을 더 포함하는 리지를 갖는 레이저 다이오드의 제조방법
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8
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 P-반도체 적층막을 형성하는 것은, 순차적으로 P-클래드층 및 P-컨택층을 형성하는 것을 포함하는 리지를 갖는 레이저 다이오드의 제조방법
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9
제 8 항에 있어서,상기 P-반도체 적층막을 형성하는 것은, 상기 P-클래드층을 형성하기 전에 P-웨이브 가이드층을 형성하는 것을 더 포함하는 리지를 갖는 레이저 다이오드의 제조방법
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10
기판에 N-반도체 적층막, 활성층 및 리지 형태의 P-반도체 적층막이 순차적으로 형성되는 레이저 다이오드에 있어서,상기 P-반도체 적층막에 포함되는 모든 구성이 리지 형태를 이루는 것을 특징으로 하는 리지를 갖는 레이저 다이오드
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11
제 10 항에 있어서,상기 P-반도체 적층막은 순차적으로 적층되는 P-클래드층 및 P-컨택층을 포함하는 리지를 갖는 레이저 다이오드
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12
제 11 항에 있어서,상기 P-반도체 적층막은 순차적으로 적층되는 P-웨이브 가이드층, P-클래드층 및 P-컨택층을 포함하는 리지를 갖는 레이저 다이오드
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13
제 10 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 레이저 다이오드는 상기 활성층과 상기 P-반도체 적층막 사이에 형성되는 전자방지층을 더 포함하는 리지를 갖는 레이저 다이오드
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