맞춤기술찾기

이전대상기술

실리콘 웨이퍼의 이방성 식각 방법 및 그 장치(METHOD FOR ANISOTROPICALLY ETCHING SILICON WAFER AND APPARATUS THEREFOR)

  • 기술번호 : KST2015228852
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 수용성 암모니아계 용액 및 첨가제를 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼의 이방성 식각액, 식각 방법 및 장치에 관한 것으로, 본 발명에 따른 실리콘 웨이퍼의 이방성 식각액은 식각율을 높이고, 실리콘 웨이퍼의 식각 시 발생하는 언더컷팅 개선, 우수한 평탄도 및 힐록의 형성이 거의 없는 식각 표면을 재현할 수 있을 뿐만 아니라 오염이 없고 독성이 적은 식각액을 제공할 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 실리콘 웨이퍼의 이방성 식각 방법 및 장치는 교반기를 상부에 설치하고, 상기 교반기의 회전에 의해 형성된 와류의 방향과 실리콘 웨이퍼의 피식각면의 방향을 평행하게 설치하여, 식각하고자 하는 실리콘 박막에 대하여 수소기포의 탈착이 용이하게 하여 실리콘 사이에 형성된 식각 잔유물을 밀어내고 반응하지 않은 식각액의 공급을 원활하게 하여 우수한 표면 평탄도를 가지며 양호한 각을 이루는 홈 모양을 얻을 수 있는 이점이 있다.
Int. CL H01L 21/306 (2006.01)
CPC H01L 21/30608(2013.01) H01L 21/30608(2013.01)
출원번호/일자 1020140066372 (2014.05.30)
출원인 서울시립대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1576286-0000 (2015.12.03)
공개번호/일자 10-2015-0137823 (2015.12.09) 문서열기
공고번호/일자 (20151210) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.05.30)
심사청구항수 8

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 서울시립대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 동대문구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김정식 대한민국 서울특별시 동대문구
2 전기화 대한민국 서울특별시 은평구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김정수 대한민국 서울시 송파구 올림픽로 ***(방이동) *층(이수국제특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 서울시립대학교 산학협력단 서울특별시 동대문구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2014.05.30 수리 (Accepted) 1-1-2014-0517071-99
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2014.11.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2014.12.12 수리 (Accepted) 9-1-2014-0098898-10
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2015.10.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0730267-18
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.10.29 수리 (Accepted) 1-1-2015-1053882-18
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.10.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-1053883-53
7 등록결정서
Decision to grant
2015.11.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0824910-95
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.01.17 수리 (Accepted) 4-1-2017-5009116-18
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.09.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5191631-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(a) 수용성 암모니아계 용액 및 첨가제를 포함하는 식각액을 제조하여 식각 장치에 투입하는 단계;(b) 상기 식각 장치에 실리콘 웨이퍼를 그 피식각면이 상부를 향하도록 로딩하여 상기 식각액에 침지시키는 단계;(c) 회전식 교반기를 피식각면과 근접하게 이격되도록 상기 식각 장치의 위쪽으로부터 상기 식각액에 침지시키는 단계; 및(d) 상기 회전식 교반기를 작동시켜 상기 식각액의 흐름이 피식각면과 평행을 이루도록 교반하는 단계를 포함하고,상기 첨가제는 피라진(pyrazin), AP(ammonium persulfate) 또는 AHS(ammonium hydrogen sulfate)인 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼의 이방성 식각방법
2 2
제 1항에 있어서, 상기 수용성 암모니아계 용액은 TMAH(tetramethylammonium hydroxide) 용액인 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼의 이방성 식각방법
3 3
제 2항에 있어서, 상기 TMAH 용액의 농도는 10 내지 25 wt%인 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼의 이방성 식각방법
4 4
삭제
5 5
제 1항에 있어서,상기 식각액은 피라진을 0
6 6
제 1항에 있어서, 상기 식각액은 AP를 2
7 7
제 1항에 있어서, 상기 식각액은 AHS를 5
8 8
제 6항 또는 제 7항에 있어서, 상기 식각액은 1가 알코올을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼의 이방성 식각방법
9 9
제 8항에 있어서, 상기 1가 알코올은 이소프로판올인 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼의 이방성 식각방법
10 10
삭제
11 11
삭제
12 12
삭제
13 13
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 서울시립대학교산학협력단 산학연협력기술개발(S4190) 산업용 중·저압 마이크로 압력센서 유닛 개발