1 |
1
소자 영역 및 배선 영역을 포함하는 탄성기판;상기 소자 영역의 상기 탄성기판 상에 배치되는 전자소자;상기 탄성기판 상에 배치되며, 상기 배선 영역에서 굴곡진 표면을 갖는 제1탄성층;상기 배선 영역의 상기 제1탄성층의 굴곡진 표면을 따라 배치되고 상기 전자소자를 전기적으로 연결시키는 금속 배선들;상기 제1탄성층 상에 상기 금속 배선들을 덮으며 배치되는 제2탄성층;상기 전자소자 상에 상기 전자소자와 수직적으로 중첩되도록, 상기 제2탄성층에 함몰되어 배치되며 굴곡진 표면을 갖는 고강성 패턴; 및상기 고강성 패턴 및 상기 제2탄성층 상에 배치된 제3탄성층을 포함하는 전자장치
|
2 |
2
제 1 항에 있어서,상기 제1탄성층, 상기 제2탄성층, 상기 제3탄성층 및 상기 탄성기판은 같은 물질로 이루어진 전자장치
|
3 |
3
제 1 항에 있어서,상기 고강성 패턴의 폭은 상기 전자 소자의 폭 보다 넓은 전자장치
|
4 |
4
제 1 항에 있어서,상기 고강성 패턴을 이루는 물질은 상기 제1탄성층, 상기 제2탄성층, 상기 제3탄성층 또는 상기 탄성기판을 이루는 물질보다 큰 영률(Young's modulus)을 갖는 전자장치
|
5 |
5
제 1 항에 있어서,상기 고강성 패턴을 이루는 물질은 폴리이미드(polyimide)인 전자장치
|
6 |
6
제 1 항에 있어서,상기 제2탄성층은 감광성 탄성 물질로 이루어지고, 상기 고강성 패턴은 빛에 의하여 경화된 감광성 탄성물질인 전자장치
|
7 |
7
제 6 항에 있어서,상기 감광성 탄성 물질은 감광성 폴리다이메틸실록세인(photo-sensitive polydimethylsiloxane)인 전자장치
|
8 |
8
소자 영역 및 배선 영역을 포함하는 캐리어 기판을 제공하는 것;상기 캐리어 기판 상에 희생층을 형성하는 것;상기 소자 영역의 상기 희생층 상에 전자소자를 형성하는 것;상기 배선 영역의 상기 희생층 상에 굴곡진 표면을 갖는 제1탄성층을 형성하는 것;상기 배선 영역의 상기 제1탄성층 상에 상기 전자소자를 전기적으로 연결시키는 금속 배선들을 형성하는 것;상기 제1탄성층 상에 상기 금속 배선들을 덮는 제2탄성층을 형성하는 것;상기 전자소자 상에 상기 전자소자와 수직적으로 중첩되도록, 상기 제2탄성층에 함몰되며 굴곡진 표면을 갖는 고강성 패턴을 형성하는 것;상기 제2탄성층 및 상기 고강성 패턴 상에 제3탄성층을 형성하는 것; 및상기 캐리어 기판을 분리하는 것을 포함하는 전자장치의 제조 방법
|
9 |
9
제 8 항에 있어서,상기 제1탄성층을 형성하는 것은:상기 전자소자를 덮도록 탄성 물질을 상기 희생층 상에 도포하는 것; 및상기 탄성 물질의 표면을 굴곡지게 하는 것을 포함하는 전자장치의 제조 방법
|
10 |
10
제 8 항에 있어서,상기 고강성 패턴을 형성하는 것은:상기 소자 영역 및 상기 소자 영역에 인접한 상기 배선 영역의 상기 제2탄성층의 일부분을 식각하는 것;상기 제2탄성층의 식각된 영역을 고강성 물질로 채우는 것; 및상기 고강성 물질의 표면을 굴곡지게 하는 것을 포함하는 전자장치의 제조 방법
|
11 |
11
제 8 항에 있어서,상기 제2탄성층은 감광성 탄성 물질로 이루어진 전자장치의 제조 방법
|
12 |
12
제 11 항에 있어서,상기 고강성 패턴을 형성하는 것은:상기 제2탄성층 상에, 상기 소자 영역 및 상기 소자 영역에 인접한 상기 배선 영역의 일부분에서 상기 제2탄성층을 노출하는 마스크 패턴을 형성하는 것;상기 마스크 패턴에 의해 노출된 상기 제2탄성층에 빛을 조사하는 것; 및상기 빛이 조사된 제2탄성층의 표면을 굴곡지게 하는 것을 포함하는 전자장치의 제조 방법
|
13 |
13
제 11 항에 있어서,상기 고강성 패턴을 형성하는 것은:상기 제2탄성층의 표면을 굴곡지게 하는 것;상기 제2탄성층 상에, 상기 소자 영역 및 상기 소자 영역에 인접한 상기 배선 영역의 일부분에서 상기 제2탄성층을 노출하는 마스크 패턴을 형성하는 것; 및상기 마스크 패턴에 의해 노출된 상기 제2탄성층에 빛을 조사하는 것을 포함하는 전자장치의 제조 방법
|
14 |
14
제 8 항에 있어서,상기 고강성 패턴의 폭은 상기 전자 소자의 폭보다 넓은 전자장치의 제조 방법
|
15 |
15
제 8 항에 있어서, 상기 캐리어 기판을 분리하는 것은 고주파 가열 공정, 레이저 가열 공정, 화학적 공정 또는 물리적 공정 중에서 선택된 어느 하나를 이용하는 전자장치의 제조 방법
|
16 |
16
제 8 항에 있어서, 상기 캐리어 기판을 분리한 후 노출된 상기 전자소자 및 상기 제1탄성층 상에 탄성기판을 형성하는 것을 더 포함하는 전자장치의 제조 방법
|
17 |
17
소자 영역 및 배선 영역을 포함하는 캐리어 기판을 제공하는 것;상기 캐리어 기판 상에 희생층을 형성하는 것;상기 소자 영역의 상기 희생층 상에 전자소자를 형성하는 것;상기 배선 영역의 상기 희생층 표면을 굴곡지게 하는 것;상기 배선 영역의 상기 희생층 상에 상기 전자소자를 전기적으로 연결시키는 금속 배선들을 형성하는 것;상기 희생층 상에 상기 금속 배선들을 덮는 제2탄성층을 형성하는 것;상기 전자소자 상에 상기 전자소자와 수직적으로 중첩되도록, 상기 제2탄성층에 함몰되며 굴곡진 표면을 갖는 고강성 패턴을 형성하는 것;상기 제2탄성층 및 상기 고강성 패턴 상에 제3탄성층을 형성하는 것; 및상기 캐리어 기판을 분리하는 것을 포함하는 전자장치의 제조 방법
|
18 |
18
제 17 항에 있어서,상기 고강성 패턴의 폭은 상기 전자 소자의 폭보다 넓은 전자장치의 제조 방법
|
19 |
19
제 17 항에 있어서,상기 캐리어 기판을 분리한 후 노출된 상기 전자소자 및 상기 희생층 상에 탄성기판을 형성하는 것을 더 포함하는 전자장치의 제조 방법
|