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멤리스터를 이용한 메모리 셀(MEMORY CELL USING MEMRESISTOR)

  • 기술번호 : KST2015228945
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 멤리스터를 이용한 메모리 셀에 있어서, 기판(substrate), 상기 기판상에 위치하는 탑 전극(top electrode), 상기 기판과 탑 전극 사이에 연장되는 레지스터(resister), 상기 탑 전극을 기준으로 상기 레지스터와 전압분배기 구조를 기반으로 연결되어 전극층에 인가되는 전압에 따라 저항 상태가 변경되는 멤리스터(memristor)를 포함함을 특징으로 한다.
Int. CL H01L 27/115 (2006.01)
CPC H01L 27/11507(2013.01)
출원번호/일자 1020140067522 (2014.06.03)
출원인 제주대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1577532-0000 (2015.12.08)
공개번호/일자 10-2015-0139237 (2015.12.11) 문서열기
공고번호/일자 (20151216) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.06.03)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 제주대학교 산학협력단 대한민국 제주특별자치도 제주시 제주

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 배진호 대한민국 제주특별자치도 제주시 금월길 **-
2 알리 샤우카트 독일 제주특별자치도 제주시 제주대

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인충정 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로***,*층(역삼동,성보역삼빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 제주대학교 산학협력단 대한민국 제주특별자치도 제주시 제주
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2014.06.03 수리 (Accepted) 1-1-2014-0525409-60
2 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2014.08.28 수리 (Accepted) 1-1-2014-0821820-88
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2015.02.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2015.04.10 수리 (Accepted) 9-1-2015-0025920-84
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2015.04.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0266587-06
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2015.06.22 수리 (Accepted) 1-1-2015-0603230-37
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2015.07.20 수리 (Accepted) 1-1-2015-0698534-16
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2015.08.21 수리 (Accepted) 1-1-2015-0813009-78
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.09.21 수리 (Accepted) 1-1-2015-0915594-14
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.09.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0915595-60
11 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2015.09.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0669984-15
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.10.29 수리 (Accepted) 1-1-2015-1051682-36
13 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2015.10.29 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2015-1051683-82
14 등록결정서
Decision to Grant Registration
2015.11.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0794750-37
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번호 청구항
1 1
멤리스터를 이용한 메모리 셀에 있어서,기판(substrate),상기 기판상에 위치하는 탑 전극(top electrode),상기 기판과 탑 전극 사이에 연장되는 레지스터(resister),상기 탑 전극을 기준으로 상기 레지스터와 전압분배기 구조를 기반으로 연결되어 전극층에 인가되는 전압에 따라 저항 상태가 변경되는 멤리스터(memristor)를 포함하고,상기 멤리스터는,산화지르코늄(zirconium dioxide(ZrO2))을 사용하여 제작되고,상기 레지스터는,poly(3,4-ethylenedioxythiophene):poly(styrenesulfonate)(PEDOT:PSS)를 사용하여 제작되고,상기 메모리 셀은 병렬로 각각 연결되어 메모리 어레이(memristive ROM)로 제작되고, 상기 메모리 어레이의 각 메모리 셀은 Electro Hydrodynamic(EHD) 인쇄전자 기법으로 제작되며,상기 레지스터는 여러 개의 멤리스터와 공유가능하고,상기 레지스터의 일단과 상기 멤리스터를 연결하는 상기 탑 전극은 데이터 입/출력 포트로 사용되며,상기 멤리스터에 데이터를 라이트(write)할 때 상기 레지스터의 타단은 접지에 연결되는 것을 특징으로 하는 멤리스터를 이용한 메모리 셀
2 2
삭제
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제1항에 있어서,상기 메모리 셀은 멤리스터의 저항값의 크기에 따라 전압 출력 '1' 혹은 '0'이 저장되는 멤리스터를 이용한 메모리 셀
4 4
삭제
5 5
삭제
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 KR101692752 KR 대한민국 FAMILY
2 WO2015186975 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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1 교육부 제주대학교 지역대학우수과학자지원사업 인쇄전자 기술을 이용한 멤리스터 기반 LED 발광소자의 개발