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Ge 나노 입자에 산화제를 처리하여 Ge 나노 입자 표면에 GeO2 산화물 층을 형성하고, 상기 형성된 GeO2 산화물 층을 제거하는 과정을 포함하는 Ge 나노 입자의 크기 조절 방법
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제1항에 있어서,상기 GeO2 산화물 층의 형성과 제거가 동시에 진행되는 Ge 나노 입자의 크기 조절 방법
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제1항에 있어서,상기 Ge 나노 입자의 직경이 상기 산화제의 농도에 따라 감소하는 Ge 나노 입자의 크기 조절 방법
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제1항에 있어서,상기 산화제를 탈이온수에 분산되어 있는 Ge 나노 입자에 처리하는 Ge 나노 입자의 크기 조절 방법
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제1항에 있어서,상기 산화제가 H2O2인 Ge 나노 입자의 크기 조절 방법
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제1항에 있어서,상기 GeO2 산화물 층은 Ge 나노 입자가 코어이고, GeO2 산화물 층이 셸인 코어-셸 구조로 형성되는 Ge 나노 입자의 크기 조절 방법
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제1항에 있어서,상기 GeO2 산화물 층의 제거가 물, HCl, HF 및 HBr로 이루어진 그룹에서 선택되는 어느 하나의 물질로 이루어지는 Ge 나노 입자의 크기 조절 방법
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제1항에 있어서, 상기 Ge 나노 입자의 크기 조절 방법이 Ge 나노 입자 표면을 부동태화시키는 단계를 추가로 포함하는 Ge 나노 입자의 크기 조절 방법
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제8항에 있어서, 상기 Ge 나노 입자 표면을 부동태화시키는 단계가 상기 GeO2 산화물 층의 제거와 동시에 이루어지며, 이때, 상기 GeO2 산화물 층의 제거가 HCl, HF 및 HBr로 이루어진 그룹에서 선택되는 어느 하나의 물질로 이루어지는 Ge 나노 입자의 크기 조절 방법
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제1항에 있어서,상기 Ge 나노 입자의 크기 조절 방법이 Ge 나노 입자를 5 내지 100 nm 직경의 크기로 조절하는 Ge 나노 입자의 크기 조절 방법
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제1항에 있어서,상기 산화제로 처리되기 전의 Ge 나노 입자가 GeH4 가스를 레이저 광분해(laser pyrolysis)하여 형성된, Ge 나노 입자의 크기 조절 방법
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1) GeH4 가스를 레이저 광분해(laser pyrolysis)하여 Ge 나노 입자를 형성하는 단계;2) Ge 나노 입자에 산화제를 처리하여 Ge 나노 입자 표면에 GeO2 산화물 층을 형성하는 단계; 및3) 상기 2) 단계에서 형성된 GeO2 산화물 층을 제거하는 단계를 포함하는 Ge 나노 입자의 제조 방법
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제12항에 있어서, 상기 2) 단계에서 산화제를 탈이온수에 분산되어 있는 Ge 나노 입자에 처리하는 Ge 나노 입자의 제조 방법
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제12항에 있어서, 상기 단계 2)의 Ge 나노 입자와 GeO2 산화물 층은 Ge 나노 입자가 코어이고 GeO2가 셸인 코어-셸 구조인 Ge 나노 입자의 제조 방법
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1) GeH4 가스를 레이저 광분해(laser pyrolysis)하여 Ge 나노 입자를 형성하는 단계;2) Ge 나노 입자에 산화제를 처리하여 Ge 나노 입자 표면에 GeO2 산화물 층을 형성하는 단계; 및3) 상기 2) 단계에서 형성된 GeO2 산화물 층을 제거하는 단계를 포함하는 방법에 의해 형성된 Ge 나노 입자
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제12항 내지 제14항 중 어느 한 항의 제조 방법에 따라 제조된 Ge 나노 입자를 포함하는 광전자장치
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제12항 내지 제14항 중 어느 한 항의 제조 방법에 따라 제조된 Ge 나노 입자를 포함하는 바이오센서
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