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저전압용 정전기 방전 보호소자(Electrostatic Discharge protection circuit for low-voltage)

  • 기술번호 : KST2015228953
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 의한 정전기 방전 보호소자는, 낮은 트리거 전압과 높은 감내특성을 갖는 정전기 방전 보호소자를 제공한다. 기판상에 애노드와 연결된 제1 N+영역 및 제1 P+영역을 포함하는 N웰이 형성되고, 애노드와 캐소드에 각각 연결된 제3 N+영역 및 제2 N+영역, 제2 P+영역을 포함하는 P웰이 형성되며, N웰과 P웰 사이에 N+브릿지 영역이 형성되어 있다. N+브릿지 영역과 제2 N+영역, 제2 N+영역과 제3 N+영역 사이에는 캐소드와 연결된 게이트가 NMOS 트랜지스터를 형성하여 GGNMOS 구조를 이루고 있으며, 추가로 형성된 GGNMOS를 통해 트리거 전압을 낮추고 방전경로상의 추가적인 트랜지스터를 통해 ESD에 대한 감내특성을 높인다.
Int. CL H01L 23/60 (2006.01) H01L 27/04 (2006.01)
CPC H01L 27/0262(2013.01) H01L 27/0262(2013.01)
출원번호/일자 1020140065937 (2014.05.30)
출원인 단국대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1592102-0000 (2016.01.29)
공개번호/일자 10-2015-0138938 (2015.12.11) 문서열기
공고번호/일자 (20160205) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.05.30)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 단국대학교 산학협력단 대한민국 경기도 용인시 수지구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 구용서 대한민국 서울특별시 강남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 단국대학교 산학협력단 대한민국 경기도 용인시 수지구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2014.05.30 수리 (Accepted) 1-1-2014-0514833-58
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2014.11.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2014.12.11 수리 (Accepted) 9-1-2014-0097087-31
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2015.07.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0483861-91
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2015.09.21 수리 (Accepted) 1-1-2015-0914302-32
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2015.09.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0914303-88
7 등록결정서
Decision to grant		 2016.01.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0068746-15
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.10.26 수리 (Accepted) 4-1-2020-5239146-54
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
반도체 기판;상기 반도체 기판상에 형성되는 N웰;상기 반도체 기판상에 형성되며, 상기 N웰에 접하도록 형성되는 P웰;상기 N웰에 형성되는 제1 N+영역;상기 N웰에 형성되는 제1 P+영역;상기 N웰 및 상기 P웰의 접합영역에 형성되는 N+브릿지 영역;상기 P웰에 형성되는 제2 N+영역; 상기 N+브릿지 영역과 상기 제2 N+영역 사이의 P웰 표면상에 캐소드 단자와 연결된 제1 게이트;상기 P웰에 형성되는 제2 P+영역; 상기 P웰에 형성되는 제3 N+영역; 및상기 제2 N+영역과 상기 제3 N+영역 사이의 P웰 표면상에 캐소드 단자와 연결된 제2 게이트를 포함하며,상기 제1 P+영역과 상기 N웰, 및 상기 P웰에 의해 PNP 트랜지스터가 형성되고, 상기 제1 N+영역과 상기 P웰, 및 상기 제2 N+영역에 의해 제1 NPN 트랜지스터가 형성되고, 상기 제3 N+영역과 상기 P웰, 및 상기 제2 N+영역에 의해 제2 NPN 트랜지스터가 형성되는 것을 특징으로 하는 정전기 방전 보호소자
2 2
제 1항에 있어서,상기 제1 N+영역, 제1 P+영역 및 제3 N+영역이 애노드 단자와 연결되며,상기 제2 N+영역 및 제2 P+영역이 캐소드 단자와 연결되는 것을 특징으로 하는 정전기 방전 보호소자
3 3
제 2항에 있어서,상기 제3 N+영역과 P웰 접합에서 1차 애벌런치 항복이 발생되고,상기 N+브릿지 영역과 P웰 접합에서 2차 애벌런치 항복이 발생되는 것을 특징으로 하는 정전기 방전 보호소자
4 4
삭제
5 5
제 1항에 있어서, 상기 PNP 트랜지스터와 상기 제1 NPN 트랜지스터는 SCR 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 정전기 방전 보호소자
6 6
제 1항에 있어서,상기 제1 게이트와 상기 N+브릿지 영역 및 상기 제2 N+영역을 소스와 드레인으로 하는 제1 NMOS 트랜지스터가 형성되며, 상기 제2 게이트와 상기 제2 N+영역 및 상기 제3 N+영역을 소스와 드레인으로 하는 제2 NMOS 트랜지스터가 형성되는 것을 특징으로 하는 정전기 방전 보호소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 (주)실리콘마이터스 시스템반도체상용화기술개발사업 스마트 모바일 기기용 다기능 파워 매니지먼트 IC개발