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금속부재의 표면에 도금층을 형성하는 단계; 및상기 도금층에 다이아몬드 입자를 분산하여 다이아몬드 입자층을 형성하는 단계;를 포함하는 금속부재의 표면처리방법
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제1항에 있어서,상기 도금층을 형성하는 단계는,상기 도금층의 높이가 상기 다이아몬드 입자의 입도 미만으로 형성되도록 하여, 상기 다이아몬드 입자층을 형성하는 단계에서 상기 다이아몬드 입자의 상부가 노출되도록 하는 금속부재의 표면처리방법
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제2항에 있어서,상기 다이아몬드 입자층을 형성하는 단계 이후에는,상기 다이아몬드 입자의 노출된 상부에 금속증착층을 형성하는 단계가 더 포함되는 금속부재의 표면처리방법
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제1항에 있어서,상기 도금층을 형성하는 단계는,상기 도금층의 높이가 상기 다이아몬드 입자의 입도 이상으로 형성되도록 하여, 상기 다이아몬드 입자층을 형성하는 단계에서 상기 다이아몬드 입자가 상기 도금층 내에 매립되도록 하는 금속부재의 표면처리방법
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제4항에 있어서,상기 다이아몬드 입자층을 형성하는 단계 이후에는,상기 도금층 상에 금속증착층을 형성하는 단계가 더 포함되는 금속부재의 표면처리방법
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제1항에 있어서,상기 도금층을 형성하는 단계 및 상기 다이아몬드 입자층을 형성하는 단계 사이에는,상기 도금층의 경도가 기준값 미만이 되도록 상기 도금층을 처리하는 단계가 더 포함되는 금속부재의 표면처리방법
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제6항에 있어서,상기 도금층을 처리하는 단계는,상기 도금층을 가열하는 것으로 하는 금속부재의 표면처리방법
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제1항에 있어서,상기 다이아몬드 입자층을 형성하는 단계는,상기 다이아몬드 입자가 복수의 층을 이루도록 하는 금속부재의 표면처리방법
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제8항에 있어서,상기 다이아몬드 입자층을 형성하는 단계는,복수의 층 중 서로 인접한 층에 구비된 다이아몬드 입자가 서로 엇갈리게 배열되도록 하는 금속부재의 표면처리방법
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제8항에 있어서,상기 다이아몬드 입자층을 형성하는 단계 이후에는,상기 다이아몬드 입자층을 압착하는 단계가 더 포함되는 금속부재의 표면처리방법
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몸체;상기 몸체의 표면에 형성된 도금층; 및상기 도금층에 분산된 다이아몬드 입자를 포함하는 다이아몬드 입자층;을 포함하는 금속부재
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제11항에 있어서,상기 도금층의 높이는 상기 다이아몬드 입자의 입도보다 작게 형성되어, 상기 다이아몬드 입자의 상부가 노출된 금속부재
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제12항에 있어서,상기 다이아몬드 입자의 노출된 상부에 형성된 금속증착층을 더 포함하는 금속부재
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제11항에 있어서,상기 도금층의 높이는 상기 다이아몬드 입자의 입도보다 크게 형성되어, 상기 다이아몬드 입자가 상기 도금층 내에 매립된 금속부재
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제14항에 있어서,상기 도금층 상에 형성된 금속증착층을 더 포함하는 금속부재
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제11항에 있어서,상기 다이아몬드 입자층은,상기 다이아몬드 입자가 복수의 층을 이루도록 형성된 금속부재
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제16항에 있어서,상기 복수의 층 중 서로 인접한 층에 구비된 다이아몬드 입자는 서로 엇갈리게 배열된 금속부재
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