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기판 없이 (111) 결정면으로만 배향된 수소 원자 또는 수소 이온을 함유하는 단결정 금속막
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제1항에 있어서, 상기 수소 원자 또는 수소 이온을 함유하는 단결정 금속막은 구리(Cu), 니켈(Ni), 코발트(Co), 철(Fe), 루테늄(Ru), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 금(Au), 은(Ag), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 마그네슘(Mg), 망간(Mn), 몰리브데늄(Mo), 로듐(Rh), 실리콘(Si), 탄탈륨(Ta), 티탄(Ti), 텅스텐(W), 우라늄(U), 바나듐(V), 이리듐(Ir), 및 지르코늄(Zr)로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나의 것을 특징으로 하는 수소 원자 또는 수소 이온을 함유하는 단결정 금속막
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i) 비결정질, 우선 배향성을 갖는 다결정질 또는 (111) 결정면이 아닌 단결정 금속 전구체를 준비하는 단계;ii) 상기 i) 단계의 금속 전구체를 수소분위기 하에서 900~1,600℃, 1 mtorr~300,000 torr에서 1~10시간 동안 열처리하여 (111) 결정면으로만 배향된 단결정 금속막을 형성하는 단계; 및iii) 상기 ii) 단계의 (111) 결정면으로만 배향된 단결정 금속막을 냉각하는 단계;를 포함하는 수소 원자 또는 수소 이온을 함유하는 단결정 금속막의 제조방법
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제7항에 있어서, 상기 i) 단계의 금속 전구체는 구리(Cu), 니켈(Ni), 코발트(Co), 철(Fe), 루테늄(Ru), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 금(Au), 은(Ag), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 마그네슘(Mg), 망간(Mn), 몰리브데늄(Mo), 로듐(Rh), 실리콘(Si), 탄탈륨(Ta), 티탄(Ti), 텅스텐(W), 우라늄(U), 바나듐(V), 이리듐(Ir), 및 지르코늄(Zr)로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나의 것을 특징으로 하는 수소 원자 또는 수소 이온을 함유하는 단결정 금속막의 제조방법
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제7항에 있어서, 상기 i) 단계의 금속 전구체는 구리 호일인 것을 특징으로 하는 수소 원자 또는 수소 이온을 함유하는 단결정 금속막의 제조방법
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제10항에 있어서, 상기 구리 호일의 두께가 1 ㎛~20 ㎛ 범위인 것을 특징으로 하는 수소 원자 또는 수소 이온을 함유하는 단결정 금속막의 제조방법
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제11항에 있어서, 상기 두께가 1 ㎛~20 ㎛ 범위에서 특정한 두께를 갖는 구리 호일 내에 존재하는 구리입자의 최대 크기가 그 특정한 두께를 초과하는 것을 특징으로 하는 수소 원자 또는 수소 이온을 함유하는 단결정 금속막의 제조방법
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제11항에 있어서, 상기 두께가 1 ㎛~20 ㎛ 범위의 구리 호일에 물리적 변형(deformation)을 부여하는 것을 특징으로 하는 수소 원자 또는 수소 이온을 함유하는 단결정 금속막의 제조방법
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제7항에 있어서, 상기 ii) 단계의 수소분위기는 수소 10~1,000 sccm, 또는 수소 10~1,000 sccm + 아르곤 10~1,000 sccm로 주입되는 것을 특징으로 하는 수소 원자 또는 수소 이온을 함유하는 단결정 금속막의 제조방법
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제7항에 있어서, 상기 iii) 단계의 냉각은 10~50℃/min의 냉각 속도로 서서히 수행되는 것을 특징으로 하는 수소 원자 또는 수소 이온을 함유하는 단결정 금속막의 제조방법
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제16항에 있어서, 상기 iii) 단계의 냉각은 수소를 10~1,000 sccm로 주입하면서 수행되는 것을 특징으로 하는 수소 원자 또는 수소 이온을 함유하는 단결정 금속막의 제조방법
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제1항에 따른 수소 원자 또는 수소 이온을 함유하는 단결정 금속막을 포함하는 디스플레이 구동 칩(display driver IC)
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제1항에 따른 수소 원자 또는 수소 이온을 함유하는 단결정 금속막을 포함하는 반도체 소자
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제1항에 따른 수소 원자 또는 수소 이온을 함유하는 단결정 금속막을 포함하는 리튬이차전지
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제1항에 따른 수소 원자 또는 수소 이온을 함유하는 단결정 금속막을 포함하는 연료전지
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제1항에 따른 수소 원자 또는 수소 이온을 함유하는 단결정 금속막을 포함하는 태양전지
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제1항에 따른 수소 원자 또는 수소 이온을 함유하는 단결정 금속막을 포함하는 가스 센서
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