| 1 |
1
나노 또는 마이크로 크기의 금속 입자, 금속 나노선 및 용매를 포함하는 저온소성용 전도성 잉크 조성물로,상기 저온소성용 전도성 잉크 조성물의 총 중량을 기준으로 상기 금속 입자 및 상기 금속 나노선의 혼합물은 10 내지 90 중량% 포함되며,상기 금속 나노선의 단면 직경은 10 내지 500 ㎚이며, 길이가 5 내지 100 ㎛인 것을 특징으로 하는 저온소성용 전도성 잉크 조성물
|
| 2 |
2
제1항에 있어서,상기 금속 입자 대 상기 금속 나노선의 중량비는 1 대 0
|
| 3 |
3
제1항에 있어서,상기 용매는 증류수, 에탄올, 메탄올, 2-메톡시에톡시에탄올, 2-메톡시에탄올, 2-부톡시메톡시에탄올, 이소프로판올, 이소프로필 알코올, 부탄올, 디에탄올아민(DEA), 트리에탄올아민(TEA), 에틸렌글리콜(EG), 디에틸렌글리콜(DEG), 1-메톡시프로판올, 에틸헥실 알코올, 테르피네올, 글리세린, 에틸아세테이트, 부틸아세테이트, 메톡시프로필아세테이트, 카비톨아세테이트, 에틸카비톨아세테이트, 메틸셀로솔브, 부틸셀로솔브, 디에틸에테르, 테트라히드로퓨란, 디옥산, 메틸에틸케톤, 아세톤, 디메틸포름아미드, 1-메틸-2-피롤리돈, 디메틸술폭사이드, 헥산, 헵탄, 도데칸, 파라핀 오일, 미네랄 스피릿, 벤젠, 톨루엔, 자일렌, 클로로포름, 메틸렌클로라이드, 카본테트라클로라이드 및 아세토니트릴로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 이상의 것을 특징으로 하는 저온소성용 전도성 잉크 조성물
|
| 4 |
4
제1항에 있어서,상기 금속 입자의 크기는 1 ㎚ 내지 10 ㎛인 것을 특징으로 하는 저온소성용 전도성 잉크 조성물
|
| 5 |
5
제1항에 있어서,상기 금속 입자는 Ag, Cu, Pt, Al, Ni, Pd, ITO, ZnO, Al 도핑된 ZnO이거나, Ti, V, Mn, Fe, Cr, Zr, Nb, Mo, W, Ru, Cd, Ta, Re, Os, Ir, Al, Ga, Ge, In,, Sn, Sb, Pd, Bi, Eu, Ac, 이들의 산화물 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나이고,상기 금속 나노선은 Ag, Cu, Pt, Al, Ni 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 저온소성용 전도성 잉크 조성물
|
| 6 |
6
Ⅰ) 제1항에 따른 전도성 잉크 조성물을 이용하여 기판 상에 전도성 패턴 또는 막을 형성하는 단계; 및Ⅱ) 상기 전도성 패턴 또는 막을 소성하는 단계;를 포함하는 전도성 패턴 또는 막의 제조방법
|
| 7 |
7
제6항에 있어서,상기 전도성 패턴 또는 막의 제조방법은 상기 Ⅰ) 단계 전에 상기 전도성 잉크 조성물을 초음파 분산기, 교반기, 볼밀 및 3롤밀로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나 이상의 수단으로 분산하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전도성 패턴 또는 막의 제조방법
|
| 8 |
8
제6항에 있어서,상기 Ⅰ) 단계는 스핀코팅, 롤투롤, 스프레이, 잉크젯 공정, 딥코팅, 닥터블레이드, 스크린 공정, 그라비아 공정, 롤투롤 공정, 플렉소 공정(flexography), 임프린팅, 옵셋 공정, 그라비아 옵셋 공정, 리버스 그라비아 옵셋 공정, 슬롯다이(Slot die), 볼펜(rollerball pen) 및 임프린트 공정으로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나의 것에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 전도성 패턴 또는 막의 제조방법
|
| 9 |
9
제6항에 있어서,상기 소성은 50 내지 200 ℃에서 30 내지 60 초 동안 열 소성함으로써 수행되는 것을 특징으로 하는 전도성 패턴 또는 막의 제조방법
|
| 10 |
10
제6항에 있어서,상기 소성은 제논 플래쉬 램프로부터 조사된 백색광을 이용한 광소결로 수행되고,상기 광소결의 조건은 제논 플래쉬 램프의 펄스 수가 1 내지 100이고, 강도(Intensity)가 1 내지 80 J/cm2이며, 펄스 폭(Pulse width)이 1 내지 10 ms이며, 펄스 갭(Pulse gap)이 1 내지 50 ms인 것을 특징으로 하는 전도성 패턴 또는 막의 제조방법
|
| 11 |
11
제6항에 있어서,상기 기판은 금속, 유리 기판, 실리콘 기판, 세라믹, 플라스틱 기판, 종이, 섬유 기판, 폴리에스터, 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리에스터 나프탈레이트, 폴리카보네이트, 폴리올레핀, 폴리바이닐, 폴리바이닐 클로라이드, 폴리바이닐리덴 클로라이드, 폴리바이닐 아세탈, 폴리스타이렌, 폴리아크릴레이트, 셀룰로오스 에스터 베이스, 셀룰로오스 트리아세테이트, 셀룰로오스 아세테이트, 폴리에테르설폰, 폴리설폰, 폴리이미드 및 실리콘으로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나의 것을 특징으로 하는 전도성 패턴 또는 막의 제조방법
|
| 12 |
12
삭제
|
| 13 |
13
제1항을 이용하여 제조된 나노 또는 마이크로 금속입자 및 금속 나노선을 포함하는 전도성 패턴
|
| 14 |
14
제13항에 있어서,상기 전도성 패턴은 50 내지 200 ℃에서 열 소성되거나,제논 플래쉬 램프를 이용하여 광소결되는 것을 특징으로 하는 전도성 패턴
|
| 15 |
15
제1항을 이용하여 제조된 나노 또는 마이크로 금속입자 및 금속 나노선을 포함하는 전도성 막
|
| 16 |
16
제15항에 있어서,상기 전도성 막은 50 내지 200 ℃에서 열 소성되거나,제논 플래쉬 램프를 이용하여 광소결되는 것을 특징으로 하는 전도성 막
|
