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입력 노드들(input nodes);출력 노드들(output nodes); 및상기 입력 노드들 및 상기 출력 노드들 사이에 배치되고 기판을 관통하는 관통 전극들(penetration electrodes)을 포함하되, 상기 관통 전극들은, 상기 입력 노드들 및 상기 출력 노드들과 연결되어 입출력 신호를 전송하는 메인 관통 전극들(main penetration electrodes), 및 스페어 관통 전극(spare penetration electrode)을 포함하고,서로 인접한 상기 메인 관통 전극들은 하나의 그룹(group)을 구성하고, 상기 그룹은 제1 그룹 및 제2 그룹을 포함하고,상기 제1 그룹 및 제2 그룹 사이에 상기 스페어 관통 전극이 배치되고,상기 제1 그룹 및 상기 제2 그룹에 대응되는 상기 입력 노드들 및 상기 출력 노드들은 상기 스페어 관통 전극과 연결되어, 상기 제1 및 상기 제2 그룹의 상기 메인 관통 전극에 불량이 발생한 경우, 상기 스페어 관통 전극은, 상기 불량이 발생한 상기 제1 및 제2 그룹의 상기 메인 관통 전극을 대체하여 상기 입출력 신호를 전송하는 것을 포함하고, 상기 제1 그룹에 대응되는 상기 입력 노드들 또는 상기 제1 그룹에 대응되는 상기 출력 노드들 중에서 적어도 어느 하나는, 상기 제1 그룹에 포함된 상기 메인 관통 전극, 상기 제1 그룹에 인접한 상기 스페어 관통 전극, 및 상기 제1 그룹에 인접한 상기 제2 그룹에 포함된 상기 메인 관통 전극과 연결되는 것을 포함하는 리페어 가능한 관통 전극을 갖는 반도체 장치
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제1 항에 있어서, 상기 제1 그룹의 양측에 상기 스페어 관통 전극이 각각 제공되고, 상기 제1 그룹에 대응되는 상기 입력 노드들 중에서 적어도 2개는 상기 제1 그룹 양측의 상기 스페어 관통 전극들과 연결되고, 상기 제1 그룹에 대응되는 상기 출력 노드들 중에서 적어도 2개는 상기 제1 그룹 양측의 상기 스페어 관통 전극들과 연결되는 것을 포함하는 리페어 가능한 관통 전극을 갖는 반도체 장치
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제2 항에 있어서, 상기 제1 그룹에 대응되는 상기 입력 노드들 또는 상기 출력 노드들 중에서 적어도 1개는 상기 스페어 관통 전극들과 전기적으로 연결되지 않는(disconnected) 것을 포함하는 리페어 가능한 관통 전극을 갖는 반도체 장치
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제1 항에 있어서, 상기 제1 그룹의 상기 메인 관통 전극에 불량이 발생한 경우, 상기 스페어 관통 전극 또는 상기 어느 하나의 노드와 연결된 상기 제2 그룹의 상기 메인 관통 전극은, 상기 불량이 발생한 상기 제1 그룹의 상기 메인 관통 전극을 대체하여, 상기 입출력 신호를 전송하는 것을 포함하는 리페어 가능한 관통 전극을 갖는 반도체 장치
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제4 항에 있어서, 상기 제2 그룹은, 상기 기판의 상부면과 평행하되 상기 제1 그룹에 포함된 상기 메인 관통 전극들이 배열된 방향과 직각인 방향으로, 상기 제1 그룹에 인접한 것을 포함하는 리페어 가능한 관통 전극을 갖는 반도체 장치
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제1 항에 있어서, 상기 입력 노드들 및 상기 출력 노드들은, 상기 메인 관통 전극들의 개수와 동일한 개수로 제공되는 것을 포함하는 리페어 가능한 관통 전극을 갖는 반도체 장치
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제1 항에 있어서, 상기 입력 노드들 및 상기 출력 노드들은, 동일한 개수의 상기 관통 전극들과 연결되는 것을 포함하는 리페어 가능한 관통 전극을 갖는 반도체 장치
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제7 항에 있어서, 각각의 상기 입력 노드들과 연결된 상기 메인 관통 전극의 개수는 서로 다른 것을 포함하고, 각각의 상기 입력 노드들과 연결된 상기 스페어 관통 전극의 개수는 서로 다른 것을 포함하는 리페어 가능한 관통 전극을 갖는 반도체 장치
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제7 항에 있어서, 각각의 상기 출력 노드들과 연결된 상기 메인 관통 전극의 개수는 서로 다른 것을 포함하고, 각각의 상기 출력 노드들과 연결된 상기 스페어 관통 전극의 개수는 서로 다른 것을 포함하는 리페어 가능한 관통 전극을 갖는 반도체 장치
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제7 항에 있어서, 상기 입력 노드들 및 상기 출력 노드들과 연결된 상기 메인 관통 전극의 개수는, 상기 입력 노드들 및 상기 출력 노드들과 연결된 상기 스페어 관통 전극의 개수보다 많은 것을 포함하는 리페어 가능한 관통 전극을 갖는 반도체 장치
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제1 항에 있어서, 상기 스페어 관통 전극은 상기 제1 그룹의 양측에 각각 제공되고, 상기 제1 그룹에 대응되는 상기 입력 노드들 및 상기 출력 노드들은, 상기 제1 그룹의 하나의 상기 메인 관통 전극, 및 상기 제1 그룹 양측의 상기 스페어 관통 전극들과 연결되어, 상기 제1 그룹의 상기 메인 관통 전극에 불량이 발생한 경우, 상기 제1 그룹 양측의 상기 스페어 관통 전극들 중 어느 하나는, 상기 불량이 발생한 상기 메인 관통 전극을 대체하여 상기 입출력 신호를 전달하는 것을 포함하는 리페어 가능한 관통 전극을 갖는 반도체 장치
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제1 항에 있어서,상기 제2 그룹을 사이에 두고, 상기 제1 그룹과 이격된 제3 그룹이 제공되고,상기 스페어 관통 전극은, 상기 제2 그룹과 인접한 상기 제3 그룹의 일측에 제공되고 제1 스페어 관통 전극, 및 상기 제3 그룹의 타측에 제공되는 제2 스페어 관통 전극을 포함하고,상기 제3 그룹에 대응되는 상기 입력 노드들 및 상기 출력 노드들은 상기 제1 및 제2 스페어 관통 전극들과 연결되어, 상기 제3 그룹의 상기 메인 관통 전극에 불량이 발생한 경우, 상기 제1 및 제2 스페어 관통 전극들 중에서 어느 하나는, 상기 불량이 발생한 상기 제3 그룹의 상기 메인 관통 전극을 대체하여 상기 입출력 신호를 전송하는 것을 포함하는 리페어 가능한 관통 전극을 갖는 반도체 장치
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제12 항에 있어서, 상기 제1 그룹에 대응되는 상기 입력 노드들 및 상기 출력 노드들 중에서 적어도 어느 하나는 상기 제2 스페어 관통 전극과 연결되어, 상기 제1 그룹에 포함된 상기 메인 관통 전극에 불량이 발생한 경우, 상기 제2 스페어 관통 전극은, 상기 불량이 발생한 상기 제1 그룹의 상기 메인 관통 전극을 대체하여 상기 입출력 신호를 전송하는 것을 포함하는 리페어 가능한 관통 전극을 갖는 반도체 장치
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제12 항에 있어서, 상기 제1 그룹에 대응되는 상기 입력 노드들 및 상기 출력 노드들 중에서 적어도 어느 하나는 상기 제3 그룹의 상기 메인 관통 전극과 연결되어, 상기 제1 그룹의 상기 메인 관통 전극에 불량이 발생한 경우, 상기 제3 그룹의 상기 메인 관통 전극은, 상기 불량이 발생한 상기 제1 그룹의 상기 메인 관통 전극을 대체하여 상기 입출력 신호를 전송하는 것을 포함하는 리페어 가능한 관통 전극을 갖는 반도체 장치
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제1 항에 있어서, 상기 입력 노드들 및 상기 출력 노드들은, 멀티플렉서(multiplexer)나 디멀티플렉서(demultiplexer)중 어느 하나 또는 둘다를 포함하는 리페어 가능한 관통 전극을 갖는 반도체 장치
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기판을 관통하는 메인 관통 전극을 포함하고, 서로 이격된 제1 및 제2 신호 전달 영역(signal transfer regions); 및상기 기판을 관통하는 스페어 관통 전극을 포함하고, 상기 제1 및 제2 신호 전달 영역들 사이에 배치된 복구 영역(repairable region)을 포함하되, 상기 제1 및 제2 신호 전달 영역은 상기 복구 영역을 서로 공유하고, 상기 제1 신호 전달 영역 및 상기 제2 신호 전달 영역은 서로의 상기 메인 관통 전극을 공유하여, 불량이 발생한 상기 제1 신호 전달 영역의 상기 메인 관통 전극이 상기 복구 영역의 상기 스페어 관통 전극 또는 상기 제2 신호 전달 영역의 상기 메인 관통 전극 중 어느 하나로 대체 가능하도록 구성된 것을 포함하는 리페어 가능한 관통 전극을 갖는 반도체 장치
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제20 항에 있어서, 상기 복구 영역은, 상기 제1 신호 전달 영역의 일측에 배치된 제1 복구 영역 및 상기 제1 신호 전달 영역의 타측에 배치된 제2 복구 영역을 포함하고, 상기 제1 신호 전달 영역은 복수의 상기 메인 관통 전극들을 포함하고, 상기 제1 신호 전달 영역의 상기 메인 관통 전극들에 불량이 발생한 경우, 상기 제1 및 제2 복구 영역의 상기 스페어 관통 전극들이, 상기 불량이 발생한 상기 제1 신호 전달 영역의 상기 메인 관통 전극들을 대체하는 것을 포함하는 리페어 가능한 관통 전극을 갖는 반도체 장치
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제20 항에 있어서, 상기 제1 신호 전달 영역 및 상기 제2 신호 전달 영역은 복수의 상기 메인 관통 전극들을 포함하되, 상기 제1 신호 전달 영역의 상기 메인 관통 전극들의 개수는 상기 제2 신호 전달 영역의 상기 메인 관통 전극들의 개수와 서로 동일한 것을 포함하는 리페어 가능한 관통 전극을 갖는 반도체 장치
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제22 항에 있어서, 상기 복구 영역은 복수의 상기 스페어 관통 전극을 포함하는 리페어 가능한 관통 전극을 갖는 반도체 장치
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제23 항에 있어서, 상기 복구 영역의 상기 스페어 관통 전극의 개수는, 상기 제1 및 제2 신호 전달 영역의 상기 메인 관통 전극의 개수보다 적은 것을 포함하는 리페어 가능한 관통 전극을 갖는 반도체 장치
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