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도파로(waveguide)에 배치된, 일정 주기 및 깊이를 갖도록 형성된 격자를 포함하는 광 격자 커플러에 있어서,상기 광 격자 커플러의 내부 또는 외부에 포함되는 상기 광 격자 커플러의 유효굴절률을 변화시키는 영역에는 상기 광 격자 커플러의 유효굴절률을 변화시키기 위한 신호가 인가되고, 상기 광 격자 커플러는 상기 광 격자 커플러의 유효굴절률을 변화시키는 영역에 인가되는 신호에 의해 상기 광 격자 커플러의 유효굴절률이 변화됨에 기초하여, 상기 광 격자 커플러로 입사되는 수직 성분의 광 신호를 상기 광 격자 커플러의 최대 효율의 중심파장을 갖는 수평 성분의 광 신호로 변화시켜 상기 도파로에 진행시키고, 상기 광 격자 커플러의 최대 효율을 갖는 중심파장은 상기 광 격자 커플러의 유효굴절률이 변화함에 응답하여 변조되는 광 격자 커플러
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제1항에 있어서,상기 광 격자 커플러는 최대 효율을 갖는 중심파장을 선택적으로 변조하는 광 스위치에 이용되는 광 격자 커플러
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제1항에 있어서,상기 광 격자 커플러는최대 효율을 갖는 중심파장을 변조하거나, 선택하는 광 필터에 이용되는 광 격자 커플러
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제1항에 있어서,상기 광 격자 커플러는 특정 파장에 대한 커플링의 효율을 변화시키는 광 신호 변조기에 이용되는 광 격자 커플러
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제1항에 있어서,상기 광 격자 커플러의 유효굴절률은 상기 광 격자 커플러의 유효굴절률을 변화시키는 영역에 열 신호가 인가됨으로써, 열 광학 효과(thermo-optic effect)에 의해 변화되는 광 격자 커플러
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제6항에 있어서,상기 광 격자 커플러의 유효굴절률을 변화시키는 영역은 상기 열 광학 효과를 이용하기 위해, 일정 기준치 이상의 열 광학 계수를 갖는 물질 또는 반도체 물질 중 적어도 어느 하나를 기반으로 형성되는 광 격자 커플러
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제6항에 있어서,상기 광 격자 커플러의 유효굴절률을 변화시키는 영역은 상기 열 광학 효과를 이용하기 위해, 실리콘 포토닉스(silicon photonics)를 기반으로 형성되고,상기 광 격자 커플러의 유효굴절률은 상기 광 격자 커플러의 유효굴절률을 변화시키는 영역에 불순물이 주입되는 경우, PN 접합 또는 P-i-N 접합에서의 바이어스(bias)에 따른 줄열(joule heating)에 의해 변화되는 광 격자 커플러
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제1항에 있어서,상기 광 격자 커플러의 유효굴절률은 상기 광 격자 커플러의 유효굴절률을 변화시키는 영역에 전기 신호가 인가됨으로써, 전기 광학 효과(electro-optic effect)에 의해 변화되는 광 격자 커플러
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제9항에 있어서,상기 광 격자 커플러의 유효굴절률을 변화시키는 영역은 상기 전기 광학 효과를 이용하기 위해, 일정 기준치 이상의 전기 광학 계수를 갖는 물질 또는 반도체 물질 중 적어도 어느 하나를 기반으로 형성되는 광 격자 커플러
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제9항에 있어서,상기 광 격자 커플러의 유효굴절률을 변화시키는 영역은 상기 전기 광학 효과를 이용하기 위해 실리콘 포토닉스(silicon photonics)를 기반으로 형성되고, 상기 광 격자 커플러의 유효굴절률은 상기 광 격자 커플러의 유효굴절률을 변화시키는 영역에 불순물이 주입되는 경우, PN 접합 또는 P-i-N 접합에서의 캐리어 플라즈마 분산 효과(carrier plasma dispersion effect)에 의해 변화되는 광 격자 커플러
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제1항에 있어서,상기 광 격자 커플러의 유효굴절률은 상기 광 격자 커플러의 유효굴절률을 변화시키는 영역에 음향 신호가 인가됨으로써, 음향 광학 효과(acousto-optic effect)에 의해 변화되는 광 격자 커플러
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