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박막 트랜지스터, 그 제조 방법 및 이를 포함하는 디스플레이 장치(Thin film transistor, method of fabricating the same, and display device having the same)

  • 기술번호 : KST2015229174
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 박막 트랜지스터, 그 제조 방법 및 이를 포함하는 디스플레이 장치에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따른 박막 트랜지스터는 반도체 채널층 및 게이트 구조를 갖는 박막 트랜지스터로서, 상기 반도체 채널층에 In2O3를 포함하는 활성층; 및 상기 In2O3의 산소 공핍 제어를 통한 이동도 향상을 위해 상기 활성층을 결정화시키는 리튬(Li) 금속을 포함하되, 상기 활성층 내에서 상기 게이트 구조에 중첩하는 상기 반도체 채널층에 상기 리튬 금속이 도핑되며, 상기 활성층 내의 인듐(In)과 상기 리튬의 총 몰수에 대한 상기 리튬의 몰비는 0.01 % 내지 20 %의 범위 내인 것을 특징으로 한다.
Int. CL H01L 29/786 (2006.01) H01L 21/336 (2006.01)
CPC H01L 29/78696(2013.01)
출원번호/일자 1020140071147 (2014.06.12)
출원인 인하대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1657345-0000 (2016.09.07)
공개번호/일자 10-2015-0142397 (2015.12.22) 문서열기
공고번호/일자 (20160930) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.06.12)
심사청구항수 14

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 인하대학교 산학협력단 대한민국 인천광역시 미추홀구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최리노 대한민국 서울특별시 마포구
2 정재경 대한민국 서울특별시 강서구
3 응웬만끄엉 베트남 인천광역시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김권석 대한민국 서울특별시 서초구 논현로**, B동 *층(양재동, 삼호물산빌딩)(아이피맥스특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 인하대학교 산학협력단 대한민국 인천광역시 미추홀구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2014.06.12 수리 (Accepted) 1-1-2014-0547551-40
2 보정요구서
Request for Amendment		 2014.06.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2014-0103936-16
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2014.07.15 수리 (Accepted) 1-1-2014-0663751-63
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2015.04.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2015.06.10 수리 (Accepted) 9-1-2015-0040635-73
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.07.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5098802-16
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2015.07.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0503776-77
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2015.09.30 수리 (Accepted) 1-1-2015-0943623-52
9 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2015.10.28 수리 (Accepted) 1-1-2015-1049915-87
10 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2015.11.30 수리 (Accepted) 1-1-2015-1168920-18
11 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2015.12.28 수리 (Accepted) 1-1-2015-1275414-15
12 지정기간연장 관련 안내서
Notification for Extension of Designated Period		 2016.01.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2016-0001221-01
13 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.01.28 수리 (Accepted) 1-1-2016-0096631-17
14 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2016.01.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0096638-36
15 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2016.06.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0419530-94
16 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2016.08.04 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0760318-84
17 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.08.04 수리 (Accepted) 1-1-2016-0760317-38
18 등록결정서
Decision to grant		 2016.09.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0633118-50
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.09.05 수리 (Accepted) 4-1-2016-5127132-49
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2018-5036549-31
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266647-91
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
활성층 및 게이트 구조를 갖는 박막 트랜지스터로서, 상기 활성층은 In2O3 및 리튬(Li) 금속을 포함하고,상기 리튬(Li) 금속은 상기 활성층의 상기 게이트 구조와 중첩하는 영역에 도핑되어, 상기 In2O3의 결정성을 향상시키고 산소 공핍 결함을 억제하며,상기 활성층 내의 인듐(In)과 상기 리튬(Li)의 총 몰수에 대한 상기 리튬(Li)의 몰비는 0
2 2
삭제
3 3
제 1 항에 있어서,상기 활성층 내의 상기 인듐(In)과 상기 리튬(Li)의 총 몰수에 대한 상기 리튬(Li)의 몰비는 10 % 내지 20 %의 범위 내인 박막 트랜지스터
4 4
제 1 항에 있어서,상기 박막 트랜지스터는 N 형 증가형으로 구동되는 박막 트랜지스터
5 5
청구항 1의 박막 트랜지스터를 제조하는 방법으로서,기판을 제공하는 단계;용매 내에 리튬 전구체 및 인듐 전구체를 함유하는 혼합 용액을 제공하는 단계; 및상기 혼합 용액을 상기 기판 상에 코팅하여 상기 활성층을 제조하는 단계를 포함하는 박막 트랜지스터의 제조 방법
6 6
제 5 항에 있어서, 상기 혼합 용액의 상기 용매는, 클로로폼, N-메틸피롤리돈, 아세톤, 시클로펜탄온, 시클로헥산온, 메틸에틸케톤, 에틸셀로솔브아세테이트, 부틸아세테이트, 에틸렌글리콜, 크실렌, 테트라하이드로퓨란, 디메틸포름아미드, 클로로벤젠, 메탄올, 에탄올, 이소프로판올, 테트라히드로푸르푸릴 알코올, 부탄올, 부틸 아세테이트, 메톡시에탄올, 1-메톡시-2-프로판올, 톨루엔, 디메틸아세트아미드(DMAc), 디메틸포름아미드(DMF), N-메틸-2-피롤리돈(NMP), 에틸아세테이트 및 아세토니트릴로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나 또는 2 이상의 혼합물을 포함하는 박막 트랜지스터의 제조 방법
7 7
제 5 항에 있어서, 상기 리튬 전구체는 리튬 질산염(Lithium nitrate), 리튬 수산화염(Lithium hydrate), 또는 리튬질산수산화염(Lithium nitrate hydrate)을 포함하는 박막 트랜지스터의 제조 방법
8 8
제 5 항에 있어서, 상기 인듐 전구체는 인듐 질산염(Indium nitrate), 인듐수산화염(Indium hydrate) 또는 인듐질산수산화염(Indium nitrate hydrate; In(NO3)3
9 9
제 5 항에 있어서, 상기 코팅하는 단계는, 드롭 캐스팅법, 스핀 코팅법, 블레이드법, 잉크젯 프린팅법, 스프레이 분사법, 스크린 인쇄법, 그라비아법, 레이저 프린팅법, 임프린트법, 나노임프린트법, 나노트랜스퍼법, 오프셋법, 솔겔법, 또는 딥핑법으로 수행되는 박막 트랜지스터의 제조 방법
10 10
제 5 항에 있어서, 상기 활성층을 200 ℃ 내지 300 ℃의 온도 범위 내에서 열처리하는 단계를 더 포함하는 박막 트랜지스터의 제조 방법
11 11
삭제
12 12
제 5 항에 있어서,상기 혼합 용액 내의 상기 인듐(In)과 상기 리튬(Li)의 총 몰수에 대한 상기 리튬의 몰비는 10 % 내지 20 %의 범위 내인 박막 트랜지스터의 제조 방법
13 13
기판; 및 상기 기판 상에 형성되고 복수의 화소들에 대응되도록 어레이 형태로 배치되는 복수의 스위칭 소자를 포함하는 디스플레이 장치로서,상기 스위칭 소자는, In2O3 및 도핑된 리튬(Li) 금속을 포함하는 활성층;상기 활성층 상에 배치되는 게이트 절연막을 사이에 두고 상기 활성층의 일부와 중첩되는 게이트 도전막; 및상기 게이트 도전막에 의해 이격된 상기 활성층의 양 측부에 형성된 소오스 및 드레인 영역을 포함하고,상기 In2O3의 결정성을 향상시키고 산소 공핍 결함을 억제하기 위해, 상기 활성층의 상기 게이트 도전막과 중첩하는 영역에 상기 리튬(Li) 금속이 도핑되며,상기 활성층 내의 인듐(In)과 상기 리튬(Li)의 총 몰수에 대한 상기 리튬(Li)의 몰비는 0
14 14
삭제
15 15
제 13 항에 있어서,상기 활성층 내의 상기 인듐(In)과 상기 리튬(Li)의 총 몰수에 대한 상기 리튬의 몰비는 10 % 내지 20 %의 범위 내인 디스플레이 장치
16 16
제 13 항에 있어서,상기 스위칭 소자는 N 형 증가형으로 구동되는 디스플레이 장치
17 17
제 13 항에 있어서, 상기 기판은, 유리 또는 가요성의 수지계 재료를 포함하는 디스플레이 장치
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.