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그래핀 나노리본의 제조방법 및 이에 의해 제조된 나노리본을 포함하는 센서(Method of preparing Graphene Nanoribbon Arrays and Sensor comprising the same)

  • 기술번호 : KST2015229195
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 크롬층을 레지스트층과 그래핀층 사이에 삽입시켜 잔류층이 남지 않는 대면적의 그래핀 나노리본의 제조방법과 이를 포함하는 수소 센서에 관한 것이다. 본 발명은 그래핀과 포토레지스트 사이에 크롬층을 삽입하여 잔류층 문제를 해결할 수 있다. 본 발명의 그래핀 나노 리본은 100~200nm 사이즈로 구현할 수 있으며, 또한, 대면적으로 나노 패턴을 저비용, 단시간 공정으로 구현할 수 있다. 본 발명에서 제조된 그래핀 나노 리본을 구비하는 센서는 그래핀 표면에 레지스트 등 이물질이 없어 정확성을 높일 수 있으며, 나노 사이즈의 두께와 폭을 가지는 그래핀 리본을 센서의 기반층으로 사용할 수 있어 감도, 반응속도, 반복성 및 복원성이 우수한 센서를 제공할 수 있다.
Int. CL G03F 7/00 (2006.01) G01N 27/30 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020140070750 (2014.06.11)
출원인 광주과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2015-0142269 (2015.12.22) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.09.05)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박유신 대한민국 광주광역시 북구
2 정건영 대한민국 광주광역시 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2014.06.11 수리 (Accepted) 1-1-2014-0545127-58
2 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2015.10.21 수리 (Accepted) 1-1-2015-1019593-20
3 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2016.09.05 수리 (Accepted) 1-1-2016-0861404-04
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2017.03.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2017.07.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2017-0109416-62
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2017.08.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0542242-36
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2017.10.11 수리 (Accepted) 1-1-2017-0979285-79
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2017.10.11 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0979286-14
9 등록결정서
Decision to grant		 2018.02.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0097535-26
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
그래핀층 상에 크롬층과 레지스트층을 순차로 형성하는 단계 ; 및 상기 레지스트층과 크롬층에 패턴을 형성한 후 상기 패턴을 마스크로 그래핀 패턴을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 그래핀층은 나노리본의 형상을 가지며, 상기 그래핀층과 상기 크롬층은 100nm 내지 200nm의 나노사이즈의 폭을 가지고,상기 크롬층은 두께 10nm 내지 20nm를 가지는 그래핀 나노리본을 센서의 기반층으로 사용하는 것인 그래핀 나노리본을 제조하는 방법
2 2
제 1항에 있어서, 상기 그래핀 패턴을 형성하는 단계는 상기 레지스트층을 마스크로 크롬 패턴을 형성하는 단계 ; 및 크롬 패턴을 마스크로 그래핀을 에칭하는 단계를 포함하는 그래핀 나노리본을 제조하는 방법
3 3
제 2항에 있어서, 상기 크롬 패턴을 형성하는 단계는 상기 레지스트층 패턴을 형성하는 단계 ; 및 상기 레지스트층 패턴을 마스크로 사용하여 상기 크롬층을 에칭하여 크롬 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 그래핀 나노리본을 제조하는 방법
4 4
제 3항에 있어서, 상기 방법은 레이저 간섭 리소그래피를 사용하여 상기 레지스트층 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 그래핀 나노리본을 제조하는 방법
5 5
제 3항에 있어서, 상기 방법은 상기 크롬층을 습식 에칭하는 것을 특징으로 하는 그래핀 나노리본을 제조하는 방법
6 6
제 3항에 있어서, 상기 그래핀 패턴을 형성하는 단계는 상기 레지스트층 패턴을 제거하는 단계 ; 크롬 패턴을 마스크로 사용하여 그래핀을 에칭하여 그래핀 패턴을 형성하는 단계 ; 및 상기 크롬 패턴을 제거하는 단계를 포함하는 그래핀 나노리본을 제조하는 방법
7 7
삭제
8 8
삭제
9 9
제 1항 내지 제 6항 중 어느 한 항에 의한 그래핀 나노리본을 포함하는 센서
10 10
제 9항에 있어서, 상기 센서는 상기 그래핀 나노리본 상에 순차로 형성된 촉매층 및 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 센서
11 11
제 10항에 있어서, 상기 촉매층은 팔라듐 또는 백금인 것을 특징으로 하는 센서
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US09606095 US 미국 FAMILY
2 US20150362470 US 미국 FAMILY

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2015362470 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US9606095 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.