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광을 생성하는 광원부; 및복수의 픽셀들 각각에 대응되어 형성된 스위칭 박막트랜지스터와, 상기 스위칭 박막트랜지스터와 연결되고, 상기 광원부로부터 생성되어 대상 객체로부터 반사된 광을 감지하여 광반응성을 증폭하며, 상기 감지된 광의 흡수 정도에 따라 상기 대상 객체의 터치 여부에 대한 온/오프 상태를 출력하는 광반응성 센서를 포함하는 기판을 포함하고,상기 광반응성 센서는국부적 게이트 전극, 소스 전극, 드레인 전극, 및 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 사이에 채널이 형성되도록 하며, 상기 게이트 전극과 중첩되지 않은 비오버랩 영역을 포함하는 채널 영역을 포함하는 하나 이상의 광증폭 포토 트랜지스터를 포함하고,상기 비오버랩 영역은 광전도성을 증폭시키는 포토 컨덕터(photo conductor)로 동작하는광반응성 센서 기반의 터치 디스플레이 패널
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제1항에 있어서,상기 하나 이상의 광증폭 포토 트랜지스터는능동형 매트릭스 형태로 배열되는 것을 특징으로 하는 광반응성 센서 기반의 터치 디스플레이 패널
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제1항에 있어서,상기 비오버랩 영역은 상기 소스 전극 및 드레인 전극의 양 측면 방향에 각각 형성되거나, 상기 소스 전극 및 드레인 전극 중 어느 한 측면 방향에 형성되는 것을 특징으로 하는 광반응성 센서 기반의 터치 디스플레이 패널
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광을 생성하는 광원부; 및복수의 픽셀들 각각에 대응되어 형성된 스위칭 박막트랜지스터와, 상기 스위칭 박막트랜지스터와 연결되고, 상기 광원부로부터 생성되어 지문으로부터 반사된 광을 감지하여 광반응성을 증폭하며, 상기 감지된 광의 흡수 정도에 따라 상기 지문 형태에 대응하는 온/오프(on/off) 상태를 출력하는 광반응성 센서를 포함하는 기판을 포함하고,상기 광반응성 센서는 국부적 게이트 전극, 소스 전극, 드레인 전극, 및 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 사이에 채널이 형성되도록 하며, 상기 게이트 전극과 중첩되지 않은 비오버랩 영역을 포함하는 채널 영역을 포함하는 하나 이상의 광증폭 포토 트랜지스터를 포함하고,상기 비오버랩 영역은 광전도성을 증폭시키는 포토 컨덕터(photo conductor)로 동작하는광반응성 센서 기반의 터치 디스플레이 패널
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광을 생성하는 물체; 및복수의 픽셀들 각각에 대응되어 형성된 스위칭 박막트랜지스터와, 상기 스위칭 박막트랜지스터와 연결되고, 상기 물체로부터 생성된 광을 감지하여 광반응성을 증폭하며, 상기 감지된 광의 흡수 정도에 따라 상기 물체의 조사 여부에 대한 온/오프 상태를 출력하는 광반응성 센서를 포함하는 기판을 포함하고,상기 광반응성 센서는국부적 게이트 전극, 소스 전극, 드레인 전극, 및 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 사이에 채널이 형성되도록 하며, 상기 게이트 전극과 중첩되지 않은 비오버랩 영역을 포함하는 채널 영역을 포함하는 하나 이상의 광증폭 포토 트랜지스터를 포함하고,상기 비오버랩 영역은 광전도성을 증폭시키는 포토 컨덕터(photo conductor)로 동작하는광반응성 센서 기반의 터치 디스플레이 패널
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복수의 픽셀들 각각에 대응되어 형성된 스위칭 박막트랜지스터와 연결되고, 광원부로부터 생성되어 대상 객체로부터 반사된 광을 감지하여 광반응성을 증폭하며, 상기 감지된 광의 흡수 정도에 따라 상기 대상 객체의 터치 여부에 대한 온/오프 상태를 출력하고, 국부적 게이트 전극, 소스 전극, 드레인 전극, 및 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 사이에 채널이 형성되도록 하며, 상기 게이트 전극과 중첩되지 않은 비오버랩 영역을 포함하는 채널 영역을 포함하는 하나 이상의 광증폭 포토 트랜지스터를 포함하고,상기 비오버랩 영역은 광전도성을 증폭시키는 포토 컨덕터(photo conductor)로 동작하는 광반응성 센서
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복수의 픽셀들 각각에 대응되어 형성된 스위칭 박막트랜지스터와 연결되고, 광원부로부터 생성되어 지문으로부터 반사된 광을 감지하여 광반응성을 증폭하며, 상기 감지된 광의 흡수 정도에 따라 상기 지문 형태에 대응하는 온/오프 상태를 출력하고, 국부적 게이트 전극, 소스 전극, 드레인 전극, 및 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 사이에 채널이 형성되도록 하며, 상기 게이트 전극과 중첩되지 않은 비오버랩 영역을 포함하는 채널 영역을 포함하는 하나 이상의 광증폭 포토 트랜지스터를 포함하고,상기 비오버랩 영역은 광전도성을 증폭시키는 포토 컨덕터(photo conductor)로 동작하는 광반응성 센서
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복수의 픽셀들 각각에 대응되어 형성된 스위칭 박막트랜지스터와 연결되고, 물체로부터 생성된 광을 감지하여 광반응성을 증폭하며, 상기 감지된 광의 흡수 정도에 따라 상기 물체의 조사 여부에 대한 온/오프 상태를 출력하고, 국부적 게이트 전극, 소스 전극, 드레인 전극, 및 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 사이에 채널이 형성되도록 하며, 상기 게이트 전극과 중첩되지 않은 비오버랩 영역을 포함하는 채널 영역을 포함하는 하나 이상의 광증폭 포토 트랜지스터를 포함하고,상기 비오버랩 영역은 광전도성을 증폭시키는 포토 컨덕터(photo conductor)로 동작하는 광반응성 센서
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