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N-도핑된 그래핀 양자 시트를 포함하는 수소-생성 반응용 촉매(CATALYST FOR HYDROGEN EVOLUTION REACTION INCLUDING N-DOPED GRAPHENE QUANTUM SHEET)

  • 기술번호 : KST2015230820
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 화학기상증착법에 의하여 금속 촉매층 상에서 형성된 단층 그래핀에 질소 플라즈마를 인가함으로써 형성되는 상기 N-도핑된 그래핀 양자 시트를 포함하는 수소-생성 반응용 촉매를 제공한다.
Int. CL B01J 27/20 (2006.01) B01J 37/02 (2006.01) C01B 3/40 (2006.01) B01J 21/06 (2006.01)
CPC B01J 21/18(2013.01) B01J 21/18(2013.01) B01J 21/18(2013.01) B01J 21/18(2013.01)
출원번호/일자 1020140072257 (2014.06.13)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1598017-0000 (2016.02.22)
공개번호/일자 10-2015-0143133 (2015.12.23) 문서열기
공고번호/일자 (20160229) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.06.13)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 홍병희 대한민국 경기도 수원시 장안구
2 남기태 대한민국 서울특별시 강남구
3 문준희 대한민국 부산광역시 해운대구
4 심욱 대한민국 경기도 성남시 분당구
5 안중현 대한민국 부산광역시 해운대구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인엠에이피에스 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 **, *층 (역삼동, 한동빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2014.06.13 수리 (Accepted) 1-1-2014-0554808-43
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2014.11.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2014.12.11 수리 (Accepted) 9-1-2014-0097897-07
4 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2015.02.26 수리 (Accepted) 1-1-2015-0190038-01
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2015.07.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0470187-21
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2015.09.10 수리 (Accepted) 1-1-2015-0882265-45
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2015.09.10 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0882266-91
10 등록결정서
Decision to grant		 2016.01.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0061715-92
11 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2016.02.15 수리 (Accepted) 1-1-2016-0145445-60
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2020-5265458-48
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번호 청구항
1 1
화학기상증착법에 의하여 금속 촉매층 상에서 형성된 단층 그래핀에 질소 플라즈마를 인가함으로써 형성되는 N-도핑된 원자-두께의 그래핀 양자점을 포함하는, 수소-생성 반응용 촉매로서,상기 N-도핑된 원자-두께의 그래핀 양자점은, 상기 질소 플라즈마 처리에 의해 증가된 결함(defect) 부위와 증가된 N-도핑양을 함유하는 것이고,상기 N-도핑된 원자-두께의 그래핀 양자점은, 광촉매로서 광전기화학 또는 전기화학을 통한 수소-생성 반응에 대한 활성을 가지는 것인,수소-생성 반응용 촉매
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
제 1 항에 있어서,상기 광촉매는 중성 조건에서 광전기화학 또는 전기화학을 통한 수소-생성 반응에 대한 활성을 가지는 것인, 수소-생성 반응용 촉매
5 5
제 1 항에 있어서,상기 N-도핑된 원자-두께의 그래핀 양자점은 과전압을 감소시켜 광전기화학을 통한 수소-생성 반응의 효율을 증가시키는 것인, 수소-생성 반응용 촉매
6 6
제 1 항에 있어서,상기 N-도핑된 원자-두께의 그래핀 양자점은 광전기화학을 통한 수소-생성 반응에 사용되는 광전극의 표면에 전사되어 상기 광전극의 표면 산화를 방지 또는 감소시킴으로써 상기 광전극의 안정성을 향상시키는 것인, 수소-생성 반응용 촉매
7 7
제 6 항에 있어서,상기 광전극은 Si를 포함하는 것인, 수소-생성 반응용 촉매
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 서울대학교 산학협력단 글로벌프론티어연구개발사업-나노기반소프트일렉트로닉스연구 이차원 소프트 나노소재
2 미래창조과학부 서울대학교 산학협력단 글로벌프론티어연구개발사업-멀티스케일 에너지 시스템 연구 이온 및 전하 이동 제어 소재