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간접 밴드갭 반도체 전기발광소자의 제조방법에 있어서,기판을 마련하는 단계:상기 기판의 상면에 절연층을 적층하여 형성하는 단계;상기 절연층의 상면에 제1 반도체층을 적층하여 형성하는 단계;상기 제1 반도체층의 상면에 포토 레지스트를 현상하여 상기 제1 반도체층의 상면 일부를 식각하고, 식각된 상기 제1 반도체층의 상면에 제1 전극을 형성하는 단계;상기 제1 전극 및 상기 제1 반도체층의 상면에 포토 레지스트를 현상하여 상기 제1 전극과 소정거리 이격된 상기 제1 반도체층의 상면을 식각하고, 식각된 상기 제1 반도체층의 상면에 제2 전극을 형성하는 단계;상기 제1 반도체층의 상면에 제2 반도체층을 적층하여 형성하는 단계;상기 제2 반도체층의 상면에 전류확산층을 적층하여 형성하는 단계;상기 전류확산층에 전압을 인가하여, 상기 제2 반도체층과 상기 제1 반도체층 사이에 채널층을 형성하는 단계; 및상기 제1 전극 및 제2 전극에 각각 전압을 인가하여, 상기 채널층과 제2 전극의 계면 사이에서 빛을 방출하는 단계;를 포함하되,상기 제1 반도체층은 Si, Ge, SiC, AlP, GaP 및 PbTe 중 적어도 하나로 구성되고, 상기 제2 반도체층은 산화물로 구성되는 것을 특징으로 하는 간접 밴드갭 반도체 전기발광소자의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 제1 전극을 형성하는 단계는식각된 상기 제1 반도체층의 상면에 N 형 불순물을 도핑하여 제1 전극을 형성하는 것을 특징으로 하는 간접 밴드갭 반도체 전기발광소자의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 제2 전극을 형성하는 단계는식각된 상기 제1 반도체층의 상면에 P 형 불순물을 도핑하여 제2 전극을 형성하는 것을 특징으로 하는 간접 밴드갭 반도체 전기발광소자의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 제1 반도체층에 인장 변형을 인가하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 간접 밴드갭 반도체 전기발광소자의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 채널층을 형성하는 단계는1020 cm-3 와 같거나 높은 농도를 갖는 채널층을 형성하는 것을 특징으로 하는 간접 밴드갭 반도체 전기발광소자의 제조방법
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간접 밴드갭 반도체 전기발광소자에 있어서,기판;상기 기판의 상면에 적층하여 형성되는 절연층;상기 절연층의 상면에 적층하여 형성되는 제1 반도체층;상기 제1 반도체층의 상면에 포토 레지스트를 현상하여 상기 제1 반도체층의 상면 일부가 식각되고, 식각된 상기 제1 반도체층의 상면에 형성되는 제1 전극; 상기 제1 전극 및 상기 제1 반도체층의 상면에 포토 레지스트를 현상하여 상기 제1 전극과 소정거리 이격된 상기 제1 반도체층의 상면이 식각되고, 식각된 상기 제1 반도체층의 상면에 형성되는 제2 전극;상기 제1 반도체층의 상면에 적층하여 형성되는 제2 반도체층;상기 제2 반도체층의 상면에 적층하여 형성되는 전류확산층; 및상기 전류확산층에 전압이 인가되면, 상기 제2 반도체층과 상기 제1 반도체층 사이에 형성되는 채널층;을 포함하되,상기 제1 반도체층은 Si, Ge, SiC, AlP, GaP 및 PbTe 중 적어도 하나로 구성되고, 상기 제2 반도체층은 산화물로 구성되며, 상기 제1 전극 및 제2 전극에 각각 전압이 인가되어, 상기 채널층과 제2 전극의 계면 사이에서 빛을 방출하는 것을 특징으로 하는 간접 밴드갭 반도체 전기발광소자
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제6항에 있어서, 상기 제1 전극, 제2 전극, 제2 반도체층 및 전류확산층은 원형으로 형성되는 것을 특징으로 하는 간접 밴드갭 반도체 전기발광소자
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제6항에 있어서, 상기 채널층은 1020 cm-3 보다 같거나 높은 농도를 갖도록 형성되는 것을 특징으로 하는 간접 밴드갭 반도체 전기발광소자
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제6항에 있어서,상기 제1 전극은식각된 상기 제1 반도체층의 상면에 N 형 불순물이 도핑되어 형성되는 것을 특징으로 하는 간접 밴드갭 반도체 전기발광소자
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제6항에 있어서,상기 제2 전극은식각된 상기 제1 반도체층의 상면에 P 형 불순물이 도핑되어 형성되는 것을 특징으로 하는 간접 밴드갭 반도체 전기발광소자
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