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기판 상에 제1 전구체를 제공하는 단계; 상기 제1 전구체와 반응하는 제2 전구체, 및 밴드갭 에너지 조절제(bandgap energy control agent)를 갖는 첨가물이 혼합된 소스를 준비하는 단계; 및상기 제1 전구체를 제공한 후, 상기 소스를 상기 기판 상에 제공하여, 상기 밴드갭 에너지 조절제가 도핑된(doped) 박막을 형성하는 단계를 포함하는 박막 구조체의 제조 방법
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제1 항에 있어서, 상기 제1 전구체를 제공하는 단계, 및 상기 소스를 제공하는 단계는 단위 공정으로 정의되고, 상기 단위 공정이 복수회 반복 수행되는 것을 포함하는 박막 구조체의 제조 방법
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제1 항에 있어서, 상기 제1 전구체는 금속 원소를 포함하고, 상기 제2 전구체는 물(H2O)을 포함하고, 상기 박막은, 금속 산화물을 포함하는 박막 구조체의 제조 방법
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제3 항에 있어서, 상기 밴드갭 에너지 조절제(bandgap energy control agent)를 갖는 상기 첨가물은 산(acid)을 포함하는 박막 구조체의 제조 방법
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제4 항에 있어서, 상기 밴드갭 에너지 조절제는, 황(S), 질소(N), 플루오린(F), 염소(Cl), 셀레늄(Se), 또는 텔루륨(Te) 중에서 적어도 어느 하나를 포함하는 박막 구조체의 제조 방법
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제5 항에 있어서, 상기 첨가물은, H2SO4, HNO3, HF, HCl, H2SeO4, 또는 H2TeO4 중에서 적어도 어느 하나를 포함하는 박막 구조체의 제조 방법
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제5 항에 있어서, 상기 밴드갭 에너지 조절제가, 상기 금속 산화물에 포함된 산소 원자들의 일부를 대체하는 것을 포함하는 박막 구조체의 제조 방법
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제3 항에 있어서, 상기 밴드갭 에너지 조절제는, 산소보다 높은 가전자대 에너지를 갖는 것을 포함하는 박막 구조체의 제조 방법
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제1 항에 있어서, 상기 소스를 상기 기판 상에 제공하는 단계는, 상기 소스를 증발시켜 생성된 가스를 상기 기판 상에 제공하는 것을 포함하는 박막 구조체의 제조 방법
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제1 항에 있어서, 상기 기판이 상기 제1 전구체에 노출되는 시간보다, 상기 기판이 상기 소스에 노출되는 시간이 더 긴 것을 포함하는 박막 구조체의 제조 방법
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용액이 수용되는 반응조;상기 반응조 내에 배치되고, 제1 항 내지 제8항 중 어느 한 항에 따른 박막 구조체의 제조 방법으로 제조된 박막 구조체를 포함하는 제1 전극; 및상기 반응조 내에 상기 제1 전극과 이격되어 배치되고, 상기 제1 전극과 전기적으로 연결된 제2 전극을 포함하는 광 전기화학 장치
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