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블록의 쓰기/지우기 횟수(program/erase cycle)와 리텐션 시간(retention time)을 변수로 이용하는 수학식을 이용하여 상기 블록의 비트 에러율을 추정하는 단계; 및상기 비트 에러율과 임계치를 비교하여 상기 블록의 재매핑 여부를 결정하는 단계를 포함하는,메모리 시스템의 동작 방법
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제1항에 있어서,상기 수학식은 이고,상기 RBER은 상기 블록의 비트 에러율이고,상기 x, 상기 y, 상기 z 및 상기 w 는 미리 정해진 상수이고,상기 c는 상기 쓰기/지우기 횟수이고,상기 t는 상기 리텐션 시간인,메모리 시스템의 동작 방법
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제1항에 있어서,상기 메모리 시스템의 동작 방법은, 상기 비트 에러율이 상기 임계치를 초과하는 경우에 상기 블록을 재매핑하는 단계를 더 포함하는,메모리 시스템의 동작 방법
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제1항에 있어서,상기 메모리 시스템은 SSD(solid state drive) 또는 메모리 카드인,메모리 시스템의 동작 방법
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비휘발성 메모리;상기 비휘발성 메모리에 포함된 블록의 쓰기/지우기 횟수와 리텐션 시간을 변수로 이용하는 수학식을 이용하여 상기 블록의 비트 에러율을 추정하고, 상기 비트 에러율과 임계치를 비교하여 상기 블록의 재매핑 여부를 결정하는 컨트롤러를 포함하는,메모리 시스템
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제5항에 있어서,상기 컨트롤러는 상기 블록의 비트 에러율을 추정하는 비트 에러율 추정 모듈과, 상기 비트 에러율과 상기 임계치를 비교하고 비교 결과에 따라 상기 블록의 재매핑 여부를 결정하는 재매핑 모듈을 포함하는,메모리 시스템
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제6항에 있어서,상기 수학식은 이고,상기 RBER은 상기 블록의 비트 에러율이고,상기 x, 상기 y, 상기 z 및 상기 w 는 미리 정해진 상수이고,상기 c는 상기 쓰기/지우기 횟수이고,상기 t는 상기 리텐션 시간이고,상기 재매핑 모듈은 상기 비트 에러율이 상기 임계치를 초과하는 경우에 상기 블록을 재매핑하는,메모리 시스템
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제5항에 있어서,상기 비휘발성 메모리는 플래시 메모리이고,상기 메모리 시스템은 SSD(solid state drive)인,메모리 시스템
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