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표면 처리가 가능한 온도로 가열된 대상금속을 표면처리하는 금속표면처리장치에 있어서,복수 개의 대상금속이 서로 이격되도록 적층된 적층체의 외면 형상에 대응되는 형성으로 형성되고, 상기 적층체의 외면으로부터 이격된 상태로 상기 적층체를 수용하는 반응챔버; 및상기 반응챔버 내에 수용된 상기 복수의 대상금속 측으로 처리가스를 공급하는 처리가스 공급부;를 포함하는 금속표면처리장치
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제1항에 있어서,상기 복수 개의 대상금속을 서로 이격시키는 스페이서를 더 포함하는 금속표면처리장치
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제2항에 있어서,상기 스페이서는 인접한 대상금속에 점 접촉되도록 형성된 금속표면처리장치
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제2항에 있어서,상기 스페이서는 인접한 대상금속 간이 100mm 이하의 간격을 가지도록 하는 금속표면처리장치
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제1항에 있어서,상기 반응챔버는,상기 반응챔버의 내면과 상기 적층체의 외면이 100mm 이하의 간격을 가지도록 형성된 금속표면처리장치
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제1항에 있어서,상기 처리가스공급부는 상기 처리가스를 상기 반응챔버 내로 유입시키는 가스유로를 포함하는 금속표면처리장치
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제6항에 있어서,상기 가스유로는 서로 인접한 대상금속 사이에 대응되는 위치에 형성된 금속표면처리장치
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제1항에 있어서,상기 반응챔버는,서로 인접한 대상금속 사이에 형성되어 각각의 대상금속이 서로 다른 공간에 수용되도록 하는 격벽을 포함하는 금속표면처리장치
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제8항에 있어서,상기 처리가스공급부는 상기 반응챔버의 격벽 사이로 상기 처리가스를 유입시키는 가스유로를 포함하는 금속표면처리장치
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제8항에 있어서,상기 격벽에는 상기 반응챔버 내로 유입된 처리가스를 유동시키는 유동홀이 형성된 금속표면처리장치
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제1항에 있어서,상기 반응챔버 내를 가열하는 가열부를 더 포함하는 금속표면처리장치
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제1항에 있어서,상기 대상금속이 반응챔버 내에 수용되기 전에 상기 대상금속을 예열하는 예열부를 더 포함하는 금속표면처리장치
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표면 처리가 가능한 온도로 가열된 대상금속을 표면처리하는 금속표면처리장치에 있어서,복수 개의 대상금속이 서로 이격되도록 적층된 적층체의 외면 형상에 대응되는 형성으로 형성되고, 상기 적층체의 외면으로부터 이격된 상태로 상기 적층체를 수용하는 수용하우징;상기 수용하우징이 수용되는 반응공간이 형성된 반응챔버; 및상기 반응챔버 내의 상기 수용하우징에 수용된 상기 복수의 대상금속 측으로 처리가스를 공급하는 처리가스 공급부;를 포함하는 금속표면처리장치
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제13항에 있어서,상기 수용하우징은,서로 인접한 대상금속 사이에 형성되어 각각의 대상금속이 서로 다른 공간에 수용되도록 하는 격벽을 포함하는 금속표면처리장치
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제13항에 있어서,상기 복수 개의 대상금속을 상기 수용하우징에 인입 및 인출시키는 이송부를 더 포함하는 금속표면처리장치
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제15항에 있어서,상기 이송부는 상기 복수 개의 대상금속 중 어느 하나 이상을 독립적으로 이송 가능하게 형성된 금속표면처리장치
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복수 개의 대상금속이 서로 이격되도록 적층된 적층체의 외면 형상에 대응되는 형성으로 형성되고, 상기 적층체의 외면으로부터 이격된 상태로 상기 적층체를 수용하는 반응챔버 내에 상기 적층체를 위치시키는 단계; 및처리가스공급부를 통해 상기 반응챔버 내에 처리가스를 공급하여 상기 복수의 대상금속에 처리가스층을 형성하는 단계;를 포함하는 금속표면처리방법
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제17항에 있어서,상기 적층체를 위치시키는 단계는,하나의 대상금속을 상기 반응챔버 내에 위치시키는 과정;상기 반응챔버 내에 위치된 대상금속 상에 스페이서를 위치시키는 과정; 및상기 스페이서 상에 다른 대상금속을 적층하는 과정;을 포함하는 금속표면처리방법
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제18항에 있어서,상기 다른 대상금속을 적층하는 과정은,인접한 대상금속 간이 100mm 이하의 간격을 가지도록 하는 금속표면처리방법
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제17항에 있어서,상기 적층체를 위치시키는 단계는,상기 반응챔버의 내면과 상기 적층체의 외면이 100mm 이하의 간격을 가지도록 하는 금속표면처리방법
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제17항에 있어서, 상기 처리가스층을 형성하는 단계는,처리가스를 0
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