| 1 |
1
표면 처리가 가능한 온도로 가열된 대상금속을 표면처리하는 금속표면처리장치에 있어서,상기 대상금속의 외면 형상에 대응되는 형상으로 형성되고, 상기 대상금속의 외면으로부터 이격된 상태로 상기 대상금속의 적어도 일부를 수용하는 반응챔버;처리가스가 유동되는 유동부 및 상기 유동부와 연결되어 상기 처리가스를 배출하는 배출부를 포함하며, 상기 배출부는 상기 반응챔버에 연결되어 상기 반응챔버 내에 수용된 대상금속 측으로 처리가스를 공급하는 처리가스공급모듈; 및상기 대상금속을 이송시키는 이송부;를 포함하며,상기 이송부는,상기 처리가스 공급모듈의 상기 배출부에 구비되어, 상기 대상금속에 접촉되어 회전함에 따라 상기 대상금속을 이송시키는 보조이송부재를 포함하는 금속표면처리장치
|
| 2 |
2
제1항에 있어서,상기 처리가스 공급모듈은 복수 개가 구비되고, 각각 상기 반응챔버의 소정 위치에 연결되는 금속표면처리장치
|
| 3 |
3
삭제
|
| 4 |
4
삭제
|
| 5 |
5
제1항에 있어서,상기 반응챔버의 양측은 개방되도록 형성되고,상기 이송부는 상기 반응챔버의 개방된 양측에 구비되는 금속표면처리장치
|
| 6 |
6
제5항에 있어서,상기 이송부는 상기 반응챔버의 개방된 양측을 밀폐시키도록 구비된 금속표면처리장치
|
| 7 |
7
제6항에 있어서,상기 이송부는,상기 대상금속에 접촉되어 회전함에 따라 상기 대상금속을 이송시키는 이송부재를 포함하는 금속표면처리장치
|
| 8 |
8
제1항에 있어서,상기 반응챔버는,상기 대상금속이 수용된 상태에서, 상기 반응챔버의 내면과 상기 대상금속의 외면이 100mm 이하의 간격을 가지도록 형성된 금속표면처리장치
|
| 9 |
9
제1항에 있어서,상기 반응챔버 내를 가열하는 가열부를 더 포함하는 금속표면처리장치
|
| 10 |
10
제1항에 있어서,상기 대상금속이 수용된 상태에서, 상기 반응챔버와 상기 대상금속 외면 사이의 간격을 조절하는 간격조절부를 더 포함하는 금속표면처리장치
|
| 11 |
11
제10항에 있어서,상기 반응챔버는 상부플레이트와, 상기 상부플레이트와 소정 거리 이격된 하부플레이트를 포함하고,상기 간격조절부는 상기 상부플레이트 및 상기 하부플레이트를 상하로 슬라이딩 이동시키도록 형성된 금속표면처리장치
|
| 12 |
12
제1항에 있어서,상기 반응챔버가 수용되며, 밀폐 가능한 수용공간이 형성된 외부챔버를 더 포함하는 금속표면처리장치
|
| 13 |
13
제1항에 있어서,상기 대상금속이 반응챔버 내에 수용되기 전에 상기 대상금속을 예열하는 예열부를 더 포함하는 금속표면처리장치
|
| 14 |
14
대상금속의 외면 형상에 대응되는 형상으로 형성되고, 상기 대상금속의 외면으로부터 이격된 상태로 상기 대상금속의 적어도 일부를 수용하는 반응챔버 내에 대상금속을 위치시키는 단계; 및처리가스가 유동되는 유동부 및 상기 유동부와 연결되어 상기 처리가스를 배출하는 배출부를 포함하는 처리가스공급모듈을 통해 상기 반응챔버 내에 처리가스를 공급하여 상기 대상금속에 처리가스층을 형성하는 단계;를 포함하며,상기 반응챔버 내에 대상금속을 위치시키는 단계는,상기 처리가스공급모듈의 상기 배출부에 구비되어, 상기 대상금속에 접촉되어 회전함에 따라 상기 대상금속을 이송시키는 보조이송부재를 포함하는 이송부를 통해 상기 대상금속을 이송시켜 상기 반응챔버 내에 대상금속을 위치시키는 것으로 하는 금속표면처리방법
|
| 15 |
15
제14항에 있어서,상기 반응챔버 내에 대상금속을 위치시키는 단계는,상기 반응챔버의 내면과 상기 대상금속의 외면이 100mm 이하의 간격을 가지도록 하는 금속표면처리방법
|
| 16 |
16
제14항에 있어서,상기 처리가스층을 형성하는 단계는,처리가스를 0
|
