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랭뮤어-블러젯법(LB법)으로 실리카 입자 정렬되고, 불소계열 실란 처리된 실리카 입자 정렬 기판을 준비하는 단계; 경화제가 포함된 폴리디메틸실록산(Polydimethylsiloxane) 용액을 상기 기판에 도포하여 열경화시키는 단계;기판과 경화된 폴리디메틸실록산을 분리하여 음각 구조의 폴리디메틸실록산 기판을 제조하는 단계;상기 음각 구조의 폴리디메틸실록산 기판에 50mm 타겟 이온코터 기준 1
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제1항에 있어서, 상기 실리카 입자 정렬 기판을 준비하는 단계는,아미노벤조싸이올(aminobenzothiol)이 표면에 고정화된 실리카 입자가 유기용매에 분산된 실리카 입자 분산 용액을 준비하는 단계;상기 실리카 입자 분산 용액을 수면 위에 박막으로 살포하는 단계;상기 실리카 입자 박막을 LB법으로 기판에 전사시켜 실리카 입자 정렬 기판을 제조하는 단계; 및상기 실리카 입자 정렬 기판을 UV/오존 처리 후 불소계열 실란을 기상 증착하는 단계;를 포함하여 이루어진 음각 구조의 금속 박막 기판의 제조방법
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제2항에 있어서,상기 실리카 입자 분산 용액을 수면 위에 박막으로 살포하는 단계는 수면의 표면에 배리어(barrier)를 두고 배리어에 가해지는 압력을 10 mN/m ~ 60 mN/m 범위내로 유지하면서 실리카 입자를 살포하여 균일한 단층의 박막을 형성하는 것을 특징으로 하는 음각 구조의 금속 박막 기판의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 경화제는 폴리디메틸실록산 용액에 5 내지 15 중량% 범위내로 포함되는 것을 특징으로 하는 음각 구조의 금속 박막 기판의 제조방법
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제2항에 있어서,상기 불소계열 실란을 기상 증착하는 단계는 1H,1H,2H,2H -퍼플루오로도데실트리클로로실란(1H,1H,2H,2H-Perfluorododecyltrichlorosilane) 파우더를 밀폐용기에 실리카 입자 정렬 기판과 같이 넣고 40~100 ℃의 오븐에서 1~3시간 동안 기상 증착하는 것을 특징으로 하는 음각 구조의 금속 박막 기판의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 금속 박막은 은(Ag) 박막이거나 크롬(Cr)과 은(Ag)의 다층 박막인 것을 특징으로 하는 음각 구조의 금속 박막 기판의 제조방법
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제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,로다민(rhodamin) 6G 유기물질을 이용하여 500 ~ 3000 cm-1 진동수 범위내에서 라만(Raman) 신호의 경향을 평가하였을 때, 상기 실리카 입자가 1200 nm 이하의 입경에서는 1800 cm-1 이하의 진동수에서 최대 피크가 나타나며, 상기 실리카 입자가 2400 nm 이상의 입경에서는 2000 cm-1 이상의 높은 진동수의 영역에서 최대 피크가 나타나는 것을 특징으로 하는 음각 구조의 금속 박막 기판의 제조방법
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제1항 내지 제6항 중 어느 한 항의 제조방법으로 형성된 음각 구조의 금속 박막 기판
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