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강성 기판(10) 위에 희생층(11)을 형성하는 단계,상기 희생층(11) 위에 유연성 금속막(12)을 형성하는 단계,상기 유연성 금속막 위에 유전체층(13)을 형성하는 단계, 상기 유전체층(13) 위에 하부전극(14)을 형성하는 단계,상기 하부전극(14) 위에 제 1 반도체 패턴(15)과 상기 제 1 반도체 타입과 반대 타입의 제 2 반도체 패턴(16)을 형성하는 단계,상기 하부전극 위에 형성된 제 1 또는 제 2 반도체 패턴과 인접한 다른 하부전극 위에 배치된 다른 타입의 반도체 패턴을 쌍으로 하여 그 상부에 상부 전극(17)을 형성하는 단계,상기 강성 기판(10)과 유연성 금속막(12)을 박리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막형 유연 열전 모듈 제조 방법
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청구항 1에 있어서, 상기 희생층(11) 위에 유연성 금속막(12)을 형성하는 단계와 상기 유연성 금속막(12) 위에 유전체층(13)을 형성하는 단계 사이에 식각장벽층(18)을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 박막형 유연 열전 모듈 제조 방법
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3
강성 기판(10) 위에 희생층(11)을 형성하는 단계,상기 희생층(11) 위에 유전체층(13)을 형성하는 단계, 상기 유전체층(13) 위에 하부전극(14)을 형성하는 단계,상기 하부전극(14) 위에 제 1 반도체 패턴(15)과 상기 제 1 반도체 타입과 반대 타입의 제 2 반도체 패턴(16)을 형성하는 단계,상기 하부전극 위에 형성된 제 1 또는 제 2 반도체 패턴과 인접한 다른 하부전극 위에 배치된 다른 타입의 반도체 패턴을 쌍으로 하여 그 상부에 상부 전극(17)을 형성하는 단계,상기 강성 기판(10)과 유전체층(13)을 박리하는 단계,상기 박리된 유전체층(13) 하부에 유연성 기판(20)을 접착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막형 유연 열전 모듈 제조 방법
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청구항 3에 있어서, 상기 희생층(11) 위에 유전체층(13)을 형성하는 단계에서, 상기 희생층(11) 과 유전체층(13) 사이에 식각장벽층(18)을 형성하는 단계가 더 포함되는 것을 특징으로 하는 박막형 유연 열전 모듈 제조 방법
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청구항 1 내지 청구항 4 중 어느 한 항에 있어서, 상기 하부전극(14) 위에 제 1 반도체 패턴(15)과 상기 제 1 반도체 타입과 반대 타입의 제 2 반도체 패턴(16)을 형성하는 단계는,상기 하부전극(14)의 위로 포토레지스트층(22)을 형성하는 단계,상기 포토레지스트층(22)에 노광 및 현상 공정을 진행하여 하부전극(14)의 상면 일부가 드러나도록 비아(via)를 형성하는 단계,상기와 같이 비아가 형성된 포토레지스트층(22)에 대하여 제 1 반도체를 증착하여 비아를 채운 후에 포토레지스트층(22)을 제거하여 제 1 반도체 패턴(15)을 형성하는 단계,상기 하부전극(14) 일부와 제 1 반도체 패턴(15)이 노출되어 있는 상태에서 상기 제 1 반도체 패턴(15)을 형성하는 단계와 동일한 방법으로 상기 제 1반도체 패턴 옆에 반대 타입을 갖는 제 2 반도체 패턴(16)을 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 박막형 유연 열전 모듈 제조 방법
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청구항 1 내지 청구항 4 중 어느 한 항에 있어서, 상기 하부전극(14) 위에 제 1 반도체 패턴(15)과 상기 제 1 반도체 타입과 반대 타입의 제 2 반도체 패턴(16)을 형성하는 단계는,상기 하부전극(14) 위로 제 1 반도체(25)를 소정 높이를 갖도록 형성하는 단계상기 제 1 반도체(25) 상부에 포토레지스트(26)를 도포한 후 포토레지스트 패턴(26')을 형성하는 단계,상기 포토레지스트 패턴(26')을 식각마스크로 이용하여 상기 제 1 반도체에 대한 식각 공정을 진행하여 제 1 반도체 패턴(15)을 형성하는 단계,상기 제 1 반도체 패턴(15) 위에 남아있는 식각마스크로 이용된 포토레지스트 패턴(26')을 제거하여 상기 하부전극(14) 일부와 제 1 반도체 패턴이 노출되어 있는 상태에서 상기 제 1 반도체 패턴(15)을 형성하는 단계와 동일한 방법으로 상기 제 1반도체 패턴 옆에 반대 타입을 갖는 제 2 반도체 패턴(16)을 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 박막형 유연 열전 모듈 제조 방법
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7
청구항 1 내지 청구항 4 중 어느 한 항에 있어서, 상기 강성 기판은 상면과 하면을 관통하는 복수의 구멍(19)이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 박막형 유연 열전 모듈 제조 방법
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8
청구항 1 내지 청구항 4 중 어느 한 항에 있어서, 상기 상부전극은 파형의 형상으로 이루어져 있는 것을 특징으로 하는 박막형 유연 열전 모듈 제조 방법
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9
유연성 기판(20) 위에 유전체층(13)이 형성되고, 상기 유전체층(13) 위에 하부전극(14)을 형성되며,상기 하부전극(14) 위에 제 1 반도체 패턴(15)과 제 1 반도체 타입과 반대 타입의 제 2 반도체 패턴(16)이 형성되어 있으며,상기 하부전극 위에 형성된 제 1 또는 제 2 반도체 패턴과 인접한 다른 하부전극 위에 배치된 다른 타입의 반도체 패턴을 쌍으로 하여 그 상부에 상부 전극(17)이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 박막형 유연 열전 모듈
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10
청구항 9에 있어서, 상기 유연성 기판(20)은 유연성 금속막(12)인 것을 특징으로 하는 박막형 유연 열전 모듈
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11
청구항 9 또는 청구항10에 있어서, 상기 상부전극은 파형의 형상으로 이루어져 있는 것을 특징으로 하는 박막형 유연 열전 모듈
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