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IB족 금속으로 Cu과, ⅢA족 금속으로 In 및 Ga 중 어느 하나 이상을 포함하는 전구체를 준비하여 샘플트레이 내부 공간에 넣고, 상기 샘플트레이를 RTP가 가능한 반응기에 넣어, RTP를 통해 VIA족 화합물인 Se 및 S 중 어느 하나 이상과 상기 전구체를 반응시켜 CuIn1-xGax(SySe1-y)2 필름을 제조하는데 사용되는 샘플트레이에 있어서, 전체적인 외형이 육각형 상자 구조를 이루고, 상기 육각형 상자의 일측면만이 개방된 구조를 이루며, 내부 천정면에는 Se, Se화합물, S 및 S화합물 중 어느 1종 이상이 코팅되어 있는 것을 특징으로 하는 샘플트레이
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제1항에서, 상기 샘플트레이는 외측면에 봉 형상의 돌출된 고정지지대를 더 갖는 것을 특징으로 하는 샘플트레이
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제1항 또는 제2항에서, 상기 샘플트레이는 바닥면 외부로 돌출된 형태의 고정받침대를 더 갖는 것을 특징으로 하는 샘플트레이
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제3항에서, 상기 고정받침대는 단면의 형상이 "L" 또는 "I"인 것을 특징으로 하는 샘플트레이
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제1항에서, 상기 샘플트레이는 쿼츠(quartz) 재질인 것을 특징으로 하는 샘플트레이
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IB족 금속으로 Cu와, ⅢA족 금속으로 In 및 Ga 중 어느 하나 이상을 포함하는 전구체층을 기판 위에 제조하는 단계(I); 퍼지가스의 출구 방향으로만 개방된 구조를 갖으며, 내부공간의 천정면에 Se, Se 화합물, S 및 S 화합물 중 어느 하나 이상이 코팅되어 있는 샘플트레이의 내부공간에 상기 단계(I)의 기판을 놓는 단계(II); 및 퍼지가스가 입출구를 통하여 연속적으로 흐르며 RTP(Rapid Thermal Process)를 위한 열원이 구비된 RTP반응기 안에 상기 단계(II)의 샘플트레이를 놓고 RTP를 진행하는 단계(III)를 포함하는 것을 특징으로 하는 CuIn1-xGax(SySe1-y)2 (여기서, 0≤x, y≤1) 필름의 제조방법
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7
제6항에서, 상기 단계(I)의 전구체층은 VIA족 원소로 Se 및 S 중 어느 하나 이상을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 CuIn1-xGax(SySe1-y)2 필름의 제조방법
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제6항 또는 제7항에서, 상기 단계(I)의 전구체층은 다층인 것을 특징으로 하는 CuIn1-xGax(SySe1-y)2 필름의 제조방법
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제6항에서, 상기 단계(I)에서 기판상에 전구체층을 제조하는 방법은 스퍼터링, 전기도금, 나노입자의 스크린프린팅, 동시증발 및 용액공정 중 어느 하나의 방법으로 제조하는 것을 특징으로 하는 CuIn1-xGax(SySe1-y)2 필름의 제조방법
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제6항에서, 상기 단계(I)의 기판은 유리, 알루미나, 폴리이미드, 몰리브덴, 텅스텐, 탄탈륨, 티타늄, 알루미늄, 니켈 및 흑연 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 CuIn1-xGax(SySe1-y)2 필름의 제조방법
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11
제6항에서, 상기 단계(I)의 기판은 전도성 배면전극이 코팅되어 있는 것을 특징으로 하는 CuIn1-xGax(SySe1-y)2 필름의 제조방법
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제11항에서, 상기 전도성 배면전극은 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 탄탈륨(Ta), 티타늄(Ti) 및 금(Au) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 CuIn1-xGax(SySe1-y)2 필름의 제조방법
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제6항에서, 상기 샘플트레이는 전체적인 외관이 육면체 상자형상인 것을 특징으로 하는 CuIn1-xGax(SySe1-y)2 필름의 제조방법
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제6항에서, 상기 샘플트레이는 재질이 쿼츠(quartz)인 것을 특징으로 하는 CuIn1-xGax(SySe1-y)2 필름의 제조방법
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제6항에서, 상기 샘플트레이는 퍼지가스 입구쪽으로 봉 형상의 돌출된 고정지지대를 갖고, 상기 고정지지대를 RTP 반응기의 퍼지가스 입구 쪽에 고정시키는 것을 특징으로 하는 CuIn1-xGax(SySe1-y)2 필름의 제조방법
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제6항에서, 상기 샘플트레이는 바닥면 외측으로 돌출된 형태의 고정받침대를 더 갖아 RTP반응기의 내부 바닥면에 고정되는 것을 특징으로 CuIn1-xGax(SySe1-y)2 필름의 제조방법
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제6항에서, 상기 단계(Ⅲ)의 RTP 온도는 400 ~ 600℃인 것을 특징으로 하는 CuIn1-xGax(SySe1-y)2 필름의 제조방법
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제6항에서, RTP 시간은 1 ~ 30 분인 것을 특징으로 하는 CuIn1-xGax(SySe1-y)2 필름의 제조방법
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제6항에서, 상기 단계(Ⅲ)에서 RTP반응기는 IR램프에 의하여 RTP 온도까지 승온하는 것을 특징으로 하는 CuIn1-xGax(SySe1-y)2 필름의 제조방법
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