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에피택셜하게 성장한 반도체층을 포함하는 태양전지 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2016000509
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 태양 전지 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 태양 전지는 i) 기판과 기판의 판면 위에 위치하고 상호 이격된 복수의 도전성 구조체들을 포함하는 제1 전극, ii) 복수의 도전성 구조체들을 덮으면서 적층되고,　에피택셜하게　성장한 복수의 반도체층들, iii) 복수의 반도체층들을 덮는 제2 전극, 및 iv) 제2 전극을 덮는 수지 고정층을 포함한다. 복수의 반도체층들은, i) 제1 전극과 접하는 제1 반도체층, 및 ii) 제1 반도체층 위에 위치하고 제2 전극과 접하는 제2 반도체층을 포함한다. 제1 반도체층은 불균일한 두께를 가진다.
Int. CL H01L 31/18 (2006.01.01)
CPC H01L 31/18(2013.01) H01L 31/18(2013.01)
출원번호/일자 1020110039677 (2011.04.27)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1203116-0000 (2012.11.14)
공개번호/일자 10-2011-0119588 (2011.11.02) 문서열기
공고번호/일자 (20121120) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020100038764   |   2010.04.27
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.04.27)
심사청구항수 18

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이정호 대한민국 서울특별시 강남구
2 엄한돈 대한민국 경기도 안산시 상록구
3 박광태 대한민국 경기도 안산시 상록구
4 정진영 대한민국 경기도 안산시 상록구
5 지상원 대한민국 경기도 안산시 상록구
6 남윤호 대한민국 경기도 안산시 상록구
7 박민준 대한민국 경기도 안산시 상록구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 유미특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 서림빌딩 **층 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 서울특별시 성동구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.04.27 수리 (Accepted) 1-1-2011-0314261-03
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.02.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.03.21 수리 (Accepted) 9-1-2012-0021215-17
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.04.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0247974-68
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2012.06.27 수리 (Accepted) 1-1-2012-0514097-81
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2012.07.27 수리 (Accepted) 1-1-2012-0605029-09
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.08.27 수리 (Accepted) 1-1-2012-0688721-54
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.08.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0688723-45
9 등록결정서
Decision to grant		 2012.10.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0654728-89
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
상호 이격된 복수의 도전성 구조체들을 포함하는 제1 전극,상기 복수의 도전성 구조체들을 덮으면서 적층되고,　에피택셜하게　성장한 복수의 반도체층들,상기 복수의 반도체층들을 덮는 제2 전극, 및상기 제2 전극을 덮는 수지 고정층을 포함하고,상기 복수의 반도체층들은,상기 제1 전극과 접하는 제1 반도체층, 및상기 제1 반도체층 위에 위치하고 상기 제2 전극과 접하는 제2 반도체층을 포함하고, 상기 제1 반도체층은 불균일한 두께를 가지는 태양 전지
2 2
제1항에 있어서,상기 제1 반도체층은 다공성 구조로 형성된 복수의 공공들을 포함하는 태양 전지
3 3
제2항에 있어서,상기 제1 반도체층과 상기 제1 전극과의 접합 강도는 상기 제2 반도체층과 상기 제2 전극과의 접합 강도보다 큰 태양 전지
4 4
제3항에 있어서상기 제1 반도체층과 상기 제1 전극과의 접합 강도는 100N/cm2 내지 1000N/cm2인 태양 전지
5 5
제1항에 있어서,상기 복수의 도전성 구조체들은,복수의 제1 도전성 구조체들, 및상기 제1 도전성 구조체의 폭보다 큰 폭을 가지는 제2 도전성 구조체를 포함하고, 상기 제2 도전성 구조체 위에 형성되고 상기 제2 전극과 접하는 제3 전극을 더 포함하는 태양 전지
6 6
제5항에 있어서,상기 복수의 도전성 구조체들은 상기 제2 도전성 구조체와 연결된 복수의 제3 도전성 구조체들을 더 포함하고, 상기 복수의 제3 도전성 구조체들은 상호 이격되고, 격벽 형상을 가지는 태양 전지
7 7
제1항에 있어서,상기 제1 반도체층은 p형 반도체층이고, 상기 제2 반도체층은 n형 반도체층인 태양 전지
8 8
제1항에 있어서,상기 제1 전극은 상기 제2 전극보다 불투명한 태양 전지
9 9
상호 이격된 복수의 구조체들을 포함하는 템플레이트(template)를 제공하는 단계,상기 템플레이트를 덮는 제1 에피택셜층을 제공하는 단계,상기 제1 에피택셜층을 다공성층으로 변환하는 단계,상기 다공성층 위에 제2 에피택셜층을 제공하는 단계,상기 제2 에피택셜층을 복수의 반도체층들로 변환하는 단계,상기 복수의 반도체층들 위에 도전체를 제공하는 단계,상기 도전체를 덮는 수지 고정층을 제공하는 단계,상기 다공성층을 제거하는 단계,상기 템플레이트를 제거하는 단계, 및상기 복수의 반도체층들 아래에 또다른 도전체를 제공하는 단계를 포함하고,상기 다공성층을 제거하는 단계는,상기 템플레이트의 하부에 홀을 형성하여 상기 다공성층을 외부 노출시키는 단계, 및상기 홀에 에칭액을 주입하여 상기 다공성층을 식각하는 단계를 포함하는 태양 전지의 제조 방법
10 10
삭제
11 11
제9항에 있어서,상기 다공성층을 외부 노출시키는 단계에서, 상기 홀을 상기 복수의 구조체들이 뻗은 방향과 나란한 방향을 따라 상기 복수의 구조체들의 이격 공간에 대응하는 위치에 형성하는 태양 전지의 제조 방법
12 12
제9항에 있어서,상기 제1 에피택셜층을 다공성층으로 변환하는 단계에서, 상기 다공성층의 공극률은 10% 내지 70%인 태양 전지의 제조 방법
13 13
제9항에 있어서,상기 제2 에피택셜층을 제공하는 단계와 상기 제2 에피택셜층을 복수의 반도체층들로 변환하는 단계가 동시에 이루어지는 태양 전지의 제조 방법
14 14
제9항에 있어서,상기 템플레이트를 제공하는 단계는 상기 복수의 구조체들을 제공하는 단계를 포함하고,상기 복수의 구조체들을 제공하는 단계는,상호 이격된 제1 구조체들을 제공하는 단계, 및 상기 제1 구조체들과 이격되고, 상기 제1 구조체의 폭보다 큰 폭을 가지는 제2 구조체를 제공하는 단계를 포함하는 태양 전지의 제조 방법
15 15
제14항에 있어서,상기 제1 구조체들은 막대 형상을 가지고, 상기 제2 구조체들은 격벽 형상을 가지는 태양 전지의 제조 방법
16 16
제14항에 있어서,상기 제2 구조체가 뻗은 방향과 교차하는 방향으로 뻗고, 격벽 형상을 가지는 복수의 제3 구조체들을 제공하는 단계를 더 포함하는 태양 전지의 제조 방법
17 17
제16항에 있어서,상기 복수의 반도체층들 위에 도전체를 제공하는 단계와 상기 도전체를 덮는 수지 고정층을 제공하는 단계 사이에 상기 도전체와 연결된 외부 인출 도전체를 상기 제2 구조체 위에 제공하는 단계를 더 포함하는 태양 전지의 제조 방법
18 18
제9항에 있어서,상기 제2 에피택셜층을 복수의 반도체층들로 변환하는 단계는,p형 반도체층을 제공하는 단계, 및상기 p형 반도체층 위에 n형 반도체층을 제공하는 단계를 포함하는 태양 전지의 제조 방법
19 19
삭제
20 20
제9항에 있어서,상기 또다른 도전체를 제공하는 단계에서, 상기 제2 도전체를 무전해 도금하여 형성하고, 상기 제2 도전체는 기판 및 상기 기판 위에 위치한 복수의 도전성 구조체들을 포함하는 태양 전지의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부(산자부) 한양대학교 산학협력단 에너지기술개발사업(신·재생에너지기술개발사업) 실리콘와이어기반의 차세대 박막 태양전지 연구센터