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1 내지 20 층의 그라펜을 포함하는 하부 시트; 및상기 하부 시트 상에 형성되며, 상기 하부 시트보다 많은 층의 그라펜을 포함하는 리지(ridge);를 포함하고,상기 리지는 금속의 결정립 경계(grain boundary) 형상이고, 하부 시트는 평탄한 시트인 것인 그라펜 시트
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제 1 항에 있어서,상기 리지는 3 내지 50 층의 그라펜을 포함하는 것인 그라펜 시트
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제 1 항에 있어서,상기 금속의 결정립의 크기는 10nm 내지 10mm 인 것인 그라펜 시트
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제 1 항에 있어서,상기 금속의 결정립의 크기는 10nm 내지 500㎛ 인 것인 그라펜 시트
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제 1 항에 있어서,상기 금속의 결정립의 크기는 50nm 내지 10㎛ 인 것인 그라펜 시트
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삭제
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제 1 항에 있어서,상기 금속은 Ni, Co, Fe, Pt, Au, Al, Cr, Cu, Mg, Mn, Mo, Rh, Si, Ta, Ti, W, U, V, Zr, Zn, Sr
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8
제 1 항에 있어서,상기 그라펜 시트의 광투과도는 60% 이상인 것인 그라펜 시트
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제 1 항에 있어서,상기 그라펜 시트의 광투과도는 80% 이상인 것인 그라펜 시트
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제 1 항에 있어서,상기 그라펜 시트의 면저항은 2,000Ω/square 이하인 것인 그라펜 시트
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제 1 항에 있어서,상기 그라펜 시트의 면저항은 274Ω/square 이하인 것인 그라펜 시트
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12
제 1 항에 있어서,상기 그라펜 시트의 면저항은 100Ω/square 이하인 것인 그라펜 시트
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13
제 1 항 내지 제 5 항 및 제 7 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 따른 그라펜 시트를 포함하는 투명 전극
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14
제 1 항 내지 제 5 항 및 제 7 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 따른 그라펜 시트를 포함하는 활성층
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15
제 13 항에 따른 투명 전극을 구비하는 표시소자
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16
제 14 항에 따른 활성층을 구비하는 전자소자
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17
제 15 항에 있어서,상기 표시소자가 액정 표시소자, 전자 종이 표시소자 또는 광전소자인 것인 표시소자
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18
제 16 항에 있어서,상기 전자소자가 트랜지스터, 센서 또는 유무기 반도체 디바이스인 것인 전자소자
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애노드; 정공 수송층; 발광층; 전자 수송층 및 캐소드를 구비하며,상기 애노드가 제 13 항에 따른 투명 전극인 것인 광전소자
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제 19 항에 있어서,상기 광전소자는 전자 주입층 및 정공 주입층을 더 구비하는 것인 광전소자
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제 13 항에 따른 투명 전극을 구비하는 배터리
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제 13 항에 따른 투명 전극을 구비하는 태양전지
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기판상에 적층되는 하부 전극층과 상부전극층 사이에 적어도 하나의 활성층을 구비하는 태양전지에 있어서, 상기 활성층은 제 14 항에 따른 활성층인 것인 태양전지
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반도체 전극, 전해질층 및 대향 전극을 포함하며, 상기 반도체 전극이 투명 전극 및 광흡수층으로 이루어지고, 상기 광흡수층이 나노입자 산화물 및 염료를 포함하는 염료감응 태양전지로서,상기 투명 전극 및 대향 전극이 제 13 항에 따른 투명 전극인 것인 염료감응 태양전지
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