요약 | 제1 반도체 층, 활성층 및 제2 반도체 층을 포함하는 발광 구조 층을 차례로 형성하는 단계, 상기 발광 구조 층 위에 전극용 도전층을 형성하는 단계, 상기 전극용 도전층 위에 복수의 나노 패턴을 형성하는 단계, 상기 나노 패턴을 마스크로 하여 상기 전극용 도전층을 식각하여 복수의 전극 나노체를 형성하는 단계, 상기 나노 패턴을 마스크로 하여 상기 발광 구조층을 식각하여 복수의 발광 나노체를 형성하는 단계, 그리고 상기 나노 패턴을 제거하는 단계를 포함하는 발광 다이오드의 제조 방법 및 상기 방법으로 제조된 발광 다이오드에 관한 것이다. |
---|---|
Int. CL | H01L 33/20 (2014.01) H01L 33/36 (2014.01) |
CPC | H01L 33/22(2013.01) H01L 33/22(2013.01) H01L 33/22(2013.01) H01L 33/22(2013.01) |
출원번호/일자 | 1020110003064 (2011.01.12) |
출원인 | 울산과학기술원 산학협력단 |
등록번호/일자 | 10-1312661-0000 (2013.09.23) |
공개번호/일자 | 10-2012-0081759 (2012.07.20) 문서열기 |
공고번호/일자 | (20130927) 문서열기 |
국제출원번호/일자 | |
국제공개번호/일자 | |
우선권정보 | |
법적상태 | 등록 |
심사진행상태 | 수리 |
심판사항 | |
구분 | 신규 |
원출원번호/일자 | |
관련 출원번호 | |
심사청구여부/일자 | Y (2011.01.12) |
심사청구항수 | 16 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 울산과학기술원 산학협력단 | 대한민국 | 울산광역시 울주군 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 박기복 | 대한민국 | 울산광역시 울주군 |
2 | 권순용 | 대한민국 | 울산광역시 울주군 |
3 | 고흥석 | 대한민국 | 대구광역시 동구 |
4 | 전영은 | 대한민국 | 울산광역시 남구 |
5 | 최재경 | 대한민국 | 울산광역시 중구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 유미특허법인 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 서림빌딩 **층 (역삼동) |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 울산과학기술원 | 울산광역시 울주군 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2011.01.12 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0025401-08 |
2 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2011.02.09 | 수리 (Accepted) | 4-1-2011-5023649-42 |
3 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2011.02.25 | 수리 (Accepted) | 4-1-2011-5036213-54 |
4 | [출원서등 보정]보정서 [Amendment to Patent Application, etc.] Amendment |
2012.01.10 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0024687-04 |
5 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2012.01.18 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
6 | [출원서등 보정]보정서 [Amendment to Patent Application, etc.] Amendment |
2012.01.19 | 불수리 (Non-acceptance) | 1-1-2012-0052067-18 |
7 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2012.02.15 | 수리 (Accepted) | 9-1-2012-0009994-62 |
8 | 서류반려이유통지서 Notice of Reason for Return of Document |
2012.03.22 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2012-0032201-65 |
9 | [출원서등 보정]보정서 [Amendment to Patent Application, etc.] Amendment |
2012.03.23 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0234186-56 |
10 | [반려요청]서류반려요청(반환신청)서 [Request for Return] Request for Return of Document |
2012.03.23 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0234184-65 |
11 | 서류반려통지서 Notice for Return of Document |
2012.03.26 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2012-0034395-49 |
12 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2012.06.11 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0335192-68 |
13 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2012.08.10 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2012-0642344-88 |
14 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2012.08.10 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0642342-97 |
15 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2012.12.30 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0800360-17 |
16 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2013.01.07 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5002604-31 |
17 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 [Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief) |
2013.02.27 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0178348-98 |
18 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2013.03.28 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0271608-79 |
19 | 등록결정서 Decision to grant |
2013.08.28 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0596868-57 |
20 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.12.31 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5176347-51 |
번호 | 청구항 |
---|---|
1 |
1 제1 반도체 층, 활성층 및 제2 반도체 층을 포함하는 발광 구조 층을 차례로 형성하는 단계,상기 발광 구조 층 위에 전극용 도전층을 형성하는 단계,상기 전극용 도전층 위에 복수의 나노 패턴을 형성하는 단계,상기 나노 패턴을 마스크로 하여 상기 전극용 도전층을 식각하여 복수의 전극 나노체를 형성하는 단계,상기 나노 패턴을 마스크로 하여 상기 발광 구조층을 식각하여 복수의 발광 나노체를 형성하는 단계, 그리고상기 나노 패턴을 제거하는 단계를 포함하는 발광 다이오드의 제조 방법 |
2 |
2 제1항에서,상기 복수의 나노 패턴을 형성하는 단계는 나노 임프린팅 방법 또는 전자빔 리소그래피 방법으로 수행하는 발광 다이오드의 제조 방법 |
3 |
3 제1항에서,상기 나노 패턴을 제거하는 단계 후에 열처리하는 단계를 더 포함하는 발광 다이오드의 제조 방법 |
4 |
4 제3항에서,상기 열처리하는 단계는 500 내지 850 ℃에서 수행하는 발광 다이오드의 제조 방법 |
5 |
5 제1항에서,상기 복수의 나노 패턴은 서로 분리되어 있는 발광 다이오드의 제조 방법 |
6 |
6 제5항에서,상기 나노 패턴을 제거하는 단계 후에 상기 복수의 전극 나노체를 연결하는 도전성 박막을 형성하는 단계를 더 포함하는 발광 다이오드의 제조 방법 |
7 |
7 제1항에서,상기 복수의 나노 패턴은 서로 연결되어 있는 발광 다이오드의 제조 방법 |
8 |
8 제1 반도체 나노체, 활성 나노체 및 제2 반도체 나노체를 포함하는 복수의 발광 나노체, 그리고상기 복수의 발광 나노체 위에 형성되어 있는 복수의 전극 나노체를 포함하고,상기 발광 나노체 및 상기 전극 나노체는 동일한 평면 모양을 가지며,상기 발광 나노체는 패턴화되어 인접한 발광 나노체와 이격되어 있으며, 상기 전극 나노체는 패턴화되어 인접한 전극 나노체와 이격되어 있는발광 다이오드 |
9 |
9 삭제 |
10 |
10 제8항에서,상기 복수의 발광 나노체는 서로 분리되어 있고,상기 복수의 전극 나노체는 서로 분리되어 있는 발광 다이오드 |
11 |
11 제10항에서,상기 복수의 전극 나노체 위에 위치하며 상기 복수의 전극 나노체의 말단을 연결하는 도전성 박막을 더 포함하는 발광 다이오드 |
12 |
12 제11항에서,상기 도전성 박막은 금속, 그래핀, 도전성 고분자 또는 이들의 조합을 포함하는 발광 다이오드 |
13 |
13 제8항에서,상기 복수의 발광 나노체는 서로 연결되어 있고,상기 복수의 전극 나노체는 서로 연결되어 있는발광 다이오드 |
14 |
14 제13항에서,상기 발광 나노체는 발광 나노 본체 및 상기 인접한 발광 나노 본체 사이를 연결하는 연결부를 포함하고,상기 전극 나노체는전극 나노 본체 및 상기 인접한 전극 나노 본체 사이를 연결하는 연결부를 포함하는발광 다이오드 |
15 |
15 제8항에서,상기 발광 나노체 및 상기 전극 나노체는 각각 50 내지 500nm의 폭을 가지는 발광 다이오드 |
16 |
16 제8항에서,상기 발광 나노체는 질화물 반도체를 포함하는 발광 다이오드 |
17 |
17 제8항에서,상기 전극 나노체는 금속을 포함하는 발광 다이오드 |
지정국 정보가 없습니다 |
---|
패밀리정보가 없습니다 |
---|
순번 | 연구부처 | 주관기관 | 연구사업 | 연구과제 |
---|---|---|---|---|
1 | 교육과학기술부 | 국립대학법인 울산과학기술대학교 산학협력단 | [울산지방과학연구단지] 기초.원천연구분야 연구테마지원사업 | 수직 배열된 반도체 나노선/막대 기반 고출력 발광 다이오드 제작 및 특성평가 |
특허 등록번호 | 10-1312661-0000 |
---|
표시번호 | 사항 |
---|---|
1 |
출원 연월일 : 20110112 출원 번호 : 1020110003064 공고 연월일 : 20130927 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20130828 청구범위의 항수 : 16 유별 : H01L 33/20 발명의 명칭 : 나노체 기반 발광 다이오드 및 그 제조 방법 존속기간(예정)만료일 : |
순위번호 | 사항 |
---|---|
1 |
(권리자) 울산과학기술원 산학협력단 울산광역시 울주군... |
2 |
(의무자) 울산과학기술원 산학협력단 울산광역시 울주군... |
2 |
(권리자) 울산과학기술원 울산광역시 울주군... |
제 1 - 3 년분 | 금 액 | 334,500 원 | 2013년 09월 23일 | 납입 |
제 4 년분 | 금 액 | 274,400 원 | 2016년 09월 05일 | 납입 |
제 5 년분 | 금 액 | 274,400 원 | 2017년 07월 07일 | 납입 |
제 6 년분 | 금 액 | 196,000 원 | 2018년 07월 04일 | 납입 |
제 7 년분 | 금 액 | 354,000 원 | 2019년 06월 25일 | 납입 |
제 8 년분 | 금 액 | 354,000 원 | 2020년 06월 29일 | 납입 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 | 2011.01.12 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0025401-08 |
2 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2011.02.09 | 수리 (Accepted) | 4-1-2011-5023649-42 |
3 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2011.02.25 | 수리 (Accepted) | 4-1-2011-5036213-54 |
4 | [출원서등 보정]보정서 | 2012.01.10 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0024687-04 |
5 | 선행기술조사의뢰서 | 2012.01.18 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
6 | [출원서등 보정]보정서 | 2012.01.19 | 불수리 (Non-acceptance) | 1-1-2012-0052067-18 |
7 | 선행기술조사보고서 | 2012.02.15 | 수리 (Accepted) | 9-1-2012-0009994-62 |
8 | 서류반려이유통지서 | 2012.03.22 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2012-0032201-65 |
9 | [출원서등 보정]보정서 | 2012.03.23 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0234186-56 |
10 | [반려요청]서류반려요청(반환신청)서 | 2012.03.23 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0234184-65 |
11 | 서류반려통지서 | 2012.03.26 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2012-0034395-49 |
12 | 의견제출통지서 | 2012.06.11 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0335192-68 |
13 | [명세서등 보정]보정서 | 2012.08.10 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2012-0642344-88 |
14 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2012.08.10 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0642342-97 |
15 | 의견제출통지서 | 2012.12.30 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0800360-17 |
16 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2013.01.07 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5002604-31 |
17 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 | 2013.02.27 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0178348-98 |
18 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2013.03.28 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0271608-79 |
19 | 등록결정서 | 2013.08.28 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0596868-57 |
20 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2015.12.31 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5176347-51 |
기술정보가 없습니다 |
---|
과제고유번호 | 1711008420 |
---|---|
세부과제번호 | 울산-001 |
연구과제명 | 울산과기대출연지원 |
성과구분 | 등록 |
부처명 | 미래창조과학부 |
연구관리전문기관명 | |
연구주관기관명 | |
성과제출연도 | 2013 |
연구기간 | 200701~999912 |
기여율 | 1 |
연구개발단계명 | 기타 |
6T분류명 | 기타 |
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