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은 코팅 판상 산화 제1주석 분말 및 그 합성 방법

  • 기술번호 : KST2016000593
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 판상 산화 제1 주석(SnO) 분말 상에 은(Ag)을 코팅하는 은 코팅 판상 산화 제1주석 분말 및 그 합성 방법에 관한 것으로, Sn6O4(OH)4석출물의 용해-재석출 반응으로 산화 제1주석을 형성하고, 상기 산화 제1주석 위에 Ag를 코팅하는 단계를 포함하며, 상기 Ag 코팅은 SnO 분말을 순수한 물에 분산시켜 제1 용액을 마련하는 단계, AgNO3를 물에 용해시킨 후 Ag-암모니아 착이온을 형성한 제2 용액을 마련하는 단계, 상기 제1 용액과 상기 제2 용액을 혼합하여 일정온도 유지 후 HCHO를 첨가하는 단계를 포함하는 구성을 마련한다.상기와 같은 은 코팅 판상 산화 제1주석 분말 및 그 합성 방법을 이용하는 것에 의해, 고가의 순수 Ag분말을 대체할 수 있다.
Int. CL C01G 19/02 (2006.01) B22F 1/02 (2006.01) B22F 9/00 (2006.01)
CPC C01G 19/02(2013.01) C01G 19/02(2013.01) C01G 19/02(2013.01) C01G 19/02(2013.01)
출원번호/일자 1020120006912 (2012.01.20)
출원인 동아대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1351259-0000 (2014.01.02)
공개번호/일자 10-2013-0085819 (2013.07.30) 문서열기
공고번호/일자 (20140114) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.01.20)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 동아대학교 산학협력단 대한민국 부산광역시 사하구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김인수 대한민국 부산 사하구
2 박채민 대한민국 부산광역시 서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 강세창 대한민국 서울 서초구 서초동 **** - ** 용빌딩 *층(명국제특허법률사무소)
2 원성수 대한민국 서울특별시 송파구 법원로**, ***호, ***호(문정동,문정법조프라자) (특허법인명)
3 박종경 대한민국 서울특별시 송파구 법원로**, ***호, ***호(문정동,문정법조프라자) (특허법인명)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 동아대학교기술지주 주식회사 부산광역시 사하구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.01.20 수리 (Accepted) 1-1-2012-0057115-73
2 보정요구서
Request for Amendment
2012.02.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2012-0020484-32
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2012.03.08 수리 (Accepted) 1-1-2012-0187886-16
4 보정요구서
Request for Amendment
2012.03.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2012-0027221-50
5 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2012.03.20 수리 (Accepted) 1-1-2012-0222644-30
6 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2012.04.23 수리 (Accepted) 1-1-2012-0319588-12
7 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2012.04.24 수리 (Accepted) 1-1-2012-0325045-39
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.02.20 수리 (Accepted) 4-1-2013-0003462-84
9 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2013.02.28 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
10 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2013.04.09 수리 (Accepted) 9-1-2013-0028417-75
11 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.07.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0457739-05
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.07.16 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0637322-01
13 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.07.16 수리 (Accepted) 1-1-2013-0637319-63
14 [복대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Sub-agent] Report on Agent (Representative)
2013.07.23 수리 (Accepted) 1-1-2013-0666285-78
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.08.23 수리 (Accepted) 4-1-2013-5115545-52
16 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2013.11.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0833136-04
17 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2013.12.13 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2013-1145166-46
18 등록결정서
Decision to Grant Registration
2013.12.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0899090-16
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.04.15 수리 (Accepted) 4-1-2014-5046693-38
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.03 수리 (Accepted) 4-1-2015-5015182-38
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.10.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5140465-53
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(a) Sn6O4(OH)4석출물의 용해-재석출 반응으로 산화 제1주석을 형성하는 단계, 및 (b) 상기 산화 제1주석 위에 Ag를 코팅하는 단계를 포함하고,상기 단계 (b)에서의 Ag 코팅은, (b-1) SnO 분말을 순수한 물에 분산시켜 제1 용액을 마련하는 단계, (b-2) AgNO3를 물에 용해시킨 후 Ag-암모니아 착이온을 형성한 제2 용액을 마련하는 단계, (b-3) 상기 단계 (b-1)의 제1 용액과 상기 단계 (b-2)의 제2 용액을 혼합하여 일정온도 유지 후 HCHO를 첨가하는 단계를 포함하며,상기 단계 (b-1)은 물과 SnO를 질량비[물/SnO]로 1 내지 10의 범위로 섞은 후 초음파 또는 교반 처리를 통하여 분산시키는 것을 특징으로 하는 은 코팅 판상 산화 제1주석 분말의 합성 방법
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
제1항에 있어서,상기 단계 (b-2)는 AgNO3를 물에 녹인 후 이론적인 Ag-암모니아 착이온 형성을 위해 필요한 암모니아 몰수보다 2배-20배 사이의 암모니아를 첨가하여 Ag-암모니아 착이온을 형성하는 것을 특징으로 하는 은 코팅 판상 산화 제1주석 분말의 합성 방법
5 5
제1항에 있어서,상기 (b-3)에서 온도는 25-45℃ 유지 후, 이론적인 Ag 환원에 필요한 HCHO의 양보다 7배 이하를 첨가하여 Ag를 환원시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 은 코팅 판상 산화 제1주석 분말의 합성 방법
6 6
제1항에 있어서,상기 단계 (b)에서의 Ag 코팅은 무전해 도금 방법으로 실행되며, 반응식은 Ag(NH3)2+ + HCHO + 2OH- = Ag + 2NH3 + HCOO- + H2O + 1/2H2(g)로 이루어진 것을 특징으로 하는 은 코팅 판상 산화 제1주석 분말의 합성 방법
7 7
삭제
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패밀리정보가 없습니다
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