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적외선 열화상 카메라를 이용하여 측정된 반도체 소자 온도 분포를 보정하는 시스템에 있어서,열전소자;상기 열전소자 상부에 차례로 형성되는 힛씽크;상기 힛씽크의 일 영역에 형성되며 상부에 반도체 소자를 구비하는 반도체 기판과, 상기 반도체 기판과 인접하며 상기 힛씽크의 타 영역 상에 형성되는 더미 기판; 및상기 더미 기판 상에 형성된 블랙 페인트 영역을 구비하되,상기 블랙페인트 영역의 온도를 측정하여 반도체 소자의 흑체 온도로 사용하는 시스템
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제1 항에 있어서,상기 반도체 기판의 상부 빈 공간에 추가로 블랙 페인트가 구비되는 시스템
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제2 항에 있어서, 상기 더미기판 상의 적어도 일지점의 온도를 측정하기 위해 온도센서가 추가되는 시스템
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적외선 열화상 카메라를 이용하여 측정된 반도체 소자 온도 분포의 보정 방법에 있어서,(a) 반도체 소자가 형성된 기판 이외의 더미기판 상에 블랙 페인트 영역을 형성하는 단계로서, 상기 블랙페인트 영역의 온도를 측정하여 반도체 소자의 흑체 온도로 사용하기 위한 단계;(b) 적외선 열화상 카메라를 이용한 반도체 소자 온도 분포 측정 시 적외선 열화상 카메라의 출력 신호가 아래 식으로 표시되는 경우, ----(1)(여기서 R(x,y)는 대기투과 특성, 광학계 투과특성, 검출기 응답특성을 포함하는 측정 시스템의 응답특성, εs(x,y)는 샘플의 방사율 분포, Ibb는 흑체복사 신호, rs는 시료의 반사율, Iamb는 시료표면으로 입사하는 주변복사 신호, Iback는 시료 표면 복사 및 시료표면에서 반사되는 복사를 제외한 배경복사 신호, Ir은 시료로부터 반사되는 복사 신호, Ioffset는 부가적인 오프셋 복사 신호)서로 다른 두 온도 T1, T2 (T1003c#T2)의 상기 블랙 페인트 영역에서 2개의 적외선 열화상 이미지를 측정하여, 아래 2개의 식을 이용하여 시스템 응답특성(R(x,y))과 오프셋 신호 이미지(Ioffset(x,y))를 결정하는 단계; 및 ----(2)(c) 결정된 R(x,y)과 Ioffset(x,y) 를 식(1)에 대입하고 IsR,Ioffset [T(x,y)]을 식(3)과 같이 정의함으로써 Is[T(x,y)]를 보정하는 단계를 구비한 적외선 열화상 카메라를 이용하여 측정된 반도체 소자 온도분포의 보정 방법
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제4 항에 있어서,상기 반도체 소자 기판 상에 블랙 페인트된 포인트를 형성하는 단계를 더 구비하되, 상기 (c)단계 이후에,(d) 서로 다른 두 온도 T1, T2 (T1003c#T2)를 가지는 2개의 반도체 소자 이미지를 측정하여, 아래 식(4)를 이용하여 샘플의 방사율 분포(εs(x,y))와 반사 복사 이미지(Ir(x,y))를 결정하는 단계를 구비하는 적외선 열화상 카메라를 이용하여 측정된 반도체 소자 온도분포의 보정 방법
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제5 항에 있어서,상기 반도체 소자의 온도 이미지 T(x,y)는, 결정된 반사 복사 이미지 (Ir(x,y))를 식(3)에 대입하여 반사된 복사 부분을 소거함으로써 반사 복사 부분이 제거된 보정된 샘플로부터의 적외선 열복사를 구한다음, 상기 결정된 방사율 분포(εs(x,y))을 이용하여 픽셀단위로 방사율 값들과 캘리브래이션 함수를 적용함으로써 얻어지는 적외선 열화상 카메라를 이용하여 측정된 반도체 소자 온도분포의 보정 방법
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