| 1 |
1
CoSb3 열전반도체에 제1 금속 플레이트, 제2 금속 플레이트, 은구리계 합금 플레이트 및 구리몰리브덴(CuMo) 전극이 순차적으로 적층되어 접합된 구조를 가지며, 상기 열전반도체와 상기 제2 금속 플레이트 사이의 접합력을 증진시키는 역할을 하는 상기 제1 금속 플레이트는 금(Au) 또는 금(Au) 합금으로 이루어지고, 구리(Cu) 또는 은(Ag)이 상기 열전반도체로 확산되는 것을 방지하는 역할을 하는 상기 제2 금속 플레이트는 티타늄(Ti) 금속 또는 티타늄(Ti) 합금으로 이루어지며, 상기 구리몰리브덴(CuMo) 전극은 구리(Cu)와 몰리브덴(Mo)이 부피비로 1:0
|
| 2 |
2
제1항에 있어서, 상기 은구리계 합금 플레이트는 은(Ag)과 구리(Cu)가 중량비로 10:90∼90:10의 비율로 이루어진 은구리(AgCu) 합금으로 이루어진 것을 특징으로 하는 열전소자
|
| 3 |
3
제1항에 있어서, 상기 은구리계 합금 플레이트는 은(Ag)과 구리(Cu) 성분 이외에 은(Ag)과 구리(Cu)의 전체 함량 100중량부에 대하여 아연(Zn), 카드뮴(Cd), 니켈(Ni), 주석(Sn), 망간(Mn) 및 인듐(In) 중에서 선택된 1종 이상의 금속 성분 1∼600중량부를 더 포함하는 합금으로 이루어진 것을 특징으로 하는 열전소자
|
| 4 |
4
제1항에 있어서, 상기 은구리계 합금 플레이트는, 은(Ag) 5∼90중량%, 구리(Cu) 5∼90중량% 및 아연(Zn) 1
|
| 5 |
5
삭제
|
| 6 |
6
제1항에 있어서, 상기 열전소자는, CoSb3 열전반도체의 제1면에 제1 금속 플레이트, 제2 금속 플레이트, 은구리계 합금 플레이트 및 구리몰리브덴(CuMo) 전극이 순차적으로 적층되어 접합된 구조로 이루어지고, CoSb3 열전반도체의 제2면에 제1 금속 플레이트, 제2 금속 플레이트, 은구리계 합금 플레이트 및 구리몰리브덴(CuMo) 전극이 순차적으로 적층되어 접합된 구조로 이루어진 것을 특징으로 하는 열전소자
|
| 7 |
7
(a) CoSb3 열전반도체, 제1 금속 플레이트, 제2 금속 플레이트, 은구리계 합금 플레이트 및 구리몰리브덴(CuMo) 전극을 준비하는 단계;(b) 상기 열전반도체, 상기 제1 금속 플레이트, 상기 제2 금속 플레이트, 상기 은구리계 합금 플레이트 및 상기 구리몰리브덴(CuMo) 전극을 접합하려는 면이 서로 닿도록 접촉시켜 몰드에 충진하고 방전 플라즈마 소결 장치의 챔버에 세팅하는 단계;(c) 상기 챔버 내부를 진공화시켜 감압하고, 상기 구리몰리브덴(CuMo) 전극, 상기 은구리계 합금 플레이트, 상기 제2 금속 플레이트, 상기 제1 금속 플레이트 및 상기 열전반도체를 가압하면서 직류펄스를 인가하여 열전반도체, 제1 금속, 제2 금속, 은구리계 합금 및 구리(Cu)의 용융 온도보다 낮은 목표하는 접합 온도로 상승시키는 단계;(d) 상기 구리몰리브덴(CuMo) 전극, 상기 은구리계 합금 플레이트, 상기 제2 금속 플레이트, 상기 제1 금속 플레이트 및 상기 열전반도체를 상기 접합 온도에서 가압하면서 상기 구리몰리브덴(CuMo) 전극과 상기 은구리계 합금 플레이트, 상기 은구리계 합금 플레이트와 상기 제2 금속 플레이트, 상기 제2 금속 플레이트와 상기 제1 금속 플레이트, 상기 제1 금속 플레이트와 상기 열전반도체가 서로 접합되게 하는 단계; 및(e) 상기 챔버의 온도를 냉각하여 열전소자를 얻는 단계를 포함하며, 상기 열전반도체와 상기 제2 금속 플레이트 사이의 접합력을 증진시키는 역할을 하는 상기 제1 금속 플레이트는 금(Au) 또는 금(Au) 합금으로 이루어지고, 구리(Cu) 또는 은(Ag)이 상기 열전반도체로 확산되는 것을 방지하는 역할을 하는 상기 제2 금속 플레이트는 티타늄(Ti) 금속 또는 티타늄(Ti) 합금으로 이루어지며, 상기 구리몰리브덴(CuMo) 전극은 구리(Cu)와 몰리브덴(Mo)이 부피비로 1:0
|
| 8 |
8
제7항에 있어서, 상기 열전반도체의 준비는,CoSb3 분말을 몰드에 충진하고 방전 플라즈마 소결 장치의 챔버에 세팅하는 단계; 상기 챔버 내부를 진공화시켜 감압하고 상기 CoSb3 분말을 가압하면서 직류펄스를 인가하여 CoSb3 분말의 용융 온도보다 낮은 목표하는 소결 온도로 상승시키는 단계; 상기 소결 온도에서 상기 CoSb3 분말을 가압하면서 상기 CoSb3 분말을 방전 플라즈마 소결하는 단계; 및 상기 챔버의 온도를 냉각하여 CoSb3 열전반도체를 얻는 단계를 포함하는 열전소자의 제조방법
|
| 9 |
9
제7항에 있어서, 상기 구리몰리브덴(CuMo) 전극의 준비는,Cu 분말과 Mo 분말을 몰드에 충진하고 방전 플라즈마 소결 장치의 챔버에 세팅하는 단계; 상기 챔버 내부를 진공화시켜 감압하고 상기 Cu 분말과 상기 Mo 분말을 가압하면서 직류펄스를 인가하여 Cu 분말과 Mo 분말의 용융 온도보다 낮은 목표하는 소결 온도로 상승시키는 단계; 상기 소결 온도에서 상기 Cu 분말과 상기 Mo 분말을 가압하면서 Cu 분말과 Mo 분말을 방전 플라즈마 소결하는 단계; 및 상기 챔버의 온도를 냉각하여 구리몰리브덴(CuMo) 전극을 얻는 단계를 포함하는 열전소자의 제조방법
|
| 10 |
10
제9항에 있어서, 상기 구리(Cu) 분말과 상기 몰리브덴(Mo) 분말은 부피비로 1:0
|
| 11 |
11
제7항에 있어서, 상기 은구리계 합금 플레이트는 은(Ag)과 구리(Cu)가 중량비로 10:90∼90:10의 비율로 이루어진 은구리(AgCu) 합금으로 이루어진 것을 특징으로 하는 열전소자의 제조방법
|
| 12 |
12
제7항에 있어서, 상기 은구리계 합금 플레이트는 은(Ag)과 구리(Cu) 성분 이외에 은(Ag)과 구리(Cu)의 전체 함량 100중량부에 대하여 아연(Zn), 카드뮴(Cd), 니켈(Ni), 주석(Sn), 망간(Mn) 및 인듐(In) 중에서 선택된 1종 이상의 금속 성분 1∼600중량부를 더 포함하는 합금으로 이루어진 것을 특징으로 하는 열전소자의 제조방법
|
| 13 |
13
제7항에 있어서, 상기 은구리계 합금 플레이트는, 은(Ag) 5∼90중량%, 구리(Cu) 5∼90중량% 및 아연(Zn) 1
|
| 14 |
14
제7항에 있어서, 상기 열전소자는, CoSb3 열전반도체의 제1면에 제1 금속 플레이트, 제2 금속 플레이트, 은구리계 합금 플레이트 및 구리몰리브덴(CuMo) 전극이 순차적으로 적층되어 접합된 구조로 이루어지고, CoSb3 열전반도체의 제2면에 제1 금속 플레이트, 제2 금속 플레이트, 은구리계 합금 플레이트 및 구리몰리브덴(CuMo) 전극이 순차적으로 적층되어 접합된 구조로 이루어진 것을 특징으로 하는 열전소자의 제조방법
|
| 15 |
15
제7항에 있어서, 상기 구리몰리브덴(CuMo) 전극, 상기 은구리계 합금 플레이트, 상기 제2 금속 플레이트, 상기 제1 금속 플레이트 및 상기 열전반도체의 가압은 1축 방향으로 이루어지고, 직류펄스는 가압방향과 평행한 방향으로 인가하며, 상기 구리몰리브덴(CuMo) 전극과 상기 은구리계 합금 플레이트, 상기 은구리계 합금 플레이트와 상기 제2 금속 플레이트, 상기 제2 금속 플레이트와 상기 제1 금속 플레이트, 상기 제1 금속 플레이트와 상기 열전반도체가 서로 접합되는 접합 온도는 500∼580℃이고, 상기 접합 온도에서 5분∼6시간 동안 유지되어 접합되며, 상기 챔버 내부는 1
|
