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저온동시소성세라믹스 모듈의 제조방법

  • 기술번호 : KST2016000687
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 의한 저온동시소성세라믹스 모듈의 제조방법은 복수의 적층된 금속산화물층들과, 이들 층간에 각각 임베디드되는 희생글래스층들과, 상기 금속산화물 층들의 상부에 인쇄된 복수의 전극층을 포함하는 저온동시소성세라믹스 모듈의 제조방법에 있어서, 상기 전극층의 전극분말을 상기 희생글래스에 대한 접촉각이 상기 금속산화물들의 경우보다 더 큰 화합물로 코팅함으로써 소결시 상기 전극층으로의 상기 희생글래스의 함침을 방지할 수 있다. 이때, 상기 화합물은 BaTiO3를 포함한다. 저온동시소성세라믹스, LTCC, 희생글래스, 함침, 티탄산바륨
Int. CL H01G 4/12 (2006.01)
CPC H01G 4/1227(2013.01) H01G 4/1227(2013.01) H01G 4/1227(2013.01) H01G 4/1227(2013.01)
출원번호/일자 1020080049556 (2008.05.28)
출원인 한국세라믹기술원
등록번호/일자 10-0973059-0000 (2010.07.23)
공개번호/일자 10-2009-0123466 (2009.12.02) 문서열기
공고번호/일자 (20100729) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.05.28)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국세라믹기술원 대한민국 경상남도 진주시 소호로 ***

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 신효순 대한민국 경기도 수원시 장안구
2 여동훈 대한민국 서울특별시 송파구
3 홍연우 대한민국 대구광역시 중구
4 김종희 대한민국 서울특별시 송파구
5 조태진 대한민국 경기도 성남시 중원구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이두희 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 한신인터밸리 서관 ****호 이훈국제특허법률사무소 (역삼동)
2 이훈 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 한신인터밸리 서관 ****호 이훈국제특허법률사무소 (역삼동)
3 특허법인충정 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로***,*층(역삼동,성보역삼빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국세라믹기술원 대한민국 경상남도 진주시 소호로 ***
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2008.05.28 수리 (Accepted) 1-1-2008-0380887-51
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2008-5187618-45
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2009.03.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2009.04.13 수리 (Accepted) 9-1-2009-0021608-53
5 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status
2009.07.06 수리 (Accepted) 1-1-2009-0410356-13
6 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2009.07.14 수리 (Accepted) 1-1-2009-0427491-55
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2009.11.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0486509-52
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2010.01.15 수리 (Accepted) 1-1-2010-0026532-14
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2010.01.15 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0026556-09
10 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2010.05.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0201431-53
11 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2010.05.26 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2010-0021925-77
12 등록결정서
Decision to grant
2010.07.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0291625-46
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.01.03 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000353-25
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.03.31 수리 (Accepted) 4-1-2015-5040685-78
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
복수의 적층된 금속산화물층들과, 이들 층간에 각각 임베디드되는 희생글래스층들과, 상기 금속산화물층들의 상부에 인쇄된 하나 이상의 전극층을 포함하는 저온동시소성세라믹스 모듈의 제조방법에 있어서, 소결시 상기 전극층으로의 상기 희생글래스의 함침을 방지하기 위하여 상기 전극층의 전극분말을 상기 희생글래스에 대한 접촉각이 상기 금속산화물들의 경우보다 더 큰 화합물로 코팅하는 것을 포함하고, 이 화합물은 금속알콕사이드 원으로 제조된 졸(sol)이나 하나 이상의 유기화합물 또는 이들의 조합으로 되는 것을 특징으로 하는 저온동시소성세라믹스 모듈의 제조방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 화합물의 조성은 BaTiO3인 것을 특징으로 하는 저온동시소성세라믹스 모듈의 제조방법
3 3
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 화합물의 코팅량은 상기 전극분말 대비 0
4 4
삭제
5 5
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 전극분말은 은(Ag), 팔라듐(Pd) 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상으로 되는 것을 특징으로 하는 저온동시소성세라믹스 모듈의 제조방법
6 6
복수의 적층된 금속산화물층들과, 이들 층간에 각각 임베디드되는 희생글래스층들과, 상기 금속산화물 층들의 상부에 인쇄된 복수의 전극층을 포함하는 저온동시소성세라믹스 모듈의 제조방법에 있어서, 상기 전극층은 이의 전극분말을 BaTiO3 졸, 또는 Ba 및 Ti 이온포함 수용액으로 코팅하고, 이 코팅된 전극분말을 PVB 및 α-테르피네올의 용액과 혼합하여 상기 금속산화물층들의 각 표면상에 스크린 인쇄함으로써 형성되는 것을 특징으로 하는 저온동시소성세라믹스 모듈의 제조방법
7 7
제6항에 있어서, 상기 저온동시소성세라믹스 모듈은 850 내지 900℃의 범위로 소성되는 것을 특징으로 하는 저온동시소성세라믹스 모듈의 제조방법
8 8
제6항 또는 제7항에 있어서, 상기 금속산화물층의 조성은 알루미나(Al2O3)인 것을 특징으로 하는 저온동시소성세라믹스 모듈의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.