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태양전지용 광전변환막의 제조방법

  • 기술번호 : KST2016000688
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 태양전지용 광전변환막으로 사용되는 Cu(In1-xGax)Se2 (이때, 0＜x＜1)막의 균일한 제조가 가능하고 대형화 및 대량생산이 가능한 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 의하면, 먼저 솔보써멀법에 의하여 CuInSe2 및 CuGaSe2의 각 나노분말을 합성한다. 그리고, 상기 나노분말들을 입자크기 수준에서 혼합하고 페이스트로 제조한 후 소결하여 균일한 Cu(In1-xGax)Se2막을 합성하거나, 또는 상기 나노분말들로 되는 각 막들의 페이스트를 교호 적층하여 소결함으로써 상기 두 층간의 확산을 통해 균일한 Cu(In1-xGax)Se2막을 합성한다.광전변환막, 태양전지
Int. CL H01L 31/0445 (2014.01)
CPC H01L 31/0749(2013.01) H01L 31/0749(2013.01) H01L 31/0749(2013.01) H01L 31/0749(2013.01)
출원번호/일자 1020090112033 (2009.11.19)
출원인 한국세라믹기술원
등록번호/일자 10-1110214-0000 (2012.01.19)
공개번호/일자 10-2011-0055138 (2011.05.25) 문서열기
공고번호/일자 (20120313) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.11.19)
심사청구항수 16

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국세라믹기술원 대한민국 경상남도 진주시 소호로 ***

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 신효순 대한민국 경기도 수원시 장안구
2 여동훈 대한민국 서울특별시 송파구
3 홍연우 대한민국 대구광역시 수성구
4 김종희 대한민국 서울시 송파구
5 구신일 대한민국 충북 제천시
6 홍승혁 대한민국 서울시 관악구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이두희 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 한신인터밸리 서관 ****호 이훈국제특허법률사무소 (역삼동)
2 이훈 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 한신인터밸리 서관 ****호 이훈국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국세라믹기술원 경상남도 진주시 소호로 ***
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.11.19 수리 (Accepted) 1-1-2009-0710952-63
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.04.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0197089-24
3 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.06.10 수리 (Accepted) 1-1-2011-0435854-16
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.06.10 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0435910-86
5 등록결정서
Decision to grant		 2011.11.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0655269-67
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.01.03 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000353-25
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.31 수리 (Accepted) 4-1-2015-5040685-78
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번호 청구항
1 1
삭제
2 2
태양전지용 광전변환막의 제조방법에 있어서,CuInSe2 나노분말과 CuGaSe2 나노분말을 각각 제조하는 시료분말 준비단계와;상기 각 분말의 페이스트를 각각 제조하는 페이스트 제조단계와;상기 각 페이스트를 기판상에 교호 도포하여 복층구조를 형성하는 도포단계와;상기 복층구조를 열처리하여 Cu(In1-xGax)Se2 (이때, 0＜x＜1)막으로 합성하는 광전변환막 제조단계를 포함하는 태양전지용 광전변환막의 제조방법
3 3
제2항에 있어서,상기 시료분말 제조단계는CuCl2, InCl3 및 Se 분말들과, CuCl2, GaCl3 및 Se 분말들 각각을 몰비 1:1:2로 칭량하고 CuInSe2 및 CuGaSe2 용액으로 제조하는 제1단계와;상기 각 용액을 가압하며 열처리하여 각각의 CuInSe2 및 CuGaSe2 분말을 제조하는 제2단계를 포함하는 태양전지용 광전변환막의 제조방법
4 4
제3항에 있어서,상기 제1단계는 상기 각 칭량된 분말들을 소정의 용매에 투입하여 상기 각 용액으로 형성하고, 상기 용매는 디에틸아민(diethylame), 에틸렌디아민(ethylendiamine), 디에틸아민(diethylamine), 톨루엔(toluene), 에틸렌글리콜(ethylene glycol) 및 트리에탄올아민(triethanolamine)으로 이루어지는 군에서 선택된 하나 이상으로 되는 태양전지용 광전변환막의 제조방법
5 5
제4항에 있어서,상기 용매의 몰농도는 0
6 6
제3항에 있어서,상기 제2단계에서의 열처리는 150~300℃로 수행하는 태양전지용 광전변환막의 제조방법
7 7
제3항에 있어서,상기 제2단계에서의 열처리는 불활성가스 분위기로 수행하는 태양전지용 광전변환막의 제조방법
8 8
제3항에 있어서,상기 가압은 10~200㎏/㎝2의 압력으로 되는 태양전지용 광전변환막의 제조방법
9 9
제2항에 있어서,상기 페이스트 제조단계의 분말에는 바인더 및 분산제 중의 하나 이상이 첨가되고 혼합되어 페이스트로 제조되는 태양전지용 광전변환막의 제조방법
10 10
제9항에서,상기 바인더에는 TPO(terpineol) 및 BCA(ehtyl acetate) 중의 하나 이상이 첨가되는 태양전지용 광전변환막의 제조방법
11 11
제2항에 있어서,상기 도포단계는 스크린인쇄, 테이프캐스팅, 딥코팅 및 잉크젯 중의 하나 이상으로 수행되는 태양전지용 광전변환막의 제조방법
12 12
제2항에 있어서,상기 기판은 HTCC(Hot Temperature Co-Fired Ceramics) 및 LTCC(Low Temperature Co-Fired Ceramics) 중의 하나 이상으로 되는 태양전지용 광전변환막의 제조방법
13 13
제2항에 있어서,상기 광전변환막 제조단계의 열처리는 600~1200℃로 수행되는 태양전지용 광전변환막의 제조방법
14 14
제2항에 있어서,상기 광전변환막 제조단계의 열처리는 수소 및 질소의 혼합가스 분위기로 수행되는 태양전지용 광전변환막의 제조방법
15 15
제14항에 있어서,상기 혼합가스에서의 수소함량은 0보다 크고 5% 이하로 되는 태양전지용 광전변환막의 제조방법
16 16
제2항에 있어서,상기 광전변환막 제조단계의 열처리는 Se 분위기로 수행되는 태양전지용 광전변환막의 제조방법
17 17
제2항에 있어서,상기 광전변환막 제조단계의 열처리는 상기 페이스트 내에 함유된 유기첨가제를 제거하기 위한 열처리공정을 포함하는 태양전지용 광전변환막의 제조방법
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패밀리정보가 없습니다
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