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강유전체 메모리장치 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2016000705
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 제조가 용이하고 저전압에서 동작하며 데이터 유지기간이 우수한 강유전체 메모리장치와 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 있어서는 실리콘 기판(1)상의 채널 영역(4)에 대응하는 부분에 강유전체층(60)이 형성된다. 이 강유전체층(60)은 예컨대 PVDF 등의 유기물로 이루어진다. 상기 유기물 강유전체층(60)은 1V 이하의 저전압에서 분극특성을 나타내고, 이 분극특성은 시간의 경과에 따라 변동되지 않고 일정 시간 이상 지속되게 된다. 따라서, 본 발명에 있어서는 저전압에서 동작이 가능하고, 또한 간단한 구조와 제조방법을 통해 제조할 수 있는 강유전체 메모리장치가 구현된다. 강유전체 메모리
Int. CL H01L 27/1159 (2017.01.01) H01L 29/51 (2006.01.01) H01L 21/28 (2006.01.01) H01L 27/11507 (2017.01.01)
CPC H01L 27/1159(2013.01) H01L 27/1159(2013.01) H01L 27/1159(2013.01) H01L 27/1159(2013.01)
출원번호/일자 1020060085666 (2006.09.06)
출원인 서울시립대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0988227-0000 (2010.10.11)
공개번호/일자 10-2007-0030127 (2007.03.15) 문서열기
공고번호/일자 (20101018) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020050084571   |   2005.09.12
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.08.31)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울시립대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 동대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박병은 대한민국 서울특별시 양천구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 홍성훈 대한민국 전라북도 전주시 덕진구 안덕원로 **, *층 ***호(진북동,오피스밸리)(드림인국제특허법률사무소)
2 김유 대한민국 서울특별시 서초구 강남대로 ***, **층, **층(서초동, 태우빌딩)(특허법인세림)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 다빈치온 주식회사 서울특별시 동대문구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2006.09.06 수리 (Accepted) 1-1-2006-0644180-36
2 [출원인코드정정]출원인코드 정보변경(경정), 정정신고서
[Applicant Code Correction] Report on Change (Correction), Correction to Applicant Code Information
2007.09.28 수리 (Accepted) 1-1-2007-0698560-16
3 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status
2007.10.26 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2007-0769274-17
4 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status
2007.11.08 수리 (Accepted) 1-1-2007-0803366-07
5 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status
2008.08.25 수리 (Accepted) 1-1-2008-0605118-36
6 [복대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Sub-agent] Report on Agent (Representative)
2009.01.30 수리 (Accepted) 1-1-2009-5003870-62
7 [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2009.08.31 수리 (Accepted) 1-1-2009-0534849-84
8 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2009.08.31 수리 (Accepted) 1-1-2009-0533116-68
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2009.11.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0467947-46
10 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2010.01.13 수리 (Accepted) 1-1-2010-0021296-61
11 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2010.02.12 수리 (Accepted) 1-1-2010-0095310-81
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2010.03.15 수리 (Accepted) 1-1-2010-0160892-34
13 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2010.03.15 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0160891-99
14 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2010.05.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0199144-50
15 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2010.05.20 수리 (Accepted) 1-1-2010-0323993-71
16 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2010.05.20 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2010-0323994-16
17 등록결정서
Decision to grant
2010.09.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0404163-72
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.01.05 수리 (Accepted) 4-1-2011-5002044-04
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.01.03 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000287-10
20 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2014.10.07 수리 (Accepted) 1-1-2014-0954396-05
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.01.17 수리 (Accepted) 4-1-2017-5009116-18
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.09.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5191631-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
반도체 기판의 소정 영역에 형성되는 소오스 및 드레인 영역과, 상기 소오스 및 드레인 영역 사이에 형성되는 채널 영역, 상기 반도체 기판상의 상기 채널 영역에 대응하는 부분에 형성되는 유기물 강유전체층 및, 상기 소오스 영역과 드레인 영역 및 유기물 강유전체층 상에 각각 형성되는 소오스 전극과 드레인 전극 및 게이트 전극을 포함하여 구성되고, 상기 유기물 강유전체층은 반델발스결합이나 수소결합 중 어느 하나의 결합을 통해 반도체 기판과 결합되고, 상기 유기물 강유전체층은 β상 결정을 갖는 PVDF층인 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리장치
2 2
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3 3
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4 4
삭제
5 5
제1항에 있어서, 상기 강유전체층은 1㎛ 이하의 막두께를 갖는 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리장치
6 6
반도체 기판의 소정 영역에 소오스 및 드레인 영역을 형성하는 제1 단계와, 상기 소오스 및 드레인 영역의 사이에 채널 영역을 형성하는 제2 단계, 상기 반도체 기판상의 상기 채널 영역 부분에 1㎛ 이하의 막두께를 갖는 유기물 강유전체층으로서 PVDF층을 형성하는 제3 단계 및, 상기 소오스 및 드레인 영역과 상기 유기물 강유전체층 상에 전극을 형성하는 제4 단계를 포함하고, 상기 강유전체층의 결정구조를 β상으로 설정하는 강유전체층 상전이단계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리 제조방법
7 7
제6항에 있어서, 상기 제3 단계는 반도체 기판을 소정의 표면처리용액으로 처리하는 표면처리단계와, 반도체 기판상에 유기물 강유전체층을 도포하는 강유전체층 형성단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리 제조방법
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제7항에 있어서, 상기 표면처리용액은 반도체 기판의 표면에 H-기를 생성하는 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리 제조방법
9 9
삭제
10 10
제7항에 있어서, 상기 표면처리용액은 반도체 기판의 표면에 OH-기를 생성하는 것을 특징으로 하는 강유전체 메모리 제조방법
11 11
삭제
12 12
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13 13
삭제
14 14
제6항에 있어서, 상기 강유전체층 상전이단계는 상기 강유전체층의 온도를 β상결정을 이루는 온도 이상으로 상승시키는 온도상승단계와, 상기 강유전체층의 온도를 β상결정 온도까지 단조적으로 감소시키는 제1 온도감하단계 및, 상기 강유전체층의 온도를 급속도로 강하시키는 제2 온도감하단계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 유기물을 이용한 강유전체 메모리의 제조방법
15 15
제6항에 있어서, 상기 강유전체층의 상전이단계는 상기 강유전체층의 온도를 β상결정을 이루는 온도로 상승시키는 온도상승단계와, 상기 강유전체층의 온도를 급속도로 강하시키는 온도강하단계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 유기물을 이용한 메모리장치의 제조방법
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP21508351 JP 일본 FAMILY
2 US08120082 US 미국 FAMILY
3 US20080105864 US 미국 FAMILY
4 WO2007032621 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP2009508351 JP 일본 DOCDBFAMILY
2 JP2009508351 JP 일본 DOCDBFAMILY
3 JP2009508351 JP 일본 DOCDBFAMILY
4 US2008105864 US 미국 DOCDBFAMILY
5 US8120082 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.