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리튬 이차전지용 양극 활물질 및 그의 제조방법

  • 기술번호 : KST2016000812
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 (a) 리튬원료, 망간원료, 니켈원료 및 코발트원료를 포함하는 금속염 수용액을 제조하는 단계; (b) 입경이 0.05 내지 0.30 mm인 비드를 사용하여, 2000 내지 6000 rpm으로 2 내지 12 시간 동안 상기 금속염 수용액을 습식 분쇄하여 슬러리를 제조하는 단계; (c) 상기 슬러리에 카본 소스를 첨가하는 단계; (d) 상기 단계 (c)의 슬러리를 분무 건조하여 혼합분체를 제조하는 단계; 및 (e) 상기 혼합분체를 열처리하는 단계를 포함하는 방법에 의하여 제조되며, 하기 화학식 1로 표현되는 리튬 이차전지용 양극 활물질의 제조방법에 관한 것이다.[화학식 1] 　LiwNixCoyMn1-x-y-zMzO2 (1.2≤w≤1.5, 0003c#x003c#0.5, 0003c#y003c#0.5, 0.5003c#1-x-y-z003c#1 0≤z003c#1, M은 Al, Mg, Fe, Cu, Zn, Cr, Ag, Ca, Na, K, In, Ga, Ge, V, Mo, Nb, Si, Ti 및 Zr으로 이루어진 군으로 군으로부터 선택되는 1 종 이상의 금속이다)
Int. CL H01M 4/525 (2010.01) H01M 10/052 (2010.01) H01M 4/505 (2010.01) H01M 4/1391 (2010.01)
CPC
출원번호/일자 1020120010054 (2012.01.31)
출원인 전자부품연구원
등록번호/일자 10-1332020-0000 (2013.11.15)
공개번호/일자 10-2013-0088669 (2013.08.08) 문서열기
공고번호/일자 (20131125) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.01.31)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 송준호 대한민국 경기 성남시 분당구
2 김영준 대한민국 경기 용인시 기흥구
3 김재헌 대한민국 경기 용인시 수지구
4 이경준 대한민국 서울 서대문구
5 이민우 대한민국 경기 안산시 상록구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 유미특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 서림빌딩 **층 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 경기도 성남시 분당구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.01.31 수리 (Accepted) 1-1-2012-0082596-96
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.17 수리 (Accepted) 4-1-2013-0013766-37
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.04.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0290435-14
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.06.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0579403-51
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.06.27 수리 (Accepted) 1-1-2013-0579404-07
6 등록결정서
Decision to grant		 2013.10.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0756919-07
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.08.24 수리 (Accepted) 4-1-2020-5189497-57
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(a) 리튬원료, 망간원료, 니켈원료 및 코발트원료를 포함하는 금속염 수용액을 제조하는 단계; (b) 입경이 0
2 2
제1항에 있어서, 상기 망간 원료는 황산망간염, 질산망간염, 염산망간염, 초산망간염 및 이들의 조합에서 선택되며, 상기 니켈 원료는 황산니켈염, 질산니켈염, 염산니켈염, 초산니켈염 및 이들의 조합에서 선택되며, 상기 코발트 원료는 황산코발트염, 질산코발트염, 염산코발트염, 초산코발트염 및 이들의 조합에서 선택되는 것인 리튬 이차전지용 양극 활물질의 제조방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 카본 소스는 수크로스(sucrose), 우레아(urea), 아세트산(acetic acid), 에틸렌글리콜(ethylene glycol) 및 이들의 조합에서 선택되는 것인 리튬 이차전지용 양극 활물질의 제조방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 카본 소스가 양극 활물질 총량에 대하여 1 내지 10 중량%로 포함되는 리튬 이차전지용 양극 활물질의 제조방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 단계 (c)에서 바인더, 첨가제 및 이들의 조합을 추가로 포함하는 리튬 이차전지용 양극 활물질의 제조방법
6 6
제1항에 있어서, 상기 양극 활물질의 일차입자 평균 입경이 200nm 이상 600nm 미만인 리튬 이차전지용 양극 활물질의 제조방법
7 7
제1항에 있어서, 상기 열처리는 800 내지 1200℃의 온도에서 2 내지 24 시간 동안 실시되는 것인 리튬 이차전지용 양극 활물질의 제조방법
8 8
제1항에 있어서, 상기 열처리는 500 내지 750℃의 온도에서 2 내지 12 시간 동안　 실시되는 1차 소성 공정; 및 800 내지 1000℃의 온도에서 4 내지 8 시간 동안 실시되는 2차 소성 공정을 포함하는 것인 리튬 이차전지용 양극 활물질의 제조방법
9 9
제1항 내지 제8항 중 어느 하나의 항에 따른 제조방법에 의하여 제조되는 리튬 이차전지용 양극 활물질
10 10
제9항에 있어서, 상기 양극 활물질의 일차입자의 평균 입경이 200nm 이상 600nm 미만이며, 표면 기공도가 15 내지 30%인 리튬 이차전지용 양극 활물질
11 11
제10항에 있어서, 상기 표면 기공도가 20 내지 25%인 리튬 이차전지용 양극 활물질
12 12
제9항의 양극 활물질을 포함하는 양극; 리튬 이온의 삽입/탈리가 가능한 음극 활물질을 포함하는 음극; 상기 양극과 음극 사이에 존재하는 세퍼레이터; 및 비수성 전해질을 포함하는 리튬 이차전지
13 13
제12항에 있어서, 방전 용량이 200mAhg-1 이상인 리튬 이차전지
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP27511373 JP 일본 FAMILY
2 US09825291 US 미국 FAMILY
3 US20150004489 US 미국 FAMILY
4 WO2013115451 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP2015511373 JP 일본 DOCDBFAMILY
2 US2015004489 US 미국 DOCDBFAMILY
3 US9825291 US 미국 DOCDBFAMILY
4 WO2013115451 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.