| 1 |
1
반응 금속을 포함하는 염화물을 용해하여 반응 용액을 준비하는 단계;산화제와 pH 완충제를 포함하는 산화 용액을 준비하는 단계;탈이온수를 이용하여 상기 반응 용액과 산화 용액을 희석하면서 혼합하여 희석된 코팅 수용액을 형성하는 단계; 및상기 코팅 수용액을 이용하여 용액 증착법으로 기판 상에 산화물 박막을 증착하는 단계를 포함하는 볼로미터용 저항 박막 제조방법
|
| 2 |
2
제 1 항에 있어서, 상기 염화물은 염화 니켈, 염화 코발트, 염화 망간 또는 염화 구리를 포함하는 것을 특징으로 하는 볼로미터용 저항 박막 제조방법
|
| 3 |
3
제 2 항에 있어서, 상기 산화물 박막은 하기 화학식1을 만족하는 것을 특징으로 하는 볼로미터용 저항 박막 제조방법
|
| 4 |
4
제 1 항에 있어서, 상기 산화제는 아질산 나트륨 또는 과산화 수소를 포함하는 것을 특징으로 하는 볼로미터용 저항 박막 제조방법
|
| 5 |
5
제 1 항에 있어서, 상기 pH 완충제는 아세트산 암모늄 또는 아세트산 칼륨을 포함하는 것을 특징으로 하는 볼로미터용 저항 박막 제조방법
|
| 6 |
6
제 1 항에 있어서, 상기 기판의 온도는 75℃ 내지 95℃인 것을 특징으로 하는 볼로미터용 저항 박막 제조방법
|
| 7 |
7
제 1 항에 있어서, 상기 산화물 박막을 증착한 후에 후속 열처리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 볼로미터용 저항 박막 제조방법
|
| 8 |
8
제 7 항에 있어서, 상기 후속 열처리는 300℃ 내지 450℃의 온도 범위에서 수행되는 것을 특징으로 하는 볼로미터용 저항 박막 제조방법
|
| 9 |
9
제 7 항에 있어서, 상기 후속 열처리는 산화 분위기 혹은 불활성 분위기에서 수행되는 것을 특징으로 하는 볼로미터용 저항 박막 제조방법
|
| 10 |
10
제 1 항에 있어서, 상기 산화물 박막의 두께는 50nm 내지 200nm인 것을 특징으로 하는 볼로미터용 저항 박막 제조방법
|
| 11 |
11
제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 저항 박막은 상온에서의 비저항이 200Ω·cm 이하인 것을 특징으로 하는 볼로미터용 저항 박막 제조방법
|
| 12 |
12
제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 저항 박막은 상온에서의 저항온도계수(TCR)의 절대값이 3%/℃ 이상인 것을 특징으로 하는 볼로미터용 저항 박막 제조방법
|
| 13 |
13
신호처리 회로가 형성된 기판을 제공하는 단계;상기 기판 상에 적외선 반사층 패턴을 형성하는 단계; 상기 기판 및 적외선 반사층 패턴 상에 희생층을 형성하는 단계;상기 희생층 상에 제 1 항 내지 제 10 항 중의 어느 한 항의 제조방법으로 제조된 저항 박막을 형성하는 단계; 상기 희생층 및 저항 박막을 패턴하여 오픈부를 형성하는 단계; 상기 오픈부 내부에 전도성 물질을 포함하는 지지부재를 형성하는 단계; 및 상기 희생층을 제거하는 단계;를 포함하는 볼로미터 제조방법
|
| 14 |
14
제 13 항에 있어서, 상기 저항 박막 상에 적외선 반사방지층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 볼로미터 제조방법
|
| 15 |
15
제 13 항에 있어서, 상기 지지부재의 전도성 물질과 상기 저항 박막을 전기적으로 연결하는 접촉층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 볼로미터 제조방법
|
| 16 |
16
제 13 항에 있어서, 상기 희생층과 저항 박막 사이에 상기 저항 박막을 지지하는 지지층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 볼로미터 제조방법
|
| 17 |
17
제 13 항의 제조방법으로 제조된 볼로미터
|
| 18 |
18
제 17 항의 볼로미터를 포함하는 적외선 검출 소자
|
