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기판을 제공하는 단계;상기 기판 상에 적외선 반사층 패턴을 형성하는 단계; 상기 기판 및 적외선 반사층 패턴 상에 희생층을 형성하는 단계;상기 희생층 상에 바나듐 산화물 박막을 포함하는 저항 박막을 형성하는 단계; 상기 희생층 및 저항 박막을 패턴하여 오픈부를 형성하는 단계; 상기 오픈부 내부에 전도성 물질을 포함하는 지지부재를 형성하는 단계; 및 상기 희생층을 제거하는 단계;를 포함하고, 상기 저항 박막을 형성하는 단계는, 텅스텐이 첨가된 오산화 이바나듐 졸(Sol)을 형성하는 단계;상기 졸(Sol)을 이용하여 기판 상에 텅스텐이 첨가된 오산화 바나듐 박막을 형성하는 단계; 및상기 텅스텐이 첨가된 오산화 바나듐 박막을 환원성 분위기에서 열처리하는 단계;를 포함하는 볼로미터 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 바나듐 산화물 박막의 조성은 하기 화학식1을 만족하는 것을 특징으로 하는 볼로미터 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 바나듐 산화물 박막은 상온 내지 68℃의 상 전이온도를 갖는 것을 특징으로 하는 볼로미터 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 텅스텐이 첨가된 오산화 이바나듐 졸(Sol)을 형성하는 단계는, 오산화 이바나듐과 삼산화 텅스텐의 혼합 분말을 형성하는 단계;상기 혼합 분말을 용융하여 오산화 이바나듐과 삼산화 텅스텐의 혼합 용액을 형성하는 단계; 상기 혼합 용액을 급냉하여 전구체 졸을 형성하는 단계; 및 상기 전구체 졸에 산(acid)을 첨가하여 졸의 pH를 조절하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 볼로미터 제조방법
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제 4 항에 있어서, 상기 pH를 조절하는 단계에서 조절된 pH는 2
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제 1 항에 있어서, 상기 텅스텐이 첨가된 오산화 바나듐 졸(Sol)의 점도는 10 내지 12 N·s/m2 인 것을 특징으로 하는 볼로미터 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 열처리하는 단계는 300℃ 내지 450℃의 온도 범위에서 수행되는 것을 특징으로 하는 볼로미터 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 바나듐 산화물 박막의 두께는 50nm 내지 200nm인 것을 특징으로 하는 볼로미터 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 바나듐 산화물 박막은 상온에서의 저항온도계수(TCR)의 절대값이 3%/℃ 이상인 것을 특징으로 하는 볼로미터 제조방법
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삭제
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제 1 항에 있어서, 상기 저항 박막 상에 적외선 반사방지층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 볼로미터 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 지지부재의 전도성 물질과 상기 저항 박막을 전기적으로 연결하는 접촉층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 볼로미터 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 희생층과 저항 박막 사이에 상기 저항 박막을 지지하는 지지층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 볼로미터 제조방법
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제 1 항 내지 제 9 항 및 제 11 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항의 제조방법으로 제조된 볼로미터
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제 14 항의 볼로미터를 포함하는 적외선 검출 소자
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