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절연체층 상에 그래핀 박막을 형성하는 방법 및 이를 이용하여 생성한 그래핀 박막

  • 기술번호 : KST2016000864
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 절연체층 상에 그래핀 박막을 형성하는 방법에 관한 것으로서, 기판 상에 절연체층이 형성되고, 절연체층 상에 금속층이 형성되어 있는 상태에서 금속층 상에 감광제층 형성하고, 감광제층을 노광하고 현상하여 감광제 패턴을 형성하고, 감광제 패턴을 가열하고, 가열 결과 감광제 패턴을 구성하는 탄소 원자가 금속층을 투과하여 금속층과 절연체층 사이에 그래핀을 형성하는 것을 특징으로 하며, 그래핀의 배열된 미세 패터닝이 가능하고, 소자를 제작하기 위해 금속 기판 상에 그래핀을 성장한 다음 절연체 기판 상으로 옮기는 공정을 생략할 수 있다.
Int. CL C01B 31/02 (2006.01) G03C 1/74 (2006.01) H01B 17/62 (2006.01)
CPC C01B 32/184(2013.01) C01B 32/184(2013.01) C01B 32/184(2013.01)
출원번호/일자 1020110134440 (2011.12.14)
출원인 동국대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1416713-0000 (2014.07.02)
공개번호/일자 10-2013-0067653 (2013.06.25) 문서열기
공고번호/일자 (20140709) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.11.21)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 동국대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 중구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이상욱 대한민국 서울특별시 성북구
2 강태원 대한민국 서울특별시 성동구
3 이승주 대한민국 서울특별시 양천구
4 전희창 대한민국 서울특별시 중구
5 마이피 헝 베트남 서울특별시 중구
6 겐나디 파닌 러시아 서울특별시 중구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인충현 대한민국 서울특별시 서초구 동산로 **, *층(양재동, 베델회관)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 동국대학교 산학협력단 서울특별시 중구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.12.14 수리 (Accepted) 1-1-2011-0993208-85
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2012.02.13 수리 (Accepted) 1-1-2012-0113700-76
3 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2012.11.21 수리 (Accepted) 1-1-2012-0958867-11
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2014-0002002-62
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.01.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0037366-73
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2014.03.14 수리 (Accepted) 1-1-2014-0246132-07
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.04.17 수리 (Accepted) 1-1-2014-0366661-18
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.04.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0366670-29
9 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2014.04.17 수리 (Accepted) 1-1-2014-0367213-56
10 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2014.04.17 수리 (Accepted) 1-1-2014-0367406-61
11 등록결정서
Decision to grant
2014.06.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0445336-17
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.16 수리 (Accepted) 4-1-2019-5163486-33
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 절연체층이 형성되고, 상기 절연체층 상에 금속층이 형성되어 있는 상태에서 상기 금속층 상에 감광제층 형성하는 단계;상기 형성된 감광제층을 노광하고 현상하여 감광제 패턴을 형성하는 단계;상기 형성된 감광제 패턴을 가열하는 단계; 및상기 가열 결과 상기 감광제 패턴을 구성하는 탄소 원자가 상기 금속층을 투과하여 상기 금속층과 상기 절연체층 사이에 그래핀을 형성하는 단계를 포함하는 절연체층 상에 그래핀 박막을 형성하는 방법
2 2
제1 항에 있어서,상기 형성된 감광제 패턴을 가열하는 단계는,산소가 없는 진공, 수소, 질소, 또는 아르곤 가스 분위기 하에 가열하는 것을 특징으로 하는 절연체층 상에 그래핀 박막을 형성하는 방법
3 3
제1 항에 있어서,상기 감광제층은 양성 PR인 것을 특징으로 하는 절연체층 상에 그래핀 박막을 형성하는 방법
4 4
제1 항에 있어서,상기 감광제층은 음성 PR인 것을 특징으로 하는 절연체층 상에 그래핀 박막을 형성하는 방법
5 5
제1 항에 있어서,상기 기판은 도핑되어 전극으로 사용할 수 있고, 전도성이 있는 반도체 기판인 것을 특징으로 하는 절연체층 상에 그래핀 박막을 형성하는 방법
6 6
제1 항에 있어서,상기 금속층은 화학 주기율표상의 전이금속인 것을 특징으로 하는 절연체층 상에 그래핀 박막을 형성하는 방법
7 7
제1 항에 있어서,상기 금속층 상에 감광제층을 형성하는 단계는,상기 감광제층을 스핀코팅, 잉크젯 프린팅, 또는 스크린 프린팅법 중 어느 하나로 상기 금속층 상에 형성하는 것을 특징으로 하는 절연체층 상에 그래핀 박막을 형성하는 방법
8 8
제1 항에 있어서,상기 형성된 감광제 패턴을 가열하는 단계는,상기 감광제 패턴을 650℃ ~ 1,000℃의 온도 범위에서 가열하는 것을 특징으로 하는 절연체층 상에 그래핀 박막을 형성하는 방법
9 9
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 KR101249678 KR 대한민국 FAMILY
2 KR101298084 KR 대한민국 FAMILY
3 WO2013042916 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 동국대학교 산학협력단 해외우수연구기관유치사업 [국고]IMT와 CNSI 기관 유치를 통한 나노-정보 기술 연구[3/6]