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기판 홀더에 장착되는 탐침 기판; 및상기 탐침 기판의 일면에 배치되고 플라즈마에 노출되는 복수의 탐침 전극들을 포함하고,상기 탐침 전극들에 교류 전압이 인가되고, 상기 탐침 전극들은 플로팅되고,상기 탐침 전극들에 흐르는 전류는 교류 전류인 것을 특징으로 하는 공정 모니터링 장치
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제 1항에 있어서,상기 탐침 전극들은 단일 탐침 전극인 것을 특징으로 하는 공정 모니터링 장치
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제 1항에 있어서,상기 탐침 전극들은 이중 탐침 전극인 것을 특징으로 하는 공정 모니터링 장치
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제 1항에 있어서,상기 탐침 전극들 상에 배치된 절연 보호층을 더 포함하고,상기 탐침 전극들에 인가되는 구동 전압은 적어도 2개의 기본 주파수를 포함하는 것을 특징으로 하는 공정 모니터링 장치
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제 1항에 있어서,상기 탐침 기판을 관통하고 상기 탐침 전극들과 연결되는 플러그들; 및상기 플러그들과 전기적으로 연결되고 상기 탐침 기판의 타면에 배치된 내부 배선을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 공정 모니터링 장치
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제 5 항에 있어서,상기 내부 배선들과 전기적으로 연결되고 상기 탐침 기판에 배치된 코넥터;상기 코넥터와 연결되고 상기 탐침 전극들에 적어도 하나의 기본 주파수를 가진 주기적인 구동 전압을 인가하는 구동부;상기 구동부와 상기 코넥터 사이에 배치되어 시간에 따라 상기 탐침 전극들 중에 적어도 하나에 상기 구동 전압을 인가하는 아날로그 멀티플렉서;상기 구동부와 상기 아날로그 멀티플렉서 사이에 배치되어 상기 구동부를 통하여 흐르는 교류 전류를 감지하는 감지부; 및상기 감지부의 상기 교류 전류를 주파수 분석하여 상기 탐침 전극 상의 플라즈마 변수 또는 상기 탐침 전극의 표면 상태를 추출하는 신호 처리부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 공정 모니터링 장치
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제 1 항에 있어서,상기 탐침 기판을 둘러싸고 있는 차폐부를 더 포함하고,상기 차폐부는 상기 탐침 전극들에 대응하는 관통홀들을 포함하고,상기 탐침 전극들은 상기 관통홀들과 정렬되어 배치되는 것을 특징으로 하는 공정 모니터링 장치
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제 5 항에 있어서,상기 내부 배선과 전기적으로 연결되고 상기 탐침 기판에 배치된 코넥터;상기 코넥터와 전기적으로 연결되고 진공 용기의 외부의 회로와 연결되는 외부 배선; 및상기 외부 배선을 감싸고 도전성의 차폐용 주름관을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 공정 모니터링 장치
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제 1 항에 있어서,상기 탐침 전극들 상에 배치된 절연 보호층; 및상기 탐침 전극들과 상기 탐침 기판 사이에 배치된 내부 배선를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 공정 모니터링 장치
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제 9 항에 있어서,상기 내부 배선과 전기적으로 연결되고 상기 탐침 기판에 배치된 코넥터를 을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 공정 모니터링 장치
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제 1 항에 있어서,상기 탐침 전극들에 교류 신호를 제공하고 상기 탐침 전극들에 흐르는 전류를 측정하여 처리하는 구동 처리부를 더 포함하고,상기 구동 처리부는 상기 탐침 기판에 배치되는 것을 특징으로 하는 공정 모니터링 장치
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제 11 항에 있어서,상기 구동 처리부는:상기 탐침 전극들에 적어도 하나의 기본 주파수를 가진 주기적인 구동 전압을 인가하는 전압 인가부;상기 전압 인가부와 상기 탐침 전극들 사이에 배치되어 시간에 따라 상기 탐침 전극들 중에 적어도 하나에 상기 구동 전압을 인가하는 탐침 선택부;상기 전압 인가부와 상기 탐침 선택부 사이에 배치되어 상기 전압 인가부를 통하여 흐르는 교류 전류를 감지하는 전류 측정부;상기 전류 측정부의 아날로그 신호를 디지털 신호로 변화하는 신호 수신부; 및상기 신호 수신부의 출력신호를 제공받아 주파수를 분석하여 상기 탐침 전극 상의 플라즈마 변수 또는 상기 탐침 전극의 표면 상태를 추출하는 제어 및 연산부를포함하는 것을 특징으로 하는 공정 모니터링 장치
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제 12 항에 있어서,상기 구동 처리부는:상기 제어 및 연산부의 계산 결과 및 정보를 저장하는 데이터 저장부; 상기 제어 및 연산부와 외부의 컴퓨터와 통신하는 통신부; 및상기 구동 처리부에 전원을 공급하는 전원부 중에서 적어도 하나를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 공정 모니터링 장치
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플라즈마 챔버 내의 소정의 평면 내의 복수의 지점에서 플라즈마 변수를 측정하는 단계; 및상기 플라즈마 변수를 플라즈마 확산 알고리즘을 이용하여 상기 평면 내의 지점들을 보간(interpolation)하는 보간 함수를 구하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 공정 모니터링 방법
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제14 항에 있어서,상기 플라즈마 변수는 전자 밀도, 전자 온도, 및 이온 포화 전류 중에서 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 공정 모니터링 방법
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제14 항에 있어서,상기 플라즈마 챔버는 원통형 용기이고,상기 보간 함수(F(x,y))는가중치함수(Wi(x,y))와 피팅 함수(Qi(x,y))의 곱의 합으로 주어지고,상기 피팅 함수(Qi(x,y))는 베셀 함수를 포함하는 것을 특징으로 하는 공정 모니터링 방법
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제14 항에 있어서,상기 플라즈마 챔버는 사각통 용기이고,상기 보간 함수(F(x,y))는가중치함수(Wi(x,y))와 피팅 함수(Qi(x,y))의 곱의 합으로 주어지고,상기 피팅 함수(Qi(x,y))는 다음과 같은코사인 함수를 포함하는 것을 특징으로 하는 공정 모니터링 방법
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