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원거리 플라즈마 발생장치

기술번호 : KST2016001167
담당센터 : 서울서부기술혁신센터
전화번호 : 02-6124-6930

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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	챔버와 관련되어 설치되는 RF 안테나; 상기 챔버 내 상부에 형성되며 다수의 플라즈마 발생가스 도입관이 균일하게 연통된 플라즈마 발생부; 상기 플라즈마 발생부 하부에 설치되는 DC 바이어스 발생유닛; 상기 DC 바이어스 발생유닛의 하부에 설치되며, 다수의 제 1 플라즈마 안내공이 형성된 제 1 샤워헤드; 상기 제 1 샤워헤드 하부에 설치되며, 소스/퍼지가스 안내공과 각각 상기 제 1 플라즈마 안내공과 직접 연결되는 다수의 제 2 플라즈마 안내공이 형성된 제 2 샤워헤드를 포함하며, 상기 제 1 샤워헤드와 제 2 샤워헤드 사이에는 소스/퍼지가스 도입부가 형성되고, 상기 소스/퍼지가스 도입부에는 다수의 소스/퍼지가스 도입관이 연통되는 원거리 플라즈마 발생장치가 개시된다.박막 품질, 균일, 직류 바이어스, 이온 트랩, 도입관, 아노다이징, 그리드
Int. CL	H05H 1/30 (2006.01.01) H05H 1/34 (2006.01.01)
CPC
출원번호/일자	1020060015759 (2006.02.17)
출원인	한양대학교 산학협력단
등록번호/일자	10-0752622-0000 (2007.08.21)
공개번호/일자	10-2007-0082746 (2007.08.22) 문서열기
공고번호/일자	(20070830) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	소멸
심사진행상태	수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2006.02.17)
심사청구항수	5

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	한양대학교 산학협력단	대한민국	서울특별시 성동구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	전형탁	대한민국	서울특별시 노원구
2	김인회	대한민국	서울 동작구
3	김석훈	대한민국	인천 부평구
4	정진욱	대한민국	서울 성동구
5	이상규	대한민국	경기 안산시 상록구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	김영철	대한민국	서울시 송파구 법원로 *, **호 (문정동, 대명벨리온지식산업센터)(아시아나국제특허법률사무소)
2	정현영	대한민국	서울특별시 금천구 벚꽃로 *, 호- (가산동, 대륭포스트타워*차)(정특허법률사무소)
3	임평섭	대한민국	서울특별시 영등포구 당산로 **-, 층(당산동가, 정우빌딩)(임특허법률사무소)
4	홍승규	대한민국	서울시 송파구 법원로 *, **호 (문정동, 대명벨리온지식산업센터)(아시아나국제특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	한양대학교 산학협력단	대한민국	서울 성동구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	특허출원서 Patent Application	2006.02.17	수리 (Accepted)	1-1-2006-0119426-03
2	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2006.12.05	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2006-0726313-60
3	의견서 Written Opinion	2007.01.10	수리 (Accepted)	1-1-2007-0025964-52
4	명세서등보정서 Amendment to Description, etc.	2007.01.10	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2007-0025967-99
5	서지사항보정서 Amendment to Bibliographic items	2007.01.23	수리 (Accepted)	1-1-2007-0068937-71
6	등록결정서 Decision to grant	2007.05.21	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2007-0273428-43
7	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2008.03.11	수리 (Accepted)	4-1-2008-5037763-28
8	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2014.06.05	수리 (Accepted)	4-1-2014-5068294-39
9	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2015.02.16	수리 (Accepted)	4-1-2015-5022074-70
10	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2019.08.05	수리 (Accepted)	4-1-2019-5155816-75
11	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2019.08.06	수리 (Accepted)	4-1-2019-5156285-09

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 플라즈마 발생장치로서,챔버와 관련되어 설치되는 RF 안테나;상기 챔버 내 상부에 형성되며 다수의 플라즈마 발생가스 도입관이 균일하게 연통된 플라즈마 발생부;상기 플라즈마 발생부 하부에 설치되는 DC 바이어스 발생유닛;상기 DC 바이어스 발생유닛의 하부에 설치되며, 다수의 제 1 플라즈마 안내공이 형성된 제 1 샤워헤드;상기 제 1 샤워헤드 하부에 설치되며, 소스/퍼지가스 안내공 및 상기 제 1 플라즈마 안내공과 각각 직접 연결되는 다수의 제 2 플라즈마 안내공이 형성된 제 2 샤워헤드를 포함하며,상기 제 1 샤워헤드와 제 2 샤워헤드 사이에는 소스/퍼지가스 도입부가 형성되고, 상기 소스/퍼지가스 도입부에는 다수의 소스/퍼지가스 도입관이 연통되는 것을 특징으로 하는 원거리 플라즈마 발생장치
2	2 청구항 1에 있어서,상기 DC 바이어스 발생유닛은 그리드(grid) 형상을 가지며, 금속재질로 그 표면이 아노다이징(anodizing) 처리된 것을 특징으로 하는 원거리 플라즈마 발생장치
3	3 청구항 1에 있어서,상기 제 1 및 제 2 플라즈마 안내공과 소스/퍼지가스 안내공의 입구측과 출구측 그리고 상기 플라즈마 발생가스 도입관과 소스/퍼지가스 도입관의 출구측은 각각 단부 쪽으로 직경이 커지는 테이퍼(taper) 형상으로 이루어진 것을 특징으로 하는 원거리 플라즈마 발생장치
4	4 청구항 1에 있어서,상기 제 1 및 제 2 플라즈마 안내공과 상기 소스/퍼지가스 안내공은 각각 상기 제 1 샤워헤드와 상기 제 2 샤워헤드에서 방사상으로 형성되며, 상기 제 2 샤워헤드에서 상기 제 2 플라즈마 안내공 및 소스/퍼지가스 안내공은 방사상으로 교대로 배치되는 것을 특징으로 하는 원거리 플라즈마 발생장치
5	5 청구항 1에 있어서, 상기 다수의 플라즈마 발생가스 도입관은 상기 플라즈마 발생부의 상부 또는 측부로부터 연통되는 것을 특징으로 하는 원거리 플라즈마 발생장치

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번	패밀리번호	국가코드	국가명	종류
1	JP19227375	JP	일본	FAMILY
2	US20070193515	US	미국	FAMILY
3	WO2007094572	WO	세계지적재산권기구(WIPO)	FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번	패밀리번호	국가코드	국가명	종류
1	JP2007227375	JP	일본	DOCDBFAMILY
2	US2007193515	US	미국	DOCDBFAMILY
3	WO2007094572	WO	세계지적재산권기구(WIPO)	DOCDBFAMILY

본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.

이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허 등록번호 표입니다.
특허 등록번호	10-0752622-0000

권리란

표시번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 권리란 표입니다.
표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20060217 출원 번호 : 1020060015759 공고 연월일 : 20070830 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20070521 청구범위의 항수 : 5 유별 : H05H 1/30 발명의 명칭 : 원거리 플라즈마 발생장치 존속기간(예정)만료일 :

특허권자란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허권자란 표입니다.
순위번호	사항
1	(권리자) 한양대학교 산학협력단 서울 성동구...

등록료란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 등록료란 표입니다.
제 1 - 3 년분	금 액	175,500 원	2007년 08월 22일	납입
제 4 년분	금 액	150,000 원	2010년 06월 04일	납입
제 5 년분	금 액	150,000 원	2011년 07월 11일	납입
제 6 년분	금 액	150,000 원	2012년 07월 10일	납입
제 7 년분	금 액	290,000 원	2013년 06월 28일	납입
제 8 년분	금 액	290,000 원	2014년 07월 03일	납입
제 9 년분	금 액	290,000 원	2015년 06월 30일	납입
제 10 년분	금 액	515,000 원	2016년 07월 05일	납입
제 11 년분	금 액	515,000 원	2017년 06월 29일	납입
제 12 년분	금 액	257,500 원	2018년 07월 02일	납입
제 13 년분	금 액	317,500 원	2019년 06월 24일	납입

본 '원본보기 서비스'는 참고용이므로, 일부 오류 및 누락이 발생할 수 있습니다.
정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	특허출원서	2006.02.17	수리 (Accepted)	1-1-2006-0119426-03
2	의견제출통지서	2006.12.05	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2006-0726313-60
3	의견서	2007.01.10	수리 (Accepted)	1-1-2007-0025964-52
4	명세서등보정서	2007.01.10	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2007-0025967-99
5	서지사항보정서	2007.01.23	수리 (Accepted)	1-1-2007-0068937-71
6	등록결정서	2007.05.21	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2007-0273428-43
7	출원인정보변경(경정)신고서	2008.03.11	수리 (Accepted)	4-1-2008-5037763-28
8	출원인정보변경(경정)신고서	2014.06.05	수리 (Accepted)	4-1-2014-5068294-39
9	출원인정보변경(경정)신고서	2015.02.16	수리 (Accepted)	4-1-2015-5022074-70
10	출원인정보변경(경정)신고서	2019.08.05	수리 (Accepted)	4-1-2019-5155816-75
11	출원인정보변경(경정)신고서	2019.08.06	수리 (Accepted)	4-1-2019-5156285-09


과제고유번호	1350023143
세부과제번호	TND200509
연구과제명	단원자층증착기술개발
성과구분	등록
부처명	교육과학기술부
연구관리전문기관명	한국과학재단
연구주관기관명	한양대학교
성과제출연도	2005
연구기간	200504~200603
기여율	1
연구개발단계명	응용연구
6T분류명	NT(나노기술)


과제고유번호	1350011090
세부과제번호	2006-06912
연구과제명	원거리플라즈마단원자층증착기술개발
성과구분	출원
부처명	교육과학기술부
연구관리전문기관명	한국과학재단
연구주관기관명	한양대학교
성과제출연도	2006
연구기간	200604~200703
기여율	1
연구개발단계명	응용연구
6T분류명	NT(나노기술)

특허성과

[1020060121339]	플라즈마 처리장치	새창보기
[1020060015759]	원거리 플라즈마 발생장치	새창보기

중요키워드

이전대상기술 뷰 페이지 관련기술 표
[KST2019020408][한양대학교]	플라스마 발생 장치	새창보기

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