| 1 |
1
하기 화학식 1로 표시되는 이리듐 착화합물
|
| 2 |
2
제 1항에 있어서,
상기 화학식 1의 는 탄소수 1~5의 알킬기 또는 탄소수 1 ~ 5의 알콕시기로 치환된 4-알콕시피콜리닉산, 4-알킬옥시알콕시피콜리닉산, 4-알킬아민피콜리닉산, 4-아미노알킬아민피콜리닉산, 4-알콕시피콜리닉산-N-옥사이드, 4-알킬옥시알콕시피콜리닉산-N-옥사이드, 4-알킬아민피콜리닉산-N-옥사이드, 4-아미노알킬아민피콜리닉산-N-옥사이드에서 선택되는 이리듐 착화합물
|
| 3 |
3
제 1항 또는 제 2항에 있어서,
상기 화학식 1의 는 4-에틸록시피콜리닉산, 4-에틸록시에톡시피콜리닉산, 4-디부틸아민피콜리닉산, 4-아미노프로필아민피콜리닉산, 4-에틸록시피콜리닉산-N-옥사이드, 4-에틸록시에톡시피콜리닉산-N-옥사이드, 4-디부틸아민피콜리닉산-N-옥사이드, 4-아미노프로필아민피콜리닉산-N-옥사이드에서 선택되는 이리듐 착화합물
|
| 4 |
4
제 1항에 있어서,
상기 화학식 1의 R2는 탄소수 1~10의 직쇄 또는 측쇄의 알킬기인 것을 특징으로 하는 이리듐 착화합물
|
| 5 |
5
하기 화학식 1로 표시되는 이리듐 착화합물이 발광층에 포함되어 있는 유기전계발광소자
|
| 6 |
6
제 5항에 있어서,
상기 유기전계발광소자는 제 1 전극과, 상기 제 1 전극과 대향적으로 형성된 제 2 전극을 포함하며, 상기 발광층은 상기 제 1 전극과 제 2 전극 사이에 적층되어 있는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자
|
| 7 |
7
제 6항에 있어서,
상기 제 1 전극과 발광층 사이로 버퍼층을, 상기 발광층과 제 2 전극 사이로 전자전달층 및 전자주입층을 더욱 포함하는 유기전계발광소자
|
| 8 |
8
제 7항에 있어서,
상기 버퍼층은 상기 제 1 전극의 상부로 적층되는 정공주입층과, 상기 정공주입층의 상부로 적층되는 정공전달층을 포함하는 유기전계발광소자
|
| 9 |
9
제 5항에 있어서,
상기 이리듐 착화합물은 상기 발광층의 도판트로 포함되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자
|
| 10 |
10
제 5항에 있어서,
상기 이리듐 착화합물은 상기 발광층 총량을 기준으로 3~20 중량%의 농도로 포함되어 있는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자
|
| 11 |
11
하기 화학식 1로 표시되는 이리듐 착화합물이 포함되어 있는 발광층을 제 1 전극의 상부로 적층하는 단계를 포함하는 유기전계발광소자의 제조 방법
|
| 12 |
12
제 11항에 있어서,
상기 발광층은 용액 공정에 의하여 상기 제 1 전극의 상부로 적층되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조 방법
|
| 13 |
13
제 12항에 있어서,
상기 발광층은 5~200㎚의 두께로 상기 제 1 전극의 상부로 적층되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조 방법
|
