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나노구조 무기－유기 이종 접합 태양전지의 제조방법

  • 기술번호 : KST2016001782
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 매우 높은 효율을 가지며, 안정성이 우수하고, 저가의 원료로 대량 생산 가능하여 태양전지의 상업화가 용이한 신규한 구조의 태양전지 제조방법에 관한 것으로, 상세하게 a) 금속산화물 입자를 함유하는 슬러리를 도포하고 열처리하여 다공성 전자 전달층(electron transporting layer)을 형성하는 단계; b) 상기 다공성 전자 전달층의 금속산화물 입자 표면에 무기 반도체를 형성하는 단계; 및 c) 상기 무기 반도체가 형성된 다공성 전자 전달층에 하기의 화학식 1인 유기 광전 물질(organic photovoltaic material)을 함유하는 용액을 함침하여 정공 전달층(hole transporting layer)을 형성하는 단계;를 포함하여 수행된다.(화학식 1)(상기 화학식 1에서 R1과 R2는 서로 독립적으로 수소 또는 C1~C12 알킬기에서 선택되고, R1 및 R2중 어느 하나는 C1~C12 알킬기이며, R1과 R2가 동시에 수소는 아니며, n은 2~10,000이다.)
Int. CL H01L 31/06 (2014.01) H01L 31/04 (2014.01)
CPC
출원번호/일자 1020110014509 (2011.02.18)
출원인 한국화학연구원
등록번호/일자 10-1168227-0000 (2012.07.18)
공개번호/일자 10-2011-0095215 (2011.08.24) 문서열기
공고번호/일자 (20120730) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020100014674   |   2010.02.18
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.02.18)
심사청구항수 15

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국화학연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 석상일 대한민국 대전광역시 유성구
2 임상혁 대한민국 대전광역시 유성구
3 장정아 대한민국 대전광역시 유성구
4 이재휘 대한민국 대전광역시 유성구
5 이용희 대한민국 울산광역시 중구
6 김희중 대한민국 경기도 의정부시 호국로

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박창희 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)
2 권오식 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국화학연구원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.02.18 수리 (Accepted) 1-1-2011-0117652-20
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.12.19 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.01.17 수리 (Accepted) 9-1-2012-0005443-34
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.03.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0167047-15
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.04.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0324199-83
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.04.23 수리 (Accepted) 1-1-2012-0324197-92
7 등록결정서
Decision to grant		 2012.05.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0316311-15
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149265-52
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149242-13
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
a) 제1전극 상부로 금속산화물 입자를 함유하는 슬러리를 도포하고 열처리하여 다공성 전자 전달층(electron transporting layer)을 형성하는 단계;b) 기공에 의한 표면을 포함한 상기 다공성 전자전달층의 표면에 무기 반도체를 형성하는 단계; c) 상기 무기 반도체가 형성된 다공성 전자 전달층에 하기 화학식 1인 유기 광전 물질(organic photovoltaic material)을 함유하는 용액을 함침하여 다공성 전자 전달층의 기공을 채우고 다공성 전자 전달층의 일 면을 덮는 정공 전달층(hole transporting layer)을 형성하는 단계; 및e) 상기 정공 전달층 상부로 제2전극을 형성하는 단계;를 포함하는 태양전지의 제조방법
2 2
제 1항에 있어서,b) 단계의 상기 무기 반도체는 기공에 의한 표면을 포함한 상기 다공성 전자전달층의 표면에 접하여 형성된 나노입자인 태양전지의 제조방법
3 3
제 1항에 있어서,a) 단계 전 제1전극 상부에 금속산화물 박막을 형성하는 단계가 더 수행되는 태양전지의 제조방법
4 4
제 1항에 있어서,b) 단계는 화학적 용액성장법(CBD; chemical bath deposition method); 및 연속적인 화학적 반응법(SILAR; Successive Ionic Layer Adsorption and Reaction method);에서 하나 이상 선택된 방법으로 수행되는 태양전지의 제조방법
5 5
제 1항에 있어서,상기 무기 반도체는 기공에 의한 표면을 포함한 상기 전자 전달층의 표면을 덮는 막을 형성하는 태양전지의 제조방법
6 6
제 1항에 있어서,a) 단계의 상기 도포는 금속산화물 입자를 함유한 슬러리를 이용하며, 스크린 프린팅(screen printing); 스핀코팅 (Spin coating); 바-코팅(Bar coating); 그라비아-코팅(Gravure coating); 블레이드 코팅(Blade coating); 및 롤-코팅(Roll coating);에서 하나 이상 선택된 방법으로 수행되는 태양전지의 제조방법
7 7
제 1항에 있어서,상기 유기 광전 물질은 P3HT[poly(3-hexylthiophene)], P3AT[poly(3-alkylthiophene)], P3OT[poly(3-octylthiophene] 및 PEDOT:PSS [Poly(3,4-ethylenedioxythiophene)poly(styrenesulfonate)]에서 하나 이상 선택된 물질인 태양전지의 제조방법
8 8
제 1항에 있어서,c) 단계는 상기 함침에 의해, 상기 유기 광전 물질로 상기 다공성 전자 전달층의 기공이 채워지며 상기 유기 광전 물질과 상기 무기 반도체가 접하는 태양전지의 제조방법
9 9
제 1항에 있어서,상기 무기 반도체는 CdS, CdSe, CdTe, PbS, PbSe, Bi2S3, Bi2Se3, InP, InCuS2, In(CuGa)Se2, Sb2S3, Sb2Se3, SnSx(1≤x≤2), NiS, CoS, FeSy(1≤y≤2), In2S3, MoS, MoSe 및 이들의 합금에서 하나 이상 선택된 태양전지의 제조방법
10 10
제 1항에 있어서,상기 금속산화물 입자는 TiO2, SnO2, ZnO, WO3 및 Nb2O5에서 하나 이상 선택된 것인 태양전지의 제조방법
11 11
제 1항에 있어서,상기 무기 반도체의 평균 입자 직경은 0
12 12
제 1항에 있어서,상기 다공성 전자 전달층의 비표면적은 10 내지 100 m2/g인 태양전지의 제조방법
13 13
제 1항에 있어서,상기 다공성 전자 전달층의 두께는 0
14 14
제 1항 내지 제13항에서 선택된 어느 한 항에 있어서,b) 단계 전, a2) 상기 금속 산화물 입자의 금속 원소를 함유하는 금속 전구체 용해액에 다공성 전자전달층을 함침한 후 열처리 하는 단계;를 더 포함하는 태양전지의 제조방법
15 15
제 14항에 있어서,a) 단계의 상기 열처리 및 a2)단계의 상기 열처리는 각각 공기 중에서 200 내지 550 ℃로 수행되는 태양전지의 제조방법
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1 CN102834929 CN 중국 FAMILY
2 EP02560212 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
3 EP02560212 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
4 JP05775886 JP 일본 FAMILY
5 JP25520767 JP 일본 FAMILY
6 US09059418 US 미국 FAMILY
7 US20130065354 US 미국 FAMILY
8 WO2011102677 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY
9 WO2011102677 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN102834929 CN 중국 DOCDBFAMILY
2 CN102834929 CN 중국 DOCDBFAMILY
3 EP2560212 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
4 EP2560212 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
5 EP2560212 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
6 JP2013520767 JP 일본 DOCDBFAMILY
7 JP5775886 JP 일본 DOCDBFAMILY
8 US2013065354 US 미국 DOCDBFAMILY
9 US9059418 US 미국 DOCDBFAMILY
10 WO2011102677 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
11 WO2011102677 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 한국화학연구원 국제공동(협력)사업 나노구조 무/유기 하이브리드 소재를 이용한 고효율 태양전지 기술개발