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제1전극; 상기 제1전극 상부에 형성되며, 금속산화물 입자를 포함하는 다공성의 무기 전자 전달층; 기공에 의한 표면을 포함한 상기 무기 전자 전달층의 표면에 접하여 형성된 무기 반도체를 포함하는 광흡수체; 하기 화학식 1의 유기 광전 물질을 포함하며 상기 무기 전자 전달층의 기공을 채우고 상기 무기 전자 전달층의 일면을 덮는 유기 정공 전달층; 및 상기 제1전극과 대향하도록 상기 유기 정공 전달층의 상부에 형성되는 제2전극;을 포함하는 태양전지
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제 1항에 있어서,상기 무기 반도체는 나노입자인 태양전지
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제 1항에 있어서,상기 무기 반도체는 상기 무기 전자 전달층의 열린 기공에 상기 금속 산화물입자와 계면(interphase interface)을 이루며 구비되는 태양전지
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제 3항에 있어서, 상기 무기 반도체와 상기 금속 산화물입자의 계면을 중심으로 빌트-인 포텐셜(built-in potential)이 형성된 태양전지
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제 1항에 있어서,상기 무기 반도체는 기공에 의한 표면을 포함한 상기 전자 전달층의 표면을 덮는 막인 태양전지
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제 1항에 있어서,상기 무기 반도체의 평균 입자 직경은 0
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제 1항에 있어서,상기 태양전지는 상기 무기 전자 전달층의 하부에 구비되는 금속산화물 박막을 더 포함하는 태양전지
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제 1항에 있어서,상기 전자 전달층의 비표면적은 10 내지 100 m2/g인 태양전지
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제 1항에 있어서,상기 전자 전달층의 두께는 0
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제 1항에 있어서,상기 유기 정공 전달층은 P3HT[poly(3-hexylthiophene)], P3AT[poly(3-alkylthiophene)], P3OT[poly(3-octylthiophene] 및 PEDOT:PSS [Poly(3,4-ethylenedioxythiophene)poly(styrenesulfonate)]에서 하나 이상 선택된 물질인 태양전지
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제 1항에 있어서,상기 무기 반도체는 CdS, CdSe, CdTe, PbS, PbSe, Bi2S3, Bi2Se3, InP, InCuS2, In(CuGa)Se2, Sb2S3, Sb2Se3, SnSx(1≤x≤2), NiS, CoS, FeSy(1≤y≤2), In2S3, MoS, MoSe 및 이들의 합금에서 하나 이상 선택된 물질인 태양전지
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제 1항에 있어서,상기 전자 전달층은 TiO2, SnO2, ZnO, WO3 및 Nb2O5에서 하나 이상 선택된 물질인 태양전지
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제 1항에 있어서,상기 태양전지는 100mW/cm2의 광량에서 변환 효율(energy conversion efficiency) 5% 이상인 태양전지
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제 1항에 있어서,상기 태양전지는 상기 광흡수체에 의한 제1 태양광 흡수 스펙트럼 및 상기 유기 광전 물질에 의한 제2 태양광 흡수 스펙트럼을 갖는 태양전지
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제 1항에 있어서,상기 광흡수체는 무기 반도체 나노입자를 포함하여 구성되며, 상기 무기 반도체 나노입자의 크기 및 분포에 의해 흡수되는 태양광 스펙트럼이 제어되는 태양전지
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제 14항에 있어서,상기 제1 태양광 흡수 스펙트럼에서 흡수 피크(peak)의 중심 파장은 350 내지 650nm이며, 상기 제2 태양광 흡수 스펙트럼에서 흡수 피크(peak)의 중심 파장은 550 내지 800nm인 태양전지
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제 1항에 있어서,상기 정공 전달 물질은 0
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