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고분자 폴리설폰 기재를 용매에 용해시키고 비용매로 침지화 또는 분무건조화 시킨 후 진공건조하여 폴리설폰 입자를 제조하는 단계(단계 1); 상기 단계 1에서 제조된 폴리설폰 입자에 전자선을 조사하는 단계(단계 2); 상기 단계 2에서 전자선이 조사된 폴리설폰 입자를 친수성모노머와 함께 용매에 첨가하고 그라프트 반응시키는 단계(단계 3); 및 상기 단계 3에서 그라프트 반응시킨 폴리설폰 입자를 상전환법을 이용하여 폴리설폰 분리막으로 제조하는 단계(단계 4)를 포함하는 친수화 폴리설폰 분리막의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 단계 1의 용매는 n-디메틸 포름아미드, 메틸렌클로라이드, 클로로벤젠, 디메틸포름아미드, 메틸피롤리돈, 디메틸설폭사이드, 디메틸아세테이트, 벤조나이트릴 또는 테트라메틸우레아 인 것을 특징으로 하는 친수화 폴리설폰 분리막의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 단계 2의 전자선의 총 조사량은 50 내지 150 kGy 인 것을 특징으로 하는 친수화 폴리설폰 분리막의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 단계 3의 친수성 모노머는 2-하이드록시에틸 메타아크릴레이트(2-hydroxyethyl methacrylate), 메타크릴산(methacrylic acid), 아크릴산(acrylic acid), 아크릴아마이드(acrylamide) 및 메타크릴아마이드(methacrylamide)로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 단량체인 것을 특징으로 하는 친수화 폴리설폰 분리막의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 단계 3의 친수성 모노머는 용매에 대하여 20 내지 40 부피%의 비율로 첨가되는 것을 특징으로 하는 친수화 폴리설폰 분리막의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 단계 3의 그라프트 반응은 30 내지 120 분간 수행되는 것을 특징으로 하는 친수화 폴리설폰 분리막의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 단계 4의 상전환법은 그라프트된 폴리설폰 입자와 용매를 혼합하는 단계(단계 a);상기 단계 a에서 혼합된 폴리설폰 입자와 용매를 유리판에 도포하는 단계(단계 b); 및상기 단계 b에서 폴리설폰입자와 용매가 도포된 유리판을 물에 침지시킨 후 세척하는 단계(단계 c)를 포함하는 것을 특징으로 하는 친수화 폴리설폰 분리막의 제조방법
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제7항에 있어서, 상기 단계 a의 용매는 n-메틸 피롤리돈(n-Methyl Pyrrolidone), 디메틸아세트아마이드(dimethylacetamide) 또는 디메틸포름아마이드(dimethylformamide)인 것을 특징으로 하는 친수화 폴리설폰 분리막의 제조방법
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